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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117849392A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410017877.5
申请日：2024-01-05
Applicant: 合肥工业大学
IPC: G01P15/125 , B81B7/02 , B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种用于车身悬架系统的电容式加速度传感器及制备方法，包括隔离框层、敏感层、埋氧层、空腔层和玻璃衬底，隔离框层设置在敏感层的一侧，埋氧层设置在敏感层的另一侧，空腔层设置在埋氧层远离敏感层的一侧。本发明采用双排梳齿的结构增加了梳齿电极的数量，相对于其他单排梳齿传感器结构有效地提高了电容式加速度传感器的灵敏度。固定梳齿电极与可动梳齿电极构成不等高梳齿结构，八组不等高梳齿构成检测Z轴加速度的差分检测结构，从而抵消非敏感轴方向对Z敏感轴的干扰。本发明采用单边凹槽单边阻尼孔的结构，减小阻尼的同时还偏移了敏感质量块质心的位置，增大了梳齿偏转的角度，以提高传感器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN115893308A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202310112289.5
申请日：2023-02-14
Applicant: 合肥工业大学
Abstract: 本发明属于微机电系统MEMS技术领域，具体设计了一种基于薄膜自卷曲技术的GMI磁传感器的加工方法。以硅片作为硅衬底层，在硅衬底层上沉积锗牺牲层、低频氮化硅层、高频氮化硅层、铜金属导线，通过刻蚀锗牺牲层，释放低频氮化硅层、高频氮化硅层的层间内在应力，触发氮化硅应变层裹挟非晶丝自卷曲，实现二维到三维的过渡，自卷曲形成含有非晶丝和螺旋线圈的微纳米管，即GMI磁传感器。GMI磁传感器的内径为百微米级；同时本发明的GMI磁传感器，利用薄膜的自卷曲技术，降低了工艺难度，且绕线线圈通过薄膜自卷曲技术形成，不会因绕线导致非晶丝弯曲；因此本发明所的GMI磁传感器具有优越的结构性能，同时具有体积小的优点。
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公开(公告)号：CN105896578B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201610230146.4
申请日：2016-04-13
Applicant: 合肥工业大学 , 国网浙江省电力公司电力科学研究院
Abstract: 本发明公开了一种用于风光储联合发电系统的随机生产模拟方法，是按如下步骤进行：1采用K‑Means算法进行气象模式划分；2风光储概率性建模；3风力发电模块、光伏发电模块、储能装置及负荷的序列化；4基于序列运算理论的随机生产模拟。本发明能更好地描述风光互补特性，并进行风光储联合发电系统的随机生产模拟，从而能为风光储联合发电系统的运行与调度提供参考。
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公开(公告)号：CN116698236A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310940729.6
申请日：2023-07-28
Applicant: 合肥工业大学
Abstract: 本发明属于微机电系统MEMS技术领域，具体涉及一种用于飞机供氧检测的MEMS压阻式表压压力传感器及其制备方法。硅衬底的上层硅即参杂层和梁膜复合结构层设有米字梁结构，米字梁的相邻梁端点圆弧形连接；硅衬底的下层硅即空腔层的中部为镂空孔，且镂空孔的外轮廓和米字梁的外轮廓结构相同，传感器由传统方形膜片改进为弧形膜片结构，不改变整体器件尺寸的条件下增大膜片的有效受力面积；同时通过刻蚀减薄切除，将传统平膜结构变为米子梁‑薄膜复合结构，使得米字梁结构能增大膜片表面的局部刚度，有效控制膜片表面变形情况，使得在外加压力不变时，膜片的应变更小，保证本发明MEMS压阻式表压压力传感器的器件线性度的同时能进一步降低膜片厚度并集中应力。
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公开(公告)号：CN105896578A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610230146.4
申请日：2016-04-13
Applicant: 合肥工业大学 , 国网浙江省电力公司电力科学研究院
CPC classification number: H02J3/32 , H02J2003/007 , H02S10/12
Abstract: 本发明公开了一种用于风光储联合发电系统的随机生产模拟方法，是按如下步骤进行：1采用K?Means算法进行气象模式划分；2风光储概率性建模；3风力发电模块、光伏发电模块、储能装置及负荷的序列化；4基于序列运算理论的随机生产模拟。本发明能更好地描述风光互补特性，并进行风光储联合发电系统的随机生产模拟，从而能为风光储联合发电系统的运行与调度提供参考。
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