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公开(公告)号：CN104498021B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201410690064.9
申请日：2014-11-25
Applicant: 合肥工业大学
Abstract: 本发明公开了一种蓝到绿光发射、均匀合金化核的核壳量子点的合成方法，本发明核壳量子点以均匀合金化的硒硫化镉量子点(CdSexS1-x)为核、以CdS为壳，简写为CdSexS1-x/CdS量子点，其中x＝0.05-0.60。本发明通过控制核量子点合成中硫与硒源的摩尔量的比值、镉源与配体的用量、反应温度和时间，使核壳量子点发射峰波长于460-530nm之间连续可调。本合成方法具绿色性、经济性特征，合成过程和产物结构及性能具有高度可控性，适合于规模化量子点制备。
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公开(公告)号：CN101967594A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN201010524049.9
申请日：2010-10-27
Applicant: 合肥工业大学
Abstract: 本发明公开了一种以镍钼合金为粘结剂的碳化钛基硬质合金及其制备方法，其中碳化钛基硬质合金按质量百分比由以下原料构成：镍粉为13-20％，钼粉为7-10％，余量为碳化钛粉；其制备方法是将镍粉、钼粉和碳化钛粉加入球磨机中湿磨后过滤、干燥，然后加入石蜡，搅拌均匀后干燥并模压成型，成型后置于氢气气氛中于300-500℃保温2-3小时，随后置于真空度1×10-2-5×10-2Pa，温度1400-1450℃的条件下烧结1-1.5小时得成品。本发明制备的合金材料硬度高，耐磨性、耐腐蚀性好，战略资源消耗低，孔隙度低且性价比高，可用于低碳钢连续切削的(半)精加工，也可作为金刚石涂层刀具的基体材料。
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公开(公告)号：CN101532178A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200910116313.2
申请日：2009-03-09
Applicant: 合肥工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于柔性金属基板制备CdS纳米线阵列的方法，先利用电镀镉工艺以阴极电流密度0.5～1A/dm2对柔性金属基板表面电镀处理不少于2小时；将电镀处理后的1～4cm2大小试样在8～12MPa压延处理；然后将0.182～0.729克氨基硫脲与压延处理后的试样一起置于50ml高压反应釜中，加入乙二胺至反应釜容积的80～90％，密闭高压反应釜，加热至180～200℃保温10～18小时，即在柔性金属基板上得到CdS纳米线阵列。本方法可确保不会引入金属和金属硫化物杂质，纳米线阵列与金属基板结合良好，且能在任何柔性金属基板上制备CdS纳米线阵列。本发明产物在新型太阳能光伏产业具有巨大的应用价值。
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公开(公告)号：CN106299136A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201611006468.7
申请日：2016-11-16
Applicant: 合肥工业大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/4226 , H01L51/0003
Abstract: 本发明公开了一种室温溶解碘化铅制备掺杂钙钛矿薄膜电池的方法，电池结构从下至上依次为：1导电型衬底、2电子传输层、3掺杂钙钛矿吸收层、4空穴传输层、5顶电极。其中掺杂钙钛矿吸收层是首先将氯化铵和碘化铅按一定的摩尔比溶解在DMF溶剂中，室温下振荡2～3min，然后旋涂在基板上，再通过CVD反应沉积有机卤化物(MAI,FAI或MAI/FAI混合物)或溶液法旋涂有机卤化物。采用氯化铵辅助溶解碘化铅，制备钙钛矿薄膜电池，可以有效避免在旋涂过程中碘化铅难溶或容易析出结晶，以及在极性溶剂制备过程中的亚稳态，有利于薄膜的制备，钙钛矿形核生长，提高电池的转换效率。并且，可以在室温下制备大面积钙钛矿薄膜电池。
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公开(公告)号：CN104087296A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410323271.0
申请日：2014-07-08
Applicant: 合肥工业大学
IPC: C09K11/65
Abstract: 本发明公开了一种激光辐照制备荧光碳量子点的方法，其特征是：以苯、取代苯或多苯环化合物中的一种为碳源，通过波长在380nm以内的紫外光照射呈液态的碳源或照射由呈固态的碳源溶解于乙醇中所获得的碳源溶液1～120分钟，即得荧光碳量子点。本发明使用的碳源及其溶液单一，碳源选择多样化，制备过程采用的激光功率和辐照时间可控性好，室温下即可进行，所获得的碳量子点粒径在2～7nm，具有规则的石墨晶体结构，结果表明，该方法制备的碳量子点无需表面修饰，即表现出光致发光的荧光特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102610275B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201210077102.4
申请日：2012-03-22
Applicant: 合肥工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于硒化镉纳米线肖特基结型多字节非挥发性存储器及其制备方法，其中硒化镉纳米线肖特基结型多字节非挥发性存储器具有如下结构：在覆有二氧化硅层(2)的硅基底(1)表面分散有硒化镉纳米线(5)，在二氧化硅层(2)的表面设置有肖特基电极(3)和欧姆电极(4)，以所述硒化镉纳米线(5)为轴线所述肖特基电极(3)和欧姆电极(4)分别位于轴线的两侧，所述肖特基电极(3)与所述硒化镉纳米线(5)形成肖特基接触，所述欧姆电极(4)与所述硒化镉纳米线(5)形成欧姆接触。本发明工艺简单，存储性能稳定，读写速度较快，可实现纳米线的多字节存储能力，为存储器的小型化以及纳米材料在存储器中的应用奠定了基础。
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公开(公告)号：CN101792120B
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201010143683.8
申请日：2010-04-08
Applicant: 合肥工业大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明公开了一种基于环氧树脂拉膜分散纳米线的方法，其特征是首先将纳米线分散到四氢呋喃溶液中，再注入硅偶联剂，使纳米线与硅偶联剂的无机反应基团结合成化学键；向偶联剂处理液中注入环氧树脂，搅拌溶解后，再注入聚酰胺树脂，并再次搅拌使其溶解为纳米线悬浮液；将纳米线悬浮液经水浴使树脂固化并与偶联剂的有机反应基团结合成化学键；最后以模具提拉成膜，再树脂膜转移到硅片或玻璃片基体上，实现对纳米线的分散。本发明方法简单、成本低、易于实现。
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公开(公告)号：CN102610275A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210077102.4
申请日：2012-03-22
Applicant: 合肥工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于硒化镉纳米线肖特基结型多字节非挥发性存储器及其制备方法，其中硒化镉纳米线肖特基结型多字节非挥发性存储器具有如下结构：在覆有二氧化硅层(2)的硅基底(1)表面分散有硒化镉纳米线(5)，在二氧化硅层(2)的表面设置有肖特基电极(3)和欧姆电极(4)，以所述硒化镉纳米线(5)为轴线所述肖特基电极(3)和欧姆电极(4)分别位于轴线的两侧，所述肖特基电极(3)与所述硒化镉纳米线(5)形成肖特基接触，所述欧姆电极(4)与所述硒化镉纳米线(5)形成欧姆接触。本发明工艺简单，存储性能稳定，读写速度较快，可实现纳米线的多字节存储能力，为存储器的小型化以及纳米材料在存储器中的应用奠定了基础。
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公开(公告)号：CN104087296B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201410323271.0
申请日：2014-07-08
Applicant: 合肥工业大学
IPC: C09K11/65
Abstract: 本发明公开了一种激光辐照制备荧光碳量子点的方法，其特征是：以苯、取代苯或多苯环化合物中的一种为碳源，通过波长在380nm以内的紫外光照射呈液态的碳源或照射由呈固态的碳源溶解于乙醇中所获得的碳源溶液1～120分钟，即得荧光碳量子点。本发明使用的碳源及其溶液单一，碳源选择多样化，制备过程采用的激光功率和辐照时间可控性好，室温下即可进行，所获得的碳量子点粒径在2～7nm，具有规则的石墨晶体结构，结果表明，该方法制备的碳量子点无需表面修饰，即表现出光致发光的荧光特性。
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公开(公告)号：CN101532178B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200910116313.2
申请日：2009-03-09
Applicant: 合肥工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于柔性金属基板制备CdS纳米线阵列的方法，先利用电镀镉工艺以阴极电流密度0.5～1A/dm2对柔性金属基板表面电镀处理不少于2小时；将电镀处理后的1～4cm2大小试样在8～12MPa压延处理；然后将0.182～0.729克氨基硫脲与压延处理后的试样一起置于50ml高压反应釜中，加入乙二胺至反应釜容积的80～90％，密闭高压反应釜，加热至180～200℃保温10～18小时，即在柔性金属基板上得到CdS纳米线阵列。本方法可确保不会引入金属和金属硫化物杂质，纳米线阵列与金属基板结合良好，且能在任何柔性金属基板上制备CdS纳米线阵列。本发明产物在新型太阳能光伏产业具有巨大的应用价值。
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