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公开(公告)号：CN106319633A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610941184.0
申请日：2016-11-02
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
CPC classification number: C30B29/50 , C30B23/002
Abstract: 本发明公开了一种大尺寸高红外透过率CdS单晶生长方法。首先提纯CdS原料：将称取的原料放入安瓿瓶中，在安瓿瓶口装上蓝宝石生长衬底和导热棒，将生长区置于石英支撑管上，再一起装入石英保温外管中，然后整体放入提纯炉中进行提纯；生长CdS单晶：称取多晶料放入安瓿瓶中，称取Cd粒加入多晶料中；在安瓿瓶口放上CdS籽晶后，压上蓝宝石的导热棒抽至真空状态，放入单晶生长炉中进行单晶生长。该工艺简单，生长周期短，成本低廉。采用该方法生长的CdS单晶尺寸大，直径可达53mm，单晶透明性高，红外透过率好，不容易开裂，室温常压下可长时间保存，在2.5um-5um部分红外透过率可以高达71.5%。
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公开(公告)号：CN105926034A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610450846.4
申请日：2016-06-21
Applicant: 中国科学院理化技术研究所
CPC classification number: C30B23/007 , C30B29/48 , C30B29/50
Abstract: 本发明公开了一种CdS或CdSe单晶纳米线阵列的制备方法，包括如下步骤：将CdS或CdSe固体放入衬底上，然后将所述衬底置于管式炉的高温加热区；对放入衬底的管式炉抽真空并通入保护气体，然后将所述管式炉升温，并将所述管式炉内压强保持在10‑2000Pa，进行反应0.1‑2h，反应结束后使所述管式炉自然降温至室温。该制备方法造价低廉、可控性强、步骤简单；本发明制备的CdS单晶纳米线阵列和CdSe单晶纳米线阵列排列整齐、晶体取向一致、结晶度高、缺陷低，表现出优异的光电性质。在纳米光电子器件、太阳能电池、光催化和生物传感等方面具有非常重要的研究价值和应用前景。
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公开(公告)号：CN103668444B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201210359321.1
申请日：2012-09-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
Abstract: 本发明公开了一种CdS单晶生长方法及装置，该方法包括：将CdS单晶籽晶置于抛光片上，然后将该抛光片放置在支撑台上；将CdS粉料和低阻掺杂剂放入坩埚内，所述坩埚放置在位于所述支撑台上的反应管内，所述反应管的外侧设有外管；所述外管设在加热炉内，将所述反应管内抽真空，并向所述反应管内通入载气；将生长区温度升至950-1015度，源区温度升至1000-1055度，进行CdS单晶生长，生长结束后，将炉内温度降至室温，取出生长后的CdS单晶；该装置包括：抛光片、支撑台、坩埚、反应管、外管和加热炉。本发明通过调控生长区和源区的温度，从而控制CdS单晶生长速度，近而使CdS单晶产生较小的应力，获得质量较高的大尺寸CdS单晶。
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公开(公告)号：CN104962997A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201510414445.9
申请日：2015-07-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于获得低阻CdS晶片的退火工艺，工艺为一、加工退火装置，把一石英坩埚从侧面斜向约45°切出数条宽度1~1.5mm的卡槽；二、将生长出的CdS晶锭切成1mm厚的CdS晶片；三、在石英坩埚的底部加入0.3~0.5gCd单质，同时加入4~6gCdS粒，将CdS晶片放在卡槽中，将整体装置放置在石英外管内并在1×10-4Pa以上的真空度下烧结密封；四、将整个装置放置在垂直5温区炉的中部进行退火,退火时各温区保持在900~950℃的某一温度恒温，退火时间5天；五、退火完毕后，以2℃/min的速率缓慢降温至室温，取出装置即可得到低阻的CdS晶片，有益效果是可以较快有效的从高阻的CdS晶体得到低阻的CdS晶片，同时保证了退火过程中晶片的稳定，解决了阻碍CdS晶片器件应用的关键问题。
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公开(公告)号：CN101532178A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200910116313.2
申请日：2009-03-09
Applicant: 合肥工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于柔性金属基板制备CdS纳米线阵列的方法，先利用电镀镉工艺以阴极电流密度0.5～1A/dm2对柔性金属基板表面电镀处理不少于2小时；将电镀处理后的1～4cm2大小试样在8～12MPa压延处理；然后将0.182～0.729克氨基硫脲与压延处理后的试样一起置于50ml高压反应釜中，加入乙二胺至反应釜容积的80～90％，密闭高压反应釜，加热至180～200℃保温10～18小时，即在柔性金属基板上得到CdS纳米线阵列。本方法可确保不会引入金属和金属硫化物杂质，纳米线阵列与金属基板结合良好，且能在任何柔性金属基板上制备CdS纳米线阵列。本发明产物在新型太阳能光伏产业具有巨大的应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119530946A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411636266.5
申请日：2024-11-15
Applicant: 兰州理工大学
IPC: C30B7/10 , C03C17/22 , C02F1/30 , B01J27/04 , B01J35/39 , B01J37/10 , B01J37/20 , B82Y40/00 , C30B29/50 , C02F101/34 , C02F101/30
Abstract: 本发明属于光催化技术领域，具体涉及一种CdS薄膜材料及其制备方法和应用，包括以下步骤：将含镉前驱体溶液在基底上产生吸附，去除杂质得到含镉基底；将所述含镉基底置于含硫前驱体溶液中，发生沉淀反应，去除杂质得到表面含有CdS晶种的基底；将所述含镉前驱体溶液和含硫前驱体溶液混合，之后加入所述含有CdS晶种的基底进行水热反应，经后处理得到CdS薄膜材料，本发明制备的CdS压电‑光电催化纳米材料，可增加CdS表面的电子与空穴数目，使其光催化降解效率得到明显提高，在同一CdS薄膜上同时实现两种功能即光伏和压电性能，从而可以将半导体的压电与光电效应融合在一起，实现压电和光伏领域的学科融合应用。
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公开(公告)号：CN114100784A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111457401.6
申请日：2021-12-02
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于PVT法生长CdS单晶的原料处理方法，是采用德国FRITSCH Pulverisette5四星式球磨机的高能球磨法，将原料置于装有磨球的球磨罐中，利用球磨机的高速转动，使研磨球对原料进行强烈的撞击、研磨和搅拌，把粉末粉碎为微米级颗粒的方法，可获得均匀细小的CdS粉末。采用此微分进行后续的PVT法晶体生长，有效降低了微管及位错等缺陷密度。
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公开(公告)号：CN104213197B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201410492738.4
申请日：2014-09-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于PVT法制备半导体单晶材料的原位掺杂方法，步骤如下：1）采用两温区PVT晶体生长炉，将原料、掺杂物进行工艺处理后混合一起放入原料区、衬底放入衬底位置；2）调置PVT晶体生长炉一温区、二温区温度，其温度范围根据原材料物理性能特点决定；3）待生长工艺结束后取出生长管，即可得到掺杂元素的单晶。有益效果是利于掺杂元素的均匀分布，使单晶材料实现均一的电学性能；减少了晶体结构损失，从而有效改善晶体质量；简化了单晶材料制备工艺，有利于单晶材料的规模化生产。
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公开(公告)号：CN104313686B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410599785.9
申请日：2014-10-31
Applicant: 峨嵋半导体材料研究所
Abstract: 本发明公开了一种硫化镉气相合成方法，包括如下步骤：第一步，将纯度≥6N的硫和镉按照1.1-1.3:1的摩尔比分别放入位于反应室左、右侧的硫蒸发室和镉蒸发室内；第二步，往反应室内先通氩气1-1.5小时，氩气的流量为500-600ml/min，去除反应室内的空气干扰；第三步，持续通氩气的同时对反应室进行反应升温,通过载流气体氩气运输镉和硫两种气流进入到合成室，进行反应；对反应室进行反应升温时，先升温位于反应室中部的合成室温度，再升温镉蒸发室和硫蒸发室的温度，并保持该氩气流量；恒定镉蒸发室和硫蒸发室的温度，并恒温6-8h；待反应系统降低到室温时取出合成产物-硫化镉。气相合成过程中不会掺杂杂质，故合成出来的硫化镉多晶具有很高的纯度。
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公开(公告)号：CN105463580A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201610008705.7
申请日：2016-01-07
Applicant: 中国科学院理化技术研究所
Abstract: 本发明公开一种硒化镉或硫化镉二维单晶纳米片的制备方法。该方法采用范德华外延生长技术制备CdSe或CdS二维单晶纳米片，此方法的特征是采用表面光滑且无化学悬键的云母片为衬底，以CdCl2粉末、Se粉或S粉为源材料，氩气为载气，在高温条件下CdCl2蒸气与Se或S蒸气反应形成CdSe或CdS蒸气，然后沉积到云母片上形核并外延生长成为CdSe或CdS二维单晶纳米片。该法操作简单、成本较低、可控性强，获得的CdSe或CdS具有尺寸均匀性好、结晶度高等优点，在太阳能电池、场效应晶体管、光电探测器、光催化等领域具有重要的研究价值和广泛的应用前景。
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