一种GaAs基近红外波段含Sb多层量子点与非对称量子阱耦合激光器结构

    公开(公告)号:CN104037618A

    公开(公告)日:2014-09-10

    申请号:CN201410172871.1

    申请日:2014-04-22

    Abstract: 本发明是一种GaAs基近红外波段含Sb多层量子点与非对称量子阱耦合激光器结构,即采用生长的多层InGaSb量子点与能带非对称量子阱耦合结构,来提高激光器材料、器件的性能。这种创意会在很大程度上增大量子点的体密度,增加对载流子的俘获能力,对量子点分布的均匀性也有所改善,增加量子点的尺寸和引入Sb基量子点,能够使发光谱峰向通讯波段的长波长移动,波长可以覆盖1.5μm,从而达到拓展波长、提高激光器特征温度和降低阈值电流等目的。这一结构再加之GaAs基工艺的成熟性,易于与现有光电子器件集成等特点,GaAs基长波长含Sb量子点激光器将具有十分广阔的应用前景,对实现性能优异的中红外半导体激光器将具有重要意义。

Patent Agency Ranking