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公开(公告)号：CN101562208B
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN200910067032.2
申请日：2009-06-02
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/036 , H01L31/0224 , H01L31/18 , C23C14/34
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明属于半导体光电探测器件领域，具体涉及一种以石英为衬底，以纳米TiO2薄膜为基本紫外光探测材料，以Ni为金属电极的背入射式紫外光探测器及其制备方法。该探测器以石英为衬底，采用M-S-M(金属-半导体-金属)结构。该紫外光探测器的制作方法是：采用溶胶-凝胶技术，在石英衬底上生长一层TiO2纳米薄膜，然后再在制备好的TiO2薄膜上通过磁控溅射的方法蒸发一层薄Ni实现电极接触，采用光刻技术得到Ni插指状电极。本发明制备的MSM平面双肖特基势垒结构紫外光探测器，采用背入射方式工作，可大幅提高器件的响应度。器件对波长250nm～350nm的紫外线具有良好的检测性能。
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公开(公告)号：CN101666907B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200910067600.9
申请日：2009-09-29
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明提供了一种基于SOI光波导和F-P腔的静电梳状电极驱动的可调谐光滤波器及其制备方法。利用梳状电极带动两个对称的DBR移动，通过调整F-P腔的等效腔长实现可调谐滤波功能。该结构的可调谐滤波器具有调谐范围宽、调谐精度高、调谐速度快、结构紧凑新颖、便于和其它光学、电学元件集成的优点。采用两个DBR同时移动的对称调谐方式，可以增加波长调谐范围。充分利用(110)硅片的结晶学特征，通过感应耦合等离子体刻蚀工艺和各向异性湿法腐蚀工艺相结合的方法，制作DBR和F-P腔，DBR和F-P的表面为硅晶体的{111}面，使DBR镜面垂直且表面光滑，增加DBR的反射率，提高滤波器的性能。
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公开(公告)号：CN101915998B
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201010234943.2
申请日：2010-07-23
Applicant: 吉林大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明属于光电子器件领域，具体涉及一种基于SOI光波导的反射型热光可变光衰减器及其制备方法。该器件是在SOI衬底的顶层硅一侧制作，为一体脊型结构，沿着输入光的方向顺次是输入单模波导1、第一单模渐变波导2、多模波导3、第二单模渐变波导4、输出单模波导5；在各段波导的上表面制备有一层二氧化硅上包层204，在二氧化硅上包层的上面制备有用于热光调制的平行四边形金属电极205。本发明所述基于SOI光波导的反射型热光可变光衰减器采用光刻、感应耦合等离子体(ICP)刻蚀、生长金属膜和金属膜的腐蚀等工艺制作。该可变光衰减器可以在0～30dB范围内，实现对光信号的连续可变衰减。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101562208A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200910067032.2
申请日：2009-06-02
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/036 , H01L31/0224 , H01L31/18 , C23C14/34
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明属于半导体光电探测器件领域，具体涉及一种以石英为衬底，以纳米TiO2薄膜为基本紫外光探测材料，以Ni为金属电极的背入射式紫外光探测器及其制备方法。该探测器以石英为衬底，采用M－S－M(金属－半导体－金属)结构。该紫外光探测器的制作方法是：采用溶胶－凝胶技术，在石英衬底上生长一层TiO2纳米薄膜，然后再在制备好的TiO2薄膜上通过磁控溅射的方法蒸发一层薄Ni实现电极接触，采用光刻技术得到Ni插指状电极。本发明制备的MSM平面双肖特基势垒结构紫外光探测器，采用背入射方式工作，可大幅提高器件的响应度。器件对波长250nm～350nm的紫外线具有良好的检测性能。
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公开(公告)号：CN101364656B
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN200810051199.5
申请日：2008-09-23
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于微波光子器件领域，涉及一种基于SOI光波导的单片集成的微波光子移相器及其制备方法。微波光子移相器由三个Y分支组成的级联波导分路器、四根波导延时线组成的固定延时单元、在波导延时线上的四个可变液晶光衰减单元和三个Y分支组成的级联波导合路器构成；级联波导分路器、固定延时单元和级联波导合路器是由制作在SOI衬底上的脊型光波导构成，由上到下依次为顶层硅、埋层二氧化硅、硅衬底。根据需要移相的微波信号的频率的不同，通过设计固定延时线的长度，可以对2GHz～20GHz的微波信号实现0～360°的连续相移。本专利所述器件具有集成度高、结构紧凑、尺寸小等特点。
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公开(公告)号：CN101915998A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010234943.2
申请日：2010-07-23
Applicant: 吉林大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明属于光电子器件领域，具体涉及一种基于SOI光波导的反射型热光可变光衰减器及其制备方法。该器件是在SOI衬底的顶层硅一侧制作，为一体脊型结构，沿着输入光的方向顺次是输入单模波导1、第一单模渐变波导2、多模波导3、第二单模渐变波导4、输出单模波导5；在各段波导的上表面制备有一层二氧化硅上包层204，在二氧化硅上包层的上面制备有用于热光调制的平行四边形金属电极205。本发明所述基于SOI光波导的反射型热光可变光衰减器采用光刻、感应耦合等离子体(ICP)刻蚀、生长金属膜和金属膜的腐蚀等工艺制作。该可变光衰减器可以在0～30dB范围内，实现对光信号的连续可变衰减。
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公开(公告)号：CN101364656A
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200810051199.5
申请日：2008-09-23
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于微波光子器件领域，涉及一种基于SOI光波导的单片集成的微波光子移相器及其制备方法。微波光子移相器由三个Y分支组成的级联波导分路器、四根波导延时线组成的固定延时单元、在波导延时线上的四个可变液晶光衰减单元和三个Y分支组成的级联波导合路器构成；级联波导分路器、固定延时单元和级联波导合路器是由制作在SOI衬底上的脊型光波导构成，由上到下依次为顶层硅、埋层二氧化硅、硅衬底。根据需要移相的微波信号的频率的不同，通过设计固定延时线的长度，可以对2GHz～20GHz的微波信号实现0～360°的连续相移。本技术所述器件具有集成度高、结构紧凑、尺寸小等特点。
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公开(公告)号：CN101666907A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200910067600.9
申请日：2009-09-29
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明提供了一种基于SOI光波导和F-P腔的静电梳状电极驱动的可调谐光滤波器及其制备方法。利用梳状电极带动两个对称的DBR移动，通过调整F-P腔的等效腔长实现可调谐滤波功能。该结构的可调谐滤波器具有调谐范围宽、调谐精度高、调谐速度快、结构紧凑新颖、便于和其它光学、电学元件集成的优点。采用两个DBR同时移动的对称调谐方式，可以增加波长调谐范围。充分利用(110)硅片的结晶学特征，通过感应耦合等离子体刻蚀工艺和各向异性湿法腐蚀工艺相结合的方法，制作DBR和F-P腔，DBR和F-P的表面为硅晶体的{111}面，使DBR镜面垂直且表面光滑，增加DBR的反射率，提高滤波器的性能。
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