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公开(公告)号：CN109731265B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201910060780.1
申请日：2019-01-22
Applicant: 吉林建筑大学
Abstract: 本发明公开一种基于气敏传感器的消防用防火喷淋装置，包括：底座，其顶面中心设置有矩形凹槽，所述凹槽一侧壁上设置有齿条；通槽，其为矩形，且设置在所述凹槽底面中心并贯穿所述底座底面；齿轮，其设置在所述凹槽内且与所述齿条啮合，所述齿轮能够沿所述凹槽轴向运动；第一连接臂，其一端通过第一旋转盘可旋转设置在所述齿轮底面中心；第二连接臂，其一端通过第二旋转盘可旋转设置在所述第一连接臂另一端；喷头，其为圆柱形，其顶面通过第三旋转盘可旋转设置在所述第二连接臂另一端，所述喷头底面和周向侧面均匀设置有喷水孔。本发明还提供一种基于气敏传感器的消防用防火喷淋装置的控制方法，实现高效灭火。
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公开(公告)号：CN110379716A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910670628.5
申请日：2019-07-24
Applicant: 吉林建筑大学
Abstract: 本发明公开一种蛋白质基底上氧化锌基薄膜晶体管制备方法，包括步骤：1：配置得到蛋白质溶液；步骤2：将蛋白质溶液滴于平整的聚对苯二甲酸乙二酯塑料板上，待溶剂挥发后，干燥脱板获得可降解的圆形蛋白质基底薄膜；步骤3：在所述蛋白质基底薄膜上覆盖第一掩模板，蒸镀铝薄膜，形成栅电极；步骤4：在所述栅电极上覆盖第二掩模板，溅射沉积HfO2绝缘层薄膜；其中，靶溅射功率为140～160W，温度为85～95℃，压力7.5～8.5mtorr，Ar/O2为8.5:1～9.5:1，沉积时间为1.5～2.5h，HfO2绝缘层薄膜厚度为190～210nm；步骤5：在所述绝缘层薄膜上覆盖第三掩模板，溅射沉积锡掺杂氧化锌有源层薄膜；步骤6：在所述有源层薄膜上覆盖第四掩膜板，蒸镀源极和漏极后，获得可降解薄膜晶体管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109994559B
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201910249023.9
申请日：2019-03-29
Applicant: 吉林建筑大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/18 , H01L31/20 , H01L21/363
Abstract: 本发明公开了一种半导体氧化膜，所述氧化物半导体膜由纳米晶氧化物或非晶氧化物构成，其中所述氧化物半导体膜中以氧化物的形式含有铟、钨、锌和镓；并且，还含有氢；所述氧化物半导体膜中各金属元素相对于全部金属元素的合计(In+Ga+Zn+W)的比例为In：20～50原子％、Ga：8～25原子％、Zn：20～50原子％和W：10～30原子％。本发明提供了一种半导体氧化膜，其具有优异的阈值电压和场效应迁移率。本发明还提供了一种半导体氧化膜的制备方法，其能够制备出具有良好场效应迁移率的半导体氧化膜。本发明还通过对制备工艺中热处理的温度控制，来提高制备出的半导体氧化膜的迁移率性能。
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公开(公告)号：CN113808952A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110932262.1
申请日：2021-08-13
Applicant: 吉林建筑大学
IPC: H01L21/34 , H01L29/786 , C23C14/04 , C23C14/08 , C23C14/10 , C23C14/14 , C23C14/30 , C23C14/35 , C23C14/58
Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管及其制备方法。一种薄膜晶体管的制备方法，包括：提供衬底，所述衬底包括层叠的硅层和介电层；在所述介电层上放置第一掩模板，所述第一掩模板具有镂空的图案；然后沉积有源材料，使其至少填充所述第一掩模板中的镂空区域，从而形成有图形的有源层，再移除所述第一掩模板；之后在所述有源层上形成电极阵列，得到薄膜晶体管。本发明利用掩膜板制作有源层，省去了沉积光刻胶、光刻胶图形化、有源材料腐蚀等步骤，从而避免了有源层的污染、磨损等问题，提高了器件良率。
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公开(公告)号：CN110379716B
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN201910670628.5
申请日：2019-07-24
Applicant: 吉林建筑大学
Abstract: 本发明公开一种蛋白质基底上氧化锌基薄膜晶体管制备方法，包括步骤：1：配置得到蛋白质溶液；步骤2：将蛋白质溶液滴于平整的聚对苯二甲酸乙二酯塑料板上，待溶剂挥发后，干燥脱板获得可降解的圆形蛋白质基底薄膜；步骤3：在所述蛋白质基底薄膜上覆盖第一掩膜板，蒸镀铝薄膜，形成栅电极；步骤4：在所述栅电极上覆盖第二掩膜板，溅射沉积HfO2绝缘层薄膜；其中，靶溅射功率为140～160W，温度为85～95℃，压力7.5～8.5mtorr，Ar/O2为8.5:1～9.5:1，沉积时间为1.5～2.5h，HfO2绝缘层薄膜厚度为190～210nm；步骤5：在所述绝缘层薄膜上覆盖第三掩膜板，溅射沉积锡掺杂氧化锌有源层薄膜；步骤6：在所述有源层薄膜上覆盖第四掩膜板，蒸镀源极和漏极后，获得可降解薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN109731265A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201910060780.1
申请日：2019-01-22
Applicant: 吉林建筑大学
Abstract: 本发明公开一种基于气敏传感器的消防用防火喷淋装置，包括：底座，其顶面中心设置有矩形凹槽，所述凹槽一侧壁上设置有齿条；通槽，其为矩形，且设置在所述凹槽底面中心并贯穿所述底座底面；齿轮，其设置在所述凹槽内且与所述齿条啮合，所述齿轮能够沿所述凹槽轴向运动；第一连接臂，其一端通过第一旋转盘可旋转设置在所述齿轮底面中心；第二连接臂，其一端通过第二旋转盘可旋转设置在所述第一连接臂另一端；喷头，其为圆柱形，其顶面通过第三旋转盘可旋转设置在所述第二连接臂另一端，所述喷头底面和周向侧面均匀设置有喷水孔。本发明还提供一种基于气敏传感器的消防用防火喷淋装置的控制方法，实现高效灭火。
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公开(公告)号：CN109994559A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201910249023.9
申请日：2019-03-29
Applicant: 吉林建筑大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/18 , H01L31/20 , H01L21/363
Abstract: 本发明公开了一种半导体氧化膜，所述氧化物半导体膜由纳米晶氧化物或非晶氧化物构成，其中所述氧化物半导体膜中以氧化物的形式含有铟、钨、锌和镓；并且，还含有氢；所述氧化物半导体膜中各金属元素相对于全部金属元素的合计(In+Ga+Zn+W)的比例为In：20～50原子％、Ga：8～25原子％、Zn：20～50原子％和W：10～30原子％。本发明提供了一种半导体氧化膜，其具有优异的阈值电压和场效应迁移率。本发明还提供了一种半导体氧化膜的制备方法，其能够制备出具有良好场效应迁移率的半导体氧化膜。本发明还通过对制备工艺中热处理的温度控制，来提高制备出的半导体氧化膜的迁移率性能。
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