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公开(公告)号：CN110391306A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201810369121.1
申请日：2018-04-23
Applicant: 君泰创新(北京)科技有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0747 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池及制备方法，用以提高透过率，提升太阳能电池的转换效率。所述太阳能电池，包括：核心层，所述核心层包括：单晶硅片层、钝化层和发射极层；至少一个复合透明导电薄膜层，形成于所述核心层的表面，包括：第一透明导电薄膜层，采用掺氢的透明导电氧化物材料；第二透明导电薄膜层，采用不掺氢的透明导电氧化物材料；栅线，形成于所述复合透明导电薄膜层的表面。
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公开(公告)号：CN111446149A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201811636224.6
申请日：2018-12-29
Applicant: 君泰创新(北京)科技有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L31/0216 , H01L31/18 , C23C14/08 , C23C14/54
Abstract: 本发明提供一种透明导电氧化物薄膜的制备方法，包括：按照第一预设条件按第一预设时间进行沉积，获得第一层子TCO薄膜的步骤，所述第一预设条件包括第一氧氩比；按照第二预设条件在所述第一层子TCO薄膜上按第二预设时间进行沉积，获得第二层子TCO薄膜的步骤，所述第二预设条件包括第二氧氩比，所述第二氧氩比大于所述第一氧氩比。由于沉积第二层子TCO薄膜时的氧氩比大于沉积第一层子TCO薄膜时的氧氩比，从而使使得由第一层和第二层子TCO薄膜构成的TCO薄膜能够兼顾较好的光学性能和电学性能，进而能够提高使用这种TCO薄膜的太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN110970523A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201811138029.0
申请日：2018-09-28
Applicant: 君泰创新(北京)科技有限公司
IPC: H01L31/072 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种硅基异质结太阳能电池及制造方法，所述硅基异质结太阳能电池包括N型单晶硅片，所述N型单晶硅片具有相背设置的第一表面和第二表面，在所述第一表面上由内至外依次设置有第一本征钝化层、N型背场层、第一透明导电层和第一电极，在所述第二表面上由内至外依次设置有第二本征钝化层、P型发射极层、第二透明导电层和第二电极；其中，在所述第一透明导电层和所述N型背场层之间还设置有透明导电膜缓冲层。这样，可以使所述第一透明导电层与所述N型非晶或微晶硅层之间的接触电阻较低。
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公开(公告)号：CN110797428A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201810873405.4
申请日：2018-08-02
Applicant: 君泰创新(北京)科技有限公司
IPC: H01L31/0747 , H01L31/0224
Abstract: 本申请提供一种异质结太阳能电池，包括：芯片中间体，其包括第一掺杂层；第一透明导电层，形成于所述第一掺杂层上；第一金属导电层，形成于所述第一透明导电层上；第二透明导电层，设置于所述第一金属导电层上，以使所述第一金属导电层完全被所述第一透明导电层和所述第二透明导电层包覆；第二金属导电层，形成于所述第二透明导电层上。本发明的异质结太阳能电池结构可以使透明导电层在光学透过率很高的时候，收集载流子的能力依然不受影响。根据进一步，这种结构还可以采用AZO、BZO等廉价的材料取代ITO作为透明电极，同时保持电池的性能不受影响。
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公开(公告)号：CN108103466A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711401571.6
申请日：2017-12-21
Applicant: 君泰创新(北京)科技有限公司
CPC classification number: C23C14/08 , C23C14/35 , C23C14/5833
Abstract: 本发明公开了一种高迁移率透明导电氧化物薄膜的制备方法，包括：根据第一预定功率和第一预定压力，设置靶功率密度以及工艺气压；在衬底上以预定生长速度生长出第一预定膜厚的薄膜基础层；使工艺气体的等离子体，按预定时间轰击所述薄膜基础层，诱导所述薄膜基础层再结晶，使所述薄膜基础层沿指定晶面生长出籽晶层；将靶功率密度降低至第二预定功率，并根据第二预定压力设置工艺气压，以诱导所述籽晶层沿指定晶面生长为第二预定膜厚的透明导电氧化物薄膜；获得高迁移率透明导电氧化物薄膜。本发明在改善TCO薄膜的综合性能的同时，可以有效降低能耗，节约成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107557745A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201711052190.1
申请日：2017-10-31
Applicant: 君泰创新(北京)科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种非晶透明导电氧化物薄膜的制备方法，包括在室温下进行磁控溅射，还包括：在制备过程中，按预定功率设置靶功率密度，并保持靶功率密度不变；调节磁场强度以及靶电压，以获得能量大于等于100eV的高能等离子体粒子；并使高能等离子体粒子轰击靶材表面，获得溅射原子；按照预定沉积速度，使溅射原子在基底上沉积，以获得非晶透明导电氧化物薄膜；对非晶透明导电氧化物薄膜进行低温退火处理。本发明大幅减少晶界散射、电离杂质散射和载流子散射，消除了通过现有技术获得的微晶透明导电氧化物薄膜中上述散射对载流子迁移的影响，进而实现了在较少能源消耗的前提下，有效提高TCO薄膜的载流子迁移率的目的。
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公开(公告)号：CN109037383A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810820193.3
申请日：2018-07-24
Applicant: 君泰创新(北京)科技有限公司
Inventor： 崔鸽
IPC: H01L31/072 , H01L31/18 , C23C16/40 , C23C16/455
CPC classification number: H01L31/072 , C23C16/40 , C23C16/455 , H01L31/1876
Abstract: 本发明公开了一种HJT太阳能电池及其制作方法和光伏组件，在沉积所述第一TCO薄膜至所述第nTCO薄膜过程中，通入的氩气的流量保持不变，且通入的氧气的流量呈减小趋势，由于氧气的减少使TCO薄膜载流子浓度减小的原理，进而使得第iTCO薄膜的载流子浓度小于第i+1TCO薄膜的载流子浓度，避免了背面TCO薄膜层整体的载流子浓度过大的情况，并且能够使载流子浓度高且导电良好的第nTCO薄膜与背面电极接触，保证了沉积的背面TCO薄膜层在具有高功函数的同时，具有良好的导电性和光学性能，提高了HJT太阳能电池的性能。
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公开(公告)号：CN108048796A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201711341683.7
申请日：2017-12-14
Applicant: 君泰创新(北京)科技有限公司
CPC classification number: C23C14/086 , C23C14/35
Abstract: 本发明公开了一种ITO薄膜的制备方法，其包括向工艺腔室中通入水汽、氩气和氧气；通过磁控溅射工艺形成ITO薄膜。本发明提供的ITO薄膜的制备方法，通过在ITO薄膜制备过程中引入水汽，提高了ITO薄膜有效透过率、迁移率等电学性能和光学性能，同时增加了使用该ITO薄膜的异质结太阳能电池的短路电流，提升了电池的光电转化效率。
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公开(公告)号：CN109119365A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201811010346.4
申请日：2018-08-31
Applicant: 君泰创新(北京)科技有限公司
Inventor： 崔鸽
Abstract: 本申请实施例涉及一种掩膜装置及太阳能电池的制备方法。所述掩膜装置包括第一掩膜片、第二掩膜片和开合结构。所述第一掩膜片具有至少一个第一掩膜图形。所述第二掩膜片具有至少一个第二掩膜图形。每一个第一掩膜图形和每一个第二掩膜图形的形状相同。所述开合结构分别与所述第一掩膜片和所述第二掩膜片活动连接。当所述第一掩膜片和所述第二掩膜片闭合时，所述至少一个第一掩膜图形和所述至少一个第二掩膜图形重合。所述掩膜装置可以在掩膜过程中避免采用人工检测及误差校对，可以对大面积的太阳能电池实现双面掩膜，简单、方便的制备出均匀的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN108231928A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711395346.6
申请日：2017-12-21
Applicant: 君泰创新(北京)科技有限公司
IPC: H01L31/0445 , H01L31/0224 , C23C14/35 , C23C14/08
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/0445 , C23C14/08 , C23C14/35 , H01L31/022466
Abstract: 一种多层透明导电薄膜及其制备方法，所述多层透明导电薄膜包括至少两层叠加的透明导电薄膜，至少两层透明导电薄膜均为ITO薄膜，所述第一层ITO薄膜的锡的掺量为10‑15重量％，所述第二层ITO薄膜的锡的掺量≥5重量％且＜10重量％；所述制备方法包括：在真空条件下连续制备多层ITO薄膜，并且在一层ITO薄膜与另一层ITO薄膜的过渡过程中，维持真空状态。本申请还提供了一种包括上述多层透明导电薄膜的HJT异质结电池。本申请的多层透明导电薄膜的光电性能较好，与p、n型非晶硅层的功函数匹配；HJT电池的各项性能指标都得到了提升。
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