一种太阳能电池的制备方法

    公开(公告)号:CN107994097A

    公开(公告)日:2018-05-04

    申请号:CN201711079733.9

    申请日:2017-11-06

    Abstract: 本发明公开了太阳能电池的制备方法,包括:清洗硅片;将清洗后的硅片在恒温恒湿条件下,放置预设时间,使硅片表面形成氧化层;将放置后的硅片进行镀膜。本发明提供的太阳能电池的制备方法,把清洗后的硅片置于恒温恒湿条件下预设时间,使得硅片表面会自然氧化,即硅片表面的硅原子与空气中的氧原子结合,发生化学反应,形成氧化层,再取出硅片进行正常的镀膜流程;该氧化层既提高了硅片表面钝化效果,又不影响电导率,有利于后续镀膜制备高质量的本征层,从而利于提升硅片的少子寿命。

    太阳能电池片及其制备方法、太阳能电池串以及光伏组件

    公开(公告)号:CN107863404A

    公开(公告)日:2018-03-30

    申请号:CN201711268793.5

    申请日:2017-12-05

    Inventor: 郁操 杨苗 徐希翔

    Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池片及其制备方法、太阳能电池串以及光伏组件,其中前者从上至下依次包括第一电极、第一透明导电层、第一导电型的第一掺杂层、第一钝化层、单晶硅片、第二钝化层、第二导电型的第二掺杂层、第二透明导电层和第二电极;第一掺杂层和第二掺杂层pn结合;还包括导电连接件,导电连接件的一端与第一电极电连接,导电连接件的另一端延伸至第二透明导电层靠近第二电极的一侧。通过导电连接件将第一电极引导至与第二电极同面,使用导电连接线将相邻太阳能电池片的相异电极互联,导电连接线仅设置在太阳能电池的一面,增加了受光面积,提升了转换效率,降低了成本。

    超薄柔性硅太阳电池制备方法

    公开(公告)号:CN111916510A

    公开(公告)日:2020-11-10

    申请号:CN201910557480.4

    申请日:2019-06-25

    Abstract: 本申请涉及一种超薄柔性硅太阳电池制备方法,包括,提供硅片;将提供所述硅片浸入化学溶液中进行表面抛光,形成抛光硅片;提供所述抛光硅片浸入碱液和掩膜颗粒的悬浮液中,进行化学制绒,通过本发明实施例提供的技术方案能够制备厚度更均匀的超薄柔性硅太阳电池片,并在硅片上形成的金字塔颗粒的尺寸大小降低到0.1~2μm,这样有利于超薄柔性太阳电池片的光吸收,同时降低的电池片的厚度,能够实现柔性和弯曲。

    硅片减薄的处理方法
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111916339A

    公开(公告)日:2020-11-10

    申请号:CN201910557481.9

    申请日:2019-06-25

    Abstract: 本申请涉及一种硅片减薄的处理方法,包括,提供硅片;将所述硅片浸入各向异性的化学溶液中进行腐蚀减薄,减薄至厚度在90μm以内,通过控制硅片的腐蚀减薄,消除了硅片缺陷损伤层,提升了硅片减薄的均匀性,这样有利于超薄HIT太阳电池片的光吸收,同时降低了金字塔的高度与硅片厚度的比例,有效提升了柔性超薄硅片的韧性,减少了超薄硅片的碎片率。

    一种太阳能电池的制备方法

    公开(公告)号:CN107994097B

    公开(公告)日:2020-01-21

    申请号:CN201711079733.9

    申请日:2017-11-06

    Abstract: 本发明公开了太阳能电池的制备方法,包括:清洗硅片;将清洗后的硅片在恒温恒湿条件下,放置预设时间,使硅片表面形成氧化层;将放置后的硅片进行镀膜。本发明提供的太阳能电池的制备方法,把清洗后的硅片置于恒温恒湿条件下预设时间,使得硅片表面会自然氧化,即硅片表面的硅原子与空气中的氧原子结合,发生化学反应,形成氧化层,再取出硅片进行正常的镀膜流程;该氧化层既提高了硅片表面钝化效果,又不影响电导率,有利于后续镀膜制备高质量的本征层,从而利于提升硅片的少子寿命。

    异质结太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN108110079A

    公开(公告)日:2018-06-01

    申请号:CN201711241070.6

    申请日:2017-11-30

    Inventor: 杨苗 郁操 徐希翔

    CPC classification number: H01L31/02168 H01L31/0504 H01L31/0747 Y02E10/50

    Abstract: 本发明公开了一种异质结太阳能电池及其制备方法,其中该电池包括晶硅基底,晶硅基底的正面设置有第一本征非晶硅层;第一本征非晶硅层上设置有第一N型非晶硅层和第一P型非晶硅层;第一N型非晶硅层上设置有第一负电极,第一P型非晶硅层上设置有第一正电极;晶硅基底的反面设置有第二本征非晶硅层;第二本征非晶硅层上设置有第二N型非晶硅层和第二P型非晶硅层;第二N型非晶硅层上设置有第二负电极,第二P型非晶硅层上设置有第二正电极。本发明提供的异质结太阳能电池,通过在一个晶硅基底的正反面均设置正极和负极,使相邻两个电池芯片总成通过较小的焊带即可实现串联,减小了串联电阻,提升了光电转化效率。

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