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公开(公告)号：CN113678269B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202080027292.1
申请日：2020-04-07
Applicant: 周星工程股份有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0445 , H01L21/306 , H01L21/56 , H01L21/78 , H01L21/76
Abstract: 本发明关于制造太阳能电池的方法，太阳能电池中形成有分割部，分割部用以将用于制造太阳能电池的基板分割成多个区块，此方法包含：准备基板的工艺、第一基板蚀刻工艺、第二基板蚀刻工艺以及第三基板蚀刻工艺。第一基板蚀刻工艺是在基板的一表面形成第一凹槽。第二基板蚀刻工艺是在第一凹槽中形成第二凹槽。第三基板蚀刻工艺是蚀刻包含第二凹槽的基板。分割部可包含第一凹槽及第二凹槽。本发明关于由此方法制造的太阳能电池及用于太阳能电池的基板。
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公开(公告)号：CN108431969A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201780001638.9
申请日：2017-08-21
Applicant: 周星工程股份有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L31/0224 , H01L31/0445 , H01L31/0747
CPC classification number: H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/04 , H01L31/0445 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池的制造方法，该方法包括：在半导体晶片的上表面上形成第一半导体层并且在半导体晶片的下表面上形成极性与第一半导体层的极性不同的第二半导体层的工序；在第一半导体层的上表面上形成第一透明导电层而使第一半导体层的一部分暴露于外部并且在第二半导体层的下表面上形成第二透明导电层而使第二半导体层的一部分暴露于外部的工序；以及第一透明导电层和第二透明导电层中的至少一者上的等离子处理工序，其中，等离子处理工序包括除去第一半导体层的暴露于外部的部分和第二半导体层的暴露于外部的部分的工序。
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公开(公告)号：CN101140859B
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200710153803.0
申请日：2007-09-10
Applicant: 周星工程股份有限公司
Abstract: 本发明揭示一种蚀刻设备，所述蚀刻设备包含：腔室；衬底支撑件，其在所述腔室中；衬底屏蔽单元，其在所述衬底支撑件上方，其中所述衬底屏蔽单元的直径小于或等于衬底；气体注射构件，其将气体注射到所述衬底的周界上；电源单元，其将RF(射频)功率提供到所述腔室中；以及多个传感器，其感测所述衬底支撑件与所述衬底屏蔽单元之间的间隔。
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公开(公告)号：CN119170677A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411150608.2
申请日：2020-04-07
Applicant: 周星工程股份有限公司
IPC: H01L31/046 , H01L31/0463 , H01L31/0352
Abstract: 本发明关于用于太阳能电池的基板和太阳能电池。该太阳能电池包含：一基板，具有一导体极性；以及一第一薄膜层，形成于该基板，其中一基板分割部形成于该基板的一表面，该基板分割部用以将该基板分割成多个单元电池，该基板分割部被形成为：使得该基板分割部的尺寸在向下方向上逐渐减小，并且该第一薄膜层包含插入至该基板分割部中的第一分割件。
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公开(公告)号：CN114365295A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202080063331.3
申请日：2020-09-25
Applicant: 周星工程股份有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/02 , H01L31/0224 , H01L31/042 , H01L31/0445
Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池、包含于该太阳能电池中的单元电池及制造该太阳能电池的方法，该太阳能电池包含：第一单元电池，由划分基底基板所形成的多块中的一块所制成；以及第二单元电池，耦接于第一单元电池，其中第一单元电池包含形成于第一单元基板以具有导电性的第一电池电极，第二单元电池包含形成于第二单元基板以具有导电性的第二电池电极，第二电池电极与第一电池电极在没有接合材料的情况下彼此接合，从而将第二单元电池耦接至第一单元电池。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108431969B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201780001638.9
申请日：2017-08-21
Applicant: 周星工程股份有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L31/0224 , H01L31/0445 , H01L31/0747
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池的制造方法，该方法包括：在半导体晶片的上表面上形成第一半导体层并且在半导体晶片的下表面上形成极性与第一半导体层的极性不同的第二半导体层的工序；在第一半导体层的上表面上形成第一透明导电层而使第一半导体层的一部分暴露于外部并且在第二半导体层的下表面上形成第二透明导电层而使第二半导体层的一部分暴露于外部的工序；以及第一透明导电层和第二透明导电层中的至少一者上的等离子处理工序，其中，等离子处理工序包括除去第一半导体层的暴露于外部的部分和第二半导体层的暴露于外部的部分的工序。
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公开(公告)号：CN101197251B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200710164348.4
申请日：2007-10-30
Applicant: 周星工程股份有限公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/67 , C23F4/00 , G02F1/1333
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32623 , H01J2237/334
Abstract: 一种蚀刻设备包括：腔室；在所述腔室中的衬底支撑物；衬底，其安置在所述衬底上，且具有凹口区和平直区中的一者，除了在所述凹口区和所述平直区的所述一者中外，所述衬底具有环形形状的缘边，其中所述衬底的缘边在所述凹口区中具有凹陷形状，且在所述平直区中具有弦形状；衬底屏蔽单元，其具有实质上与所述衬底相同的形状，且安置在所述衬底上方，所述衬底屏蔽单元具有对应于所述凹口区和所述平直区中的所述一者的部分，其中所述衬底屏蔽单元具有小于或等于所述衬底的第二直径的第一直径；气体注入装置，其将气体供应到所述衬底的外围上；以及电源单元，其将RF(射频)功率供应到所述腔室中。
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公开(公告)号：CN113711369B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202080027772.8
申请日：2020-04-07
Applicant: 周星工程股份有限公司
Abstract: 本发明关于一种太阳能电池制造方法，其包含安装工艺、涂布工艺及划线工艺。安装工艺用于将供多个薄膜层形成的电池安装到制造太阳能电池的处理空间中。涂布工艺将导体材料涂布在电池上。划线工艺将激光朝电池发射以形成电池分割部，用于将电池分割成多个单元电池。
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公开(公告)号：CN114365295B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202080063331.3
申请日：2020-09-25
Applicant: 周星工程股份有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/02 , H01L31/0224 , H01L31/042 , H01L31/0445
Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池、包含于该太阳能电池中的单元电池及制造该太阳能电池的方法，该太阳能电池包含：第一单元电池，由划分基底基板所形成的多块中的一块所制成；以及第二单元电池，耦接于第一单元电池，其中第一单元电池包含形成于第一单元基板以具有导电性的第一电池电极，第二单元电池包含形成于第二单元基板以具有导电性的第二电池电极，第二电池电极与第一电池电极在没有接合材料的情况下彼此接合，从而将第二单元电池耦接至第一单元电池。
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公开(公告)号：CN113711369A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202080027772.8
申请日：2020-04-07
Applicant: 周星工程股份有限公司
Abstract: 本发明关于一种太阳能电池制造方法，其包含安装工艺、涂布工艺及划线工艺。安装工艺用于将供多个薄膜层形成的电池安装到制造太阳能电池的处理空间中。涂布工艺将导体材料涂布在电池上。划线工艺将激光朝电池发射以形成电池分割部，用于将电池分割成多个单元电池。
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