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公开(公告)号：CN111778553A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010743770.0
申请日：2020-07-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C30B25/18
Abstract: 用于提升CVD单晶金刚石品质的籽晶连续减薄等离子体退火方法，本发明属于金刚石制备领域，它为了解决现有籽晶预处理方式难以处理籽晶内部原有缺陷及内应力的问题。等离子体退火方法：一、采用激光切割将目标籽晶沿厚度方向切割成两片籽晶，对目标籽晶的激光切割面进行抛光处理；二、籽晶放入MPCVD金刚石生长设备中，抽真空，向腔体内通入氢气并点燃等离子体进行等离子体退火处理；三、依次重复切割抛光处理以及等离子体退火处理多次，得到高品质薄籽晶。本发明通过减薄籽晶与等离子体退火交替反复进行，能够有效降低籽晶内部原有缺陷密度，并不断释放内应力，且能够将一块品质一般的较厚籽晶，处理得到若干品质较优的薄籽晶。
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公开(公告)号：CN111154126B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202010047126.X
申请日：2020-01-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种纳米金刚石修饰氮化硼高柔性高导热复合薄膜的制备方法，涉及一种氮化硼复合薄膜的制备方法。本发明是要解决现有的聚合物基复合薄膜热导率低的技术问题。本发明先将六方氮化硼进行剥离处理及表面改性，然后通过静电力结合上纳米金刚石颗粒，再和聚乙烯醇混合均匀得到混合液，均匀涂布至PET薄膜上，在加热条件下静置干燥，最后脱模所得的纳米金刚石氮化硼复合薄膜，具有大尺寸、高柔性、高导热率。并且生产快速成本低廉，具有极大的工业推广价值。本发明应用于制备高导热复合薄膜。
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公开(公告)号：CN111872390A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010783898.X
申请日：2020-08-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种选区激光熔化工艺制备金刚石金属基复合材料的方法，本发明涉及一种制备金刚石金属基复合材料的方法。本发明要解决现有选区激光熔化工艺制备金刚石金属基复合材料过程中，金刚石与基体润湿性差，存在大量的孔隙缺陷，金刚石热蚀的问题。方法：一、制备镀覆后的金刚石粉末；二、混合；三、选区激光熔化成型；四、烧结。本发明用于选区激光熔化工艺制备金刚石金属基复合材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111154126A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN202010047126.X
申请日：2020-01-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种纳米金刚石修饰氮化硼高柔性高导热复合薄膜的制备方法，涉及一种氮化硼复合薄膜的制备方法。本发明是要解决现有的聚合物基复合薄膜热导率低的技术问题。本发明先将六方氮化硼进行剥离处理及表面改性，然后通过静电力结合上纳米金刚石颗粒，再和聚乙烯醇混合均匀得到混合液，均匀涂布至PET薄膜上，在加热条件下静置干燥，最后脱模所得的纳米金刚石氮化硼复合薄膜，具有大尺寸、高柔性、高导热率。并且生产快速成本低廉，具有极大的工业推广价值。本发明应用于制备高导热复合薄膜。
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公开(公告)号：CN109928399A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201910306849.4
申请日：2019-04-17
Abstract: 本发明涉及一种高膜基结合力的单层二氧化硅光子晶体的制备方法。该方法包括如下步骤：二氧化硅微球改性：将二氧化硅微球、分散剂和改性剂混合后置于摇床上进行摇晃处理；二氧化硅微球转移至玻璃基底；热处理：将玻璃基底置于500～700℃下进行热处理，得到所述高膜基结合力的单层二氧化硅晶体。方法通过使用特定的复合改性剂对二氧化硅微球进行表面改性处理、采用特定的热处理温度对单层二氧化硅微球进行热处理，使得所制备的单层光子晶体在玻璃基底上形成有序密排的单层排列结构，能够与基底结合牢固。
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公开(公告)号：CN111705311B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202010779182.2
申请日：2020-08-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种金刚石微粉表面镀镍的方法，本发明涉及一种金刚石镀镍的方法。本发明要解决现有化学法镀镍方法在金刚石颗粒表面镀镍，孔隙多、不致密，均匀性差，镍层易脱落的问题。方法：一、对金刚石微粉表面进行除油处理；二、对金刚石微粉进行等离子蚀刻处理；三、对金刚石微粉进行活化处理；四、利用化学法在金刚石微粉表面镀镍。本发明用于金刚石微粉表面镀镍。
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公开(公告)号：CN111872390B
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202010783898.X
申请日：2020-08-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种选区激光熔化工艺制备金刚石金属基复合材料的方法，本发明涉及一种制备金刚石金属基复合材料的方法。本发明要解决现有选区激光熔化工艺制备金刚石金属基复合材料过程中，金刚石与基体润湿性差，存在大量的孔隙缺陷，金刚石热蚀的问题。方法：一、制备镀覆后的金刚石粉末；二、混合；三、选区激光熔化成型；四、烧结。本发明用于选区激光熔化工艺制备金刚石金属基复合材料。
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公开(公告)号：CN111705311A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010779182.2
申请日：2020-08-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种金刚石微粉表面镀镍的方法，本发明涉及一种金刚石镀镍的方法。本发明要解决现有化学法镀镍方法在金刚石颗粒表面镀镍，孔隙多、不致密，均匀性差，镍层易脱落的问题。方法：一、对金刚石微粉表面进行除油处理；二、对金刚石微粉进行等离子蚀刻处理；三、对金刚石微粉进行活化处理；四、利用化学法在金刚石微粉表面镀镍。本发明用于金刚石微粉表面镀镍。
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