公开(公告)号：CN111458312A

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：CN202010158345.5

申请日：2020-03-09

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 程健 ,  陈明君 ,  赵林杰 ,  刘伟龙 ,  崔江 ,  杨浩 ,  刘启 ,  刘志超 ,  王健 ,  许乔

IPC: G01N21/64 ,  G01N21/95

Abstract: 一种软脆光学晶体加工表层微区荧光性缺陷检测光学系统，涉及一种光学晶体缺陷检测光学系统。目的是解决现有晶体表层缺陷检测装置无法获得晶体表层缺陷的受激荧光的稳态光谱和内部结构的问题。检测光学系统由可变波长激光器、第一反射镜、光阑、二向色镜、显微物镜、晶体元件、载物台、白光光源、第二反射镜、滤光片、第一透镜、光纤、光谱仪、时间相关单光子计数器、计算机、第三反射镜、第二透镜和CCD相机构成。本发明即可以实现晶体元件表层缺陷，也能够实现表层缺陷激发稳态荧光光谱以及表层缺陷激发瞬态荧光光谱的检测。本发明适用于晶体表层缺陷检测。

公开(公告)号：CN111458312B

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202010158345.5

申请日：2020-03-09

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 程健 ,  陈明君 ,  赵林杰 ,  刘伟龙 ,  崔江 ,  杨浩 ,  刘启 ,  刘志超 ,  王健 ,  许乔

IPC: G01N21/64 ,  G01N21/95

Abstract: 一种软脆光学晶体加工表层微区荧光性缺陷检测光学系统，涉及一种光学晶体缺陷检测光学系统。目的是解决现有晶体表层缺陷检测装置无法获得晶体表层缺陷的受激荧光的稳态光谱和内部结构的问题。检测光学系统由可变波长激光器、第一反射镜、光阑、二向色镜、显微物镜、晶体元件、载物台、白光光源、第二反射镜、滤光片、第一透镜、光纤、光谱仪、时间相关单光子计数器、计算机、第三反射镜、第二透镜和CCD相机构成。本发明即可以实现晶体元件表层缺陷，也能够实现表层缺陷激发稳态荧光光谱以及表层缺陷激发瞬态荧光光谱的检测。本发明适用于晶体表层缺陷检测。

公开(公告)号：CN111504958B

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN202010158348.9

申请日：2020-03-09

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 程健 ,  陈明君 ,  刘伟龙 ,  赵林杰 ,  崔江 ,  杨浩 ,  刘启 ,  刘志超 ,  王健 ,  许乔

IPC: G01N21/64

Abstract: 一种软脆光学晶体加工表层荧光性缺陷检测方法，涉及一种晶体缺陷检测方法。目的是解决现有方法无法获得晶体表层缺陷的受激荧光的稳态光谱和内部结构的问题。检测方法利用软脆光学晶体加工表层微区荧光性缺陷检测光学系统中进行，一、缺陷定位；二、测量背底；三、测量可见光波段稳态荧光光谱；四、测量可见光波段瞬态荧光光谱；五、测量近红外波段稳态荧光光谱；六、改变波长获得不同激发光波长下的可见光波段瞬态荧光光谱和近红外波段稳态荧光光谱。本发明可以实现晶体元件表层缺陷、表层缺陷激发稳态荧光光谱以及表层缺陷激发瞬态荧光光谱的检测。本发明适用于晶体表层缺陷检测。

公开(公告)号：CN111504958A

公开(公告)日：2020-08-07

申请号：CN202010158348.9

申请日：2020-03-09

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 程健 ,  陈明君 ,  刘伟龙 ,  赵林杰 ,  崔江 ,  杨浩 ,  刘启 ,  刘志超 ,  王健 ,  许乔

IPC: G01N21/64

Abstract: 一种软脆光学晶体加工表层荧光性缺陷检测方法，涉及一种晶体缺陷检测方法。目的是解决现有方法无法获得晶体表层缺陷的受激荧光的稳态光谱和内部结构的问题。检测方法利用软脆光学晶体加工表层微区荧光性缺陷检测光学系统中进行，一、缺陷定位；二、测量背底；三、测量可见光波段稳态荧光光谱；四、测量可见光波段瞬态荧光光谱；五、测量近红外波段稳态荧光光谱；六、改变波长获得不同激发光波长下的可见光波段瞬态荧光光谱和近红外波段稳态荧光光谱。本发明可以实现晶体元件表层缺陷、表层缺陷激发稳态荧光光谱以及表层缺陷激发瞬态荧光光谱的检测。本发明适用于晶体表层缺陷检测。

公开(公告)号：CN114235822B

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202111621696.6

申请日：2021-12-28

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 程健 ,  程旭盟 ,  陈明君 ,  赵林杰 ,  刘赫男 ,  杨丁槐 ,  崔江 ,  刘志超 ,  王健

IPC: G01N21/88 ,  G01N21/64

Abstract: 一种紫外光学元件加工表面微区电子缺陷能级确定方法，属于工程光学领域，本发明为解决现有技术中缺乏一种简单、可靠的微区电子缺陷能级确定方法的问题，本发明方法具体按如下步骤进行：步骤一、获取紫外光学元件表面微区微缺陷在不同激发光波长下的稳态荧光光谱，选取荧光强度最高的峰值位置，确定其所处的能级为第一电子缺陷能级；步骤二、根据稳态荧光光谱荧光峰值强度的高低进行排序，强度排第N的荧光峰值则对应第N电子缺陷能级；步骤三、确定导带的荧光峰波段出现荧光信号时的激发光波长，根据该波长对应的单光子能量确定导带的位置；步骤四、紫外光学元件加工表面微区电子缺陷能级电子衰减寿命的确定。

公开(公告)号：CN114235822A

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202111621696.6

申请日：2021-12-28

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 程健 ,  程旭盟 ,  陈明君 ,  赵林杰 ,  刘赫男 ,  杨丁槐 ,  崔江 ,  刘志超 ,  王健

IPC: G01N21/88 ,  G01N21/64

Abstract: 一种紫外光学元件加工表面微区电子缺陷能级确定方法，属于工程光学领域，本发明为解决现有技术中缺乏一种简单、可靠的微区电子缺陷能级确定方法的问题，本发明方法具体按如下步骤进行：步骤一、获取紫外光学元件表面微区微缺陷在不同激发光波长下的稳态荧光光谱，选取荧光强度最高的峰值位置，确定其所处的能级为第一电子缺陷能级；步骤二、根据稳态荧光光谱荧光峰值强度的高低进行排序，强度排第N的荧光峰值则对应第N电子缺陷能级；步骤三、确定导带的荧光峰波段出现荧光信号时的激发光波长，根据该波长对应的单光子能量确定导带的位置；步骤四、紫外光学元件加工表面微区电子缺陷能级电子衰减寿命的确定。