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公开(公告)号：CN114400750B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202111645498.3
申请日：2021-12-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H02J7/02 , H02J7/00 , H02M1/15 , H02M7/219 , H02M7/04 , H02M3/155 , H02M3/04 , H02P25/22 , H02P25/16 , H02P25/022 , B60L53/22 , B60L53/24
Abstract: 一种基于九绕组电机的单相两级集成充电系统，属于驱动和充电集成技术领域，为解决将九绕组内置式永磁同步电机及驱动逆变器复用为充电模式下对应的网侧滤波电感和功率变换器的单相单级集成充电系统，母线电压存在二次纹波脉动问题。配置构建基于零序电流注入的两级驱动集成充电系统包括：九相电机绕组和三个并联的三相半桥逆变器构建为逆变拓扑结构，为驱动模式；通过切换开关，将两个三相半桥逆变器配置为三相半桥电路，三相半桥电路和六相电机绕组构建为前级AC/DC变换器，一个三相半桥逆变器和三相电机绕组构建为后级DC/DC变换器，前级AC/DC变换器和后级DC/DC变换器构建为充电拓扑结构，为充电模式。用于驱动和充电系统复用。
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公开(公告)号：CN114400750A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202111645498.3
申请日：2021-12-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H02J7/02 , H02J7/00 , H02M1/15 , H02M7/219 , H02M7/04 , H02M3/155 , H02M3/04 , H02P25/22 , H02P25/16 , H02P25/022 , B60L53/22 , B60L53/24
Abstract: 一种基于九绕组电机的单相两级集成充电系统，属于驱动和充电集成技术领域，为解决将九绕组内置式永磁同步电机及驱动逆变器复用为充电模式下对应的网侧滤波电感和功率变换器的单相单级集成充电系统，母线电压存在二次纹波脉动问题。配置构建基于零序电流注入的两级驱动集成充电系统包括：九相电机绕组和三个并联的三相半桥逆变器构建为逆变拓扑结构，为驱动模式；通过切换开关，将两个三相半桥逆变器配置为三相半桥电路，三相半桥电路和六相电机绕组构建为前级AC/DC变换器，一个三相半桥逆变器和三相电机绕组构建为后级DC/DC变换器，前级AC/DC变换器和后级DC/DC变换器构建为充电拓扑结构，为充电模式。用于驱动和充电系统复用。
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公开(公告)号：CN109183146B
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201811213111.5
申请日：2018-10-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用电感耦合等离子体技术消除单晶金刚石籽晶表面缺陷的方法，本发明涉及单晶金刚石籽晶缺陷的消除方法。本发明要解决现有MPCVD生长中籽晶表面由于激光加工和抛光不完善导致的表面缺陷富集，进而影响外延生长金刚石质量的问题。方法：一、单晶金刚石籽晶清洗；二、制备遮挡掩体；三、放置样品；四、关舱；五、抽真空；六、电感耦合等离子体处理。本发明用于一种利用电感耦合等离子体技术消除单晶金刚石籽晶表面缺陷的方法。
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公开(公告)号：CN108154004B
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201711432502.1
申请日：2017-12-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供基于过渡层对外延薄膜与衬底结合力评价的过渡层材料选择方法，属于薄膜生长理论技术领域，具体涉及过渡层选择方法。本发明首先对选取的若干过渡层材料建立界面模型；然后计算无过渡层存在时的界面性能，判定是否需要过渡层；如需要过渡层，分别计算选取的不同材料作为过渡层时，衬底/过渡层和过渡层/薄膜的界面性能，并根据界面处净电荷量变化量和原子间化学键布居数，对过渡层对衬底和过渡层对薄膜的结合力进行综合评价并排序；根据排序结果选择前2～3种过渡层材料。本发明解决了现有技术确定是否需要过渡层，以及选取何种材料作为过渡层时，存在耗时长、浪费人力物力的问题。本发明可运用于薄膜的制备。
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公开(公告)号：CN106835275B
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201710101532.8
申请日：2017-02-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种采用垂直沉积模板制备单晶金刚石反蛋白石的方法，本发明涉及单晶金刚石反蛋白石的制备方法。本发明要解决现有的金刚石反蛋白石结构只能制备出多晶体，从而导致其力学、光学和热学综合性能的下降的问题。方法：一、金刚石晶片预处理；二、SiO2微球预处理；三、SiO2多层微球自组装；四、掩模板处理；五、反蛋白石单晶金刚石生长；六、生长后处理；七、掩模板去除。本发明用于一种采用垂直沉积模板制备单晶金刚石反蛋白石的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105223125B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201510657869.8
申请日：2015-10-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 基于应力和结合强度演变机制的涂层寿命预测方法，涉及一种涂层寿命的预测方法。本发明为了解决目前还没有一种全面客观的涂层寿命预测方法的问题。本发明首先建立残余应力—时间变化关系和氧化层应力—时间变化关系；并建立涂层应力演变物理模型；然后进行热循环加速试样老化实验，根据涂层应力演变物理模型与试样应力值—时间关系得到人工加速老化的试样的加速倍数；再采用划痕仪对人工加速老化的试样进行结合强度测试，拟合出结合强度—老化时间的关系并绘制成变化曲线将变化曲线与时间轴的交点所对应的时间作为人工加速老化的试样寿命l；以L＝试样寿命l*最终加速倍数k作为的预测寿命。本发明适用于涂层寿命的预测领域。
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公开(公告)号：CN104988578B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201510443127.5
申请日：2015-07-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用等离子体挡板优化单晶金刚石同质外延生长的方法，本发明涉及优化单晶金刚石同质外延生长的方法。本发明要解决现有MWCVD生长系统中等离子体密度对籽晶生长质量的影响，等离子体形态与籽晶接触方式导致侧向生长区域质量较低，以及等离子体中碳源沉积污染舱体等问题。方法：一、清洗；二、焊接；三、放置样品；四、放置等离子体挡板；五、生长前准备工作；六、金刚石生长，即完成利用等离子体挡板优化单晶金刚石同质外延生长的方法。本发明用于一种利用等离子体挡板优化单晶金刚石同质外延生长的方法。
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公开(公告)号：CN106894081A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201710101533.2
申请日：2017-02-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: C30B29/04 , C30B25/04 , C30B25/205
Abstract: 一种采用LB掩模板制备单晶金刚石反蛋白石的方法，本发明涉及单晶金刚石反蛋白石的制备方法。本发明要解决现有的金刚石反蛋白石结构只能制备出多晶体，从而导致其力学、光学和热学综合性能的下降的问题。方法：一、金刚石晶片预处理；二、SiO2微球预处理；三、掩模板沉积；四、掩模板处理；五、单层反蛋白石单晶金刚石生长；六、生长后处理；七、多掩模板沉积及金刚石生长；八、掩模板去除。本发明用于一种采用LB掩模板制备单晶金刚石反蛋白石的方法。
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公开(公告)号：CN105177533A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510563596.0
申请日：2015-09-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C16/517 , C23C16/27
Abstract: 一种利用等离子体原位清洗MWCVD舱体的方法，本发明涉及清洗MWCVD舱体的方法。本发明要解决现有的MWCVD生长系统中沉积的金刚石、类金刚石及非晶碳层硬度耐磨度极高，且仪器本身特殊构造等因素造成难以将膜层除去的问题。方法：一、吹洗舱体；二、关舱；三、抽真空；四、原位清洗，即完成一种利用等离子体原位清洗MWCVD舱体的方法。本发明用于利用等离子体原位清洗MWCVD舱体的方法。
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公开(公告)号：CN114285313B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202111628412.6
申请日：2021-12-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 基于脉振磁动势抵消法提升网侧电感的三相集成充电系统，涉及三相集成充电系统网侧滤波电感提升领域。本发明为了解决九绕组电机及其配套的驱动逆变器复用为充电系统在充电模式下，如何提升充电模式下网侧等效滤波电感数值的问题。本发明充电系统包括电池、DC/DC变换器、九桥臂半桥逆变器、电容Cdc、九绕组电机、多个三相开关和双相开关，该系统在充电模式下，利用切换开关，改变九绕组的连接方式，从而将网侧等效滤波电感进行提升。本发明主要用于对三相集成充电系统网侧滤波电感进行提升。
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