公开(公告)号：CN116397211B

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202310306980.7

申请日：2023-03-27

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 王振华 ,  李驰 ,  李佳芮 ,  刘思兰 ,  孙东甲 ,  张伟强 ,  周顷禹 ,  邵雪健 ,  孙伟

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/01 ,  C23C16/455 ,  C23C14/18 ,  C23C14/58 ,  C23C14/26 ,  C23C16/56 ,  C01B32/186

Abstract: 一种多层石墨烯的制备方法，属于材料制备技术领域，具体方案包括以下步骤：步骤一、在衬底上蒸镀铜薄膜；步骤二、对铜薄膜进行退火处理；步骤三、使用铜箔包裹在步骤二中退火处理后的铜薄膜的外周，且铜箔和铜薄膜之间留有间隙；步骤四、采用化学气相沉积的方法在铜薄膜上生长多层石墨烯。本发明采用铜箔包裹退火后的铜薄膜作为生长基底，通过化学气相沉积法生长多层石墨烯。即采用铜箔包裹腔体催化裂解空间中的碳源，使其形成微小石墨烯孪晶结构，在包裹腔体内沉积到铜薄膜表面生长的第一层石墨烯表面，沉积的石墨烯孪晶吸附周围碳源持续生长，从而形成石墨烯薄膜，则铜薄膜表面生长出多层石墨烯薄膜。

公开(公告)号：CN116397211A

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN202310306980.7

申请日：2023-03-27

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 王振华 ,  李驰 ,  李佳芮 ,  刘思兰 ,  孙东甲 ,  张伟强 ,  周顷禹 ,  邵雪健 ,  孙伟

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/01 ,  C23C16/455 ,  C23C14/18 ,  C23C14/58 ,  C23C14/26 ,  C23C16/56 ,  C01B32/186

Abstract: 一种多层石墨烯的制备方法，属于材料制备技术领域，具体方案包括以下步骤：步骤一、在衬底上蒸镀铜薄膜；步骤二、对铜薄膜进行退火处理；步骤三、使用铜箔包裹在步骤二中退火处理后的铜薄膜的外周，且铜箔和铜薄膜之间留有间隙；步骤四、采用化学气相沉积的方法在铜薄膜上生长多层石墨烯。本发明采用铜箔包裹退火后的铜薄膜作为生长基底，通过化学气相沉积法生长多层石墨烯。即采用铜箔包裹腔体催化裂解空间中的碳源，使其形成微小石墨烯孪晶结构，在包裹腔体内沉积到铜薄膜表面生长的第一层石墨烯表面，沉积的石墨烯孪晶吸附周围碳源持续生长，从而形成石墨烯薄膜，则铜薄膜表面生长出多层石墨烯薄膜。