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公开(公告)号：CN119753636A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411913143.1
申请日：2024-12-24
Applicant: 嘉兴中科微电子仪器与设备工程中心
IPC: C23C16/455 , H01G4/002
Abstract: 本发明原子层沉积技术领域，涉及一种静电粉末同轴电容器，包括：外柱体，用于容纳内柱体；内柱体，用于与所述外柱体共同形成电场；所述内柱体设置于所述外柱体中；绝缘部，用于绝缘所述外柱体和所述内柱体；所述绝缘部分别与所述外柱体和所述内柱体连接；其中，所述外柱体连接电源的负极，所述内柱体连接所述电源的正极。本申请提供的一种静电粉末同轴电容器提高了粉末在原子层沉积过程中的分散均匀性，从而提高了薄膜的质量；减少了粉末团聚现象，避免了因团聚导致的设备堵塞和操作中断；通过静电辅助分散，提高了粉末ALD设备的工作效率和稳定性；该技术可以扩展到其他需要粉末分散的工业领域，具有广泛的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119894007A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411926240.4
申请日：2024-12-25
Applicant: 嘉兴中科微电子仪器与设备工程中心
IPC: H10D1/68 , C23C16/455 , C23C16/34
Abstract: 本申请涉及集成电路的半导体器件技术领域，尤其涉及一种深沟槽电容器的制备方法和深沟槽电容器；所述制备方法包括：将基底进行蚀刻，得到深沟槽基底；将深沟槽基底进行热处理，得到深沟槽基底；在惰性气体氛围中使用氮源和钛源将深沟槽基底第一次原子层沉积处理，得到第一深沟槽基底；在惰性气体氛围中使用氧源和铝源将第一深沟槽基底第二次原子层沉积处理，得到第二深沟槽基底；在惰性气体氛围中使用氮源和钛源将第二深沟槽基底第一次原子层沉积处理，得到深沟槽电容器。该制备方法可以制备得到厚度均匀分布的包括下电极层、介质层和上电极层的深沟槽电容器，并且各个层状结构的覆盖程度较高，可以得到良品率98％及以上的深沟槽电容器。
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公开(公告)号：CN119800328A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411933488.3
申请日：2024-12-26
Applicant: 嘉兴中科微电子仪器与设备工程中心
IPC: C23C16/455 , C23C16/06
Abstract: 本申请涉及薄膜材料技术领域，尤其涉及一种玻璃基底表面沉积生长铜薄膜的方法；所述方法包括：将玻璃基底进行预处理，得到预处理基底；在惰性气氛的条件下使用铜源将所述预处理基底进行第一次原子层沉积处理，得到含有粗铜薄膜的粗基底；在惰性气体氛的条件下使用锌源将含有粗铜薄膜的所述粗基底进行第二次原子层沉积处理，使得所述粗铜薄膜发生还原反应，得到含有铜薄膜的玻璃基底。方法通过精细的工艺流程设计和创新的锌源引入策略，利用两次原子层沉积处理的方式，实现了铜薄膜在玻璃基底上的高均匀度的生长，使得铜薄膜的非均匀性控制在2.5％以下，为相关领域的发展提供了新的技术途径和解决方案。
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公开(公告)号：CN119841556A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411933300.5
申请日：2024-12-26
Applicant: 嘉兴中科微电子仪器与设备工程中心
IPC: C03C17/09
Abstract: 本申请涉及薄膜材料技术领域，尤其涉及一种玻璃基底表面沉积生长钌薄膜的方法；所述方法包括：将玻璃基底进行预处理，得到预处理基底；在惰性气氛的条件下使用三羰基钌类钌源将预处理基底第一次原子层沉积处理，得到含有三羰基的粗钌薄膜基底；使用氧源将粗钌薄膜基底第二次原子层沉积处理，使得粗钌薄膜基底的三羰基发生氧化还原反应，并脱除粗钌薄膜基底，得到含有钌薄膜的玻璃基底。该方法通过两次原子层沉积处理以及氧化还原反应的巧妙结合，成功地实现了在玻璃基底表面沉积生长高质量钌薄膜的目标。这种方法不仅提高了钌薄膜的纯度和均匀性，使得钌薄膜的非均匀性控制在0.35％以下，还显著增强了其与玻璃基底的结合力和稳定性。
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公开(公告)号：CN119812254A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411926335.6
申请日：2024-12-25
Applicant: 嘉兴中科微电子仪器与设备工程中心
Abstract: 本申请涉及电极材料技术领域，尤其涉及一种碳纳米管复合电极材料及其制备方法；所述复合电极材料包括碳纳米管基体以及依次覆盖在所述碳纳米管基体表面的活性材料层和钝化涂层，所述活性材料层的导电性＞所述钝化涂层的导电性，所述钝化涂层的体积膨胀系数＜所述活性材料层的体积膨胀系数；所述活性材料层的厚度＞所述钝化涂层的厚度。该碳纳米管复合电极材料通过巧妙的层结构设计和材料选择，实现了导电性和稳定性的同步提升，为电池技术的发展提供了新的思路和方法。
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公开(公告)号：CN119615123A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411916503.3
申请日：2024-12-24
Applicant: 嘉兴中科微电子仪器与设备工程中心
IPC: C23C16/455 , C23C16/44
Abstract: 本发明属于原子层沉积技术领域，涉及一种原子层沉积设备辅助分散粉末装置，包括：筒体，所述筒体侧壁设置有出口，所述筒体底壁设置有入口，所述筒体内设置有容纳腔，所述容纳腔分别与所述出口和所述入口连接；分隔部，所述分隔部设置于所述容纳腔内，且将所述容纳腔分隔为电场施加腔和加热反应腔，所述电场施加腔与所述入口连接，所述电场施加腔与所述出口连接，所述电场施加腔与所述加热反应腔连接。本申请通过静电辅助分散技术，粉末样品能够更均匀地分散，减少了团聚现象，从而提高了粉末与气体的接触面积，增强了反应效率；双腔设计使得取样过程更加直接和简便，避免了粉末在反应腔室内的残留，提高了设备的清洁度和产品的一致性。
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