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公开(公告)号：CN119615125A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411924776.2
申请日：2024-12-25
Applicant: 嘉兴中科微电子仪器与设备工程中心
IPC: C23C16/458 , C23C16/455
Abstract: 本发明涉一种用于原子层沉积设备的可拆卸格挡样品托盘，包括：承载部，用于至少部分承载样品；所述承载部至少部分支撑于样品台上；镂空部，用于使至少部分所述样品与所述样品台接触；所述镂空部设置于所述承载部上；定位部，用于与所述样品台适配定位；所述定位部设置于所述承载部上。本申请相比于现有技术中的单层托盘，镂空设置结构可以把样品直接放置在内腔上，可以使样品与内腔之间的热传递更为直接，无须通过托盘的二次传递；本申请提供的一种用于原子层沉积设备的可拆卸格挡样品托盘只限制样品的位置，而不影响前驱体气流的分布。对于工艺样品的非均匀性有较大提升，适用于大批量的同规格的小体积小面积的样品。
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公开(公告)号：CN117604481A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311724122.0
申请日：2023-12-14
Applicant: 嘉兴中科微电子仪器与设备工程中心
Abstract: 本申请公开了一种用于镀膜的转载托架及使用方法，属于沉积镀膜技术领域，转载托架包括：限位框，内侧设有框架口，框架口用于置入板件结构；承载台，连接于限位框，承载台设有延伸至框架口内的承载边，承载边用于承载板件结构的边部；使用方法包括：将第一板件结构放置于转载托架，使第一板件结构的边部支撑在承载边，且第一板件结构的镀膜面朝下；将第二板件结构铺放于第一板件结构的非镀膜面，使第一板件结构与第二板件结构的非镀膜面贴合在一起，且第二板件结构的镀膜面朝上。本申请能够解决玻璃热镀膜工艺中产生绕镀的难题，不再形成多余的沉积表面，防止绕镀现象，进而提高玻璃镀膜的产品质量；同时提高了生产效率，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN119753636A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411913143.1
申请日：2024-12-24
Applicant: 嘉兴中科微电子仪器与设备工程中心
IPC: C23C16/455 , H01G4/002
Abstract: 本发明原子层沉积技术领域，涉及一种静电粉末同轴电容器，包括：外柱体，用于容纳内柱体；内柱体，用于与所述外柱体共同形成电场；所述内柱体设置于所述外柱体中；绝缘部，用于绝缘所述外柱体和所述内柱体；所述绝缘部分别与所述外柱体和所述内柱体连接；其中，所述外柱体连接电源的负极，所述内柱体连接所述电源的正极。本申请提供的一种静电粉末同轴电容器提高了粉末在原子层沉积过程中的分散均匀性，从而提高了薄膜的质量；减少了粉末团聚现象，避免了因团聚导致的设备堵塞和操作中断；通过静电辅助分散，提高了粉末ALD设备的工作效率和稳定性；该技术可以扩展到其他需要粉末分散的工业领域，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN119592927A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411916795.0
申请日：2024-12-24
Applicant: 嘉兴中科微电子仪器与设备工程中心
IPC: C23C16/455 , C23C16/02 , C23C16/54 , C23C16/46
Abstract: 本发明属于原子层沉积技术领域，涉及一种时间型快速镀膜原子层沉积装置，包括：运输组件、第一加热组件、第二加热组件、第一反应组件、第二反应组件、前驱体输送组件、第一抽取组件和第二抽取组件。本申请提供的一种时间型快速镀膜原子层沉积装置设置有专门用于样品保温的保温腔以及沉积薄膜的工艺腔，节约了样品需要升温至薄膜生长温度所需要的时间，提高了生产效率，能够实现快速镀膜工艺；同时有着低成本、高效率及稳定性生产的优势。
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公开(公告)号：CN119530770A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411911866.8
申请日：2024-12-24
Applicant: 嘉兴中科微电子仪器与设备工程中心
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明属于原子层快速沉积技术领域，涉及一种原子层快速沉积设备，包括：第一气体输入组件，用于输入第一反应气体；第二气体输入组件，用于输入第二反应气体；反应组件，用于提供反应空间；所述反应组件分别与所述第一气体输入组件和所述第二气体输入组件连接；抽取组件，用于抽取所述反应组件中的杂质；所述抽取组件与所述反应组件连接。本申请提供的一种原子层快速沉积设备提高了有效吸附效率，又可以在工艺端大大减少前驱体的进源和吹扫时间，从而整体上速度大大加快；在经济上也能延长一瓶前驱体源的使用次数，节省成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114592180A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210224187.8
申请日：2022-03-07
Applicant: 嘉兴中科微电子仪器与设备工程中心
IPC: C23C16/30 , C23C16/455 , C23C16/44
Abstract: 本申请公开一种氟化镁薄膜的制备方法及相关设备，涉及薄膜技术领域，能够提高在制备大面积氟化镁薄膜过程中的膜厚均匀性。氟化镁薄膜的制备方法，包括：将衬底传送至原子层沉积反应腔室；在所述原子层沉积反应腔室达到制备条件的情况下，向所述原子层沉积反应腔室通入镁源后对所述原子层沉积反应腔室进行气体吹扫；向所述原子层反应腔室通入氟源后对所述原子层沉积反应腔室进行气体吹扫。
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公开(公告)号：CN119841556A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411933300.5
申请日：2024-12-26
Applicant: 嘉兴中科微电子仪器与设备工程中心
IPC: C03C17/09
Abstract: 本申请涉及薄膜材料技术领域，尤其涉及一种玻璃基底表面沉积生长钌薄膜的方法；所述方法包括：将玻璃基底进行预处理，得到预处理基底；在惰性气氛的条件下使用三羰基钌类钌源将预处理基底第一次原子层沉积处理，得到含有三羰基的粗钌薄膜基底；使用氧源将粗钌薄膜基底第二次原子层沉积处理，使得粗钌薄膜基底的三羰基发生氧化还原反应，并脱除粗钌薄膜基底，得到含有钌薄膜的玻璃基底。该方法通过两次原子层沉积处理以及氧化还原反应的巧妙结合，成功地实现了在玻璃基底表面沉积生长高质量钌薄膜的目标。这种方法不仅提高了钌薄膜的纯度和均匀性，使得钌薄膜的非均匀性控制在0.35％以下，还显著增强了其与玻璃基底的结合力和稳定性。
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公开(公告)号：CN119710639A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411916921.2
申请日：2024-12-24
Applicant: 嘉兴中科微电子仪器与设备工程中心
IPC: C23C16/455 , C23C16/442 , C23C16/44
Abstract: 本发明属于原子层沉积技术领域，涉及一种粉末原子层沉积设备，包括：第一气体输入组件，用于输入第一反应气体；第二气体输入组件，用于输入第二反应气体；反应组件，用于提供反应空间；所述反应组件分别与所述第一气体输入组件和所述第二气体输入组件连接；加热组件，用于加热所述反应组件内部的反应物质；所述加热组件设置于所述反应组件中；输出组件，用于输出所述反应组件内部的反应物质；所述输出组件与所述反应组件连接；收集组件，用于收集生成物；所述收集组件与所述输出组件连接。本申请提供的该设备可让粉末样品在气流作用下呈流化状态，促进颗粒间打开间隙，使前驱体源和每个颗粒充分接触，保证包裹的均匀性，避免涂层厚度不均。
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公开(公告)号：CN119571290A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411916331.X
申请日：2024-12-24
Applicant: 嘉兴中科微电子仪器与设备工程中心
IPC: C23C16/455 , C23C16/46 , C23C16/52
Abstract: 本发明属于原子层沉积技术领域，涉及一种原子层沉积设备快速冷却装置，包括：加热组件，用于加热样品；检测组件，用于检测所述加热组件的温度；所述检测组件设置于所述加热组件上；冷却流体输送组件，用于向所述加热组件输送冷却流体；所述冷却流体输送组件与所述加热组件连接；控制组件，用于根据所述检测组件的检测值控制所述冷却流体输送组件；所述控制组件分别与所述检测组件和所述冷却流体输送组件连接。本申请提供的一种原子层沉积设备快速冷却装置大大缩短了取样等待的时间，可控制在2小时内就降低到可取样温度。提升了实验的效率。
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公开(公告)号：CN119530771A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411925667.2
申请日：2024-12-25
Applicant: 嘉兴中科微电子仪器与设备工程中心
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明属于原子层沉积技术领域，涉及一种原子层沉积设备的粉末内腔，包括：壳体，所述壳体内设置有容纳腔；盖板，所述盖板设置于所述容纳腔内；内胆，所述内胆设置于所述盖板上，且与所述容纳腔的内壁间隔预设距离；所述容纳腔与原子层沉积设备的反应腔室连接。本申请提供的一种原子层沉积设备的粉末内腔兼容现有的平面原子层沉积设备，无需设备改造就能进行粉体包覆；粉末内腔通过螺丝与原子层沉积设备外腔连接，方便拆卸以及维护；滤网目数可进行调整，兼容不同粒径的粉体。
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