公开(公告)号：CN106206891A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201510309192.9

申请日：2015-06-08

Applicant: 嘉晶电子股份有限公司

Inventor： 胡智威 ,  戴进吉 ,  宣融

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/12 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体结构，其包括基板、被覆层、成核层、过渡层以及复合缓冲结构。被覆层位于基板上。成核层位于基板与被覆层之间。过渡层位于成核层与被覆层之间，其中过渡层为AlxGaN层。复合缓冲结构位于过渡层与被覆层之间。复合缓冲结构包括第一复合缓冲层，其中第一复合缓冲层包括相互交叠的多个第一AlyGaN层以及多个第一GaN层，且x等于y。因此可避免由于氮化铝的长时间磊晶而造成产能降低的问题，并减缓顶GaN层(即氮化物半导体层)与基板之间因晶格与热膨胀系数不匹配所产生的应力，从而克服前述两者之间缺陷过多的缺点。

公开(公告)号：CN106206891B

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201510309192.9

申请日：2015-06-08

Applicant: 嘉晶电子股份有限公司

Inventor： 胡智威 ,  戴进吉 ,  宣融

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/12 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体结构，其包括基板、被覆层、成核层、过渡层以及复合缓冲结构。被覆层位于基板上。成核层位于基板与被覆层之间。过渡层位于成核层与被覆层之间，其中过渡层为AlxGaN层。复合缓冲结构位于过渡层与被覆层之间。复合缓冲结构包括第一复合缓冲层，其中第一复合缓冲层包括相互交叠的多个第一AlyGaN层以及多个第一GaN层，且x等于y。因此可避免由于氮化铝的长时间磊晶而造成产能降低的问题，并减缓顶GaN层(即氮化物半导体层)与基板之间因晶格与热膨胀系数不匹配所产生的应力，从而克服前述两者之间缺陷过多的缺点。

公开(公告)号：CN105280770B

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201410552714.3

申请日：2014-10-17

Applicant: 嘉晶电子股份有限公司

Inventor： 宣融 ,  胡智威 ,  詹益仁

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L31/03046 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/0254 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/035281

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体结构。氮化物半导体结构包括衬底、碳化硅成核层、复合缓冲层以及氮化物半导体层。碳化硅成核层位于衬底上。复合缓冲层位于碳化硅成核层上。氮化物半导体层位于复合缓冲层上。此外，所述氮化物半导体结构为无氮化铝的半导体结构。