公开(公告)号：CN105480935A

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201510646926.2

申请日：2015-10-08

Applicant: 因文森斯公司

Inventor： 李大成 ,  申钟禹 ,  申正日 ,  彼得·斯米斯 ,  马丁·利姆

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/0023 ,  B81B7/0038 ,  B81B7/0041 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0228 ,  B81B2207/017 ,  B81C1/00285 ,  B81C2203/019 ,  B81C2203/035 ,  B81C2203/0785

Abstract: 一种集成MEMS装置，包括两个基底，其中该第一和第二基底被联接在一起并且在其间具有两个闭合空间。该第一和第二基底之一包括一个除气源层和一个除气阻挡层以便调节这两个闭合空间内的压力。该方法包括在基底上沉积并且构图除气源层和第一除气阻挡层，从而产生两个截面。在这两个截面中的一者中，该除气源层的顶表面没有被该除气阻挡层所覆盖并且在这两个截面中的另一者中，该除气源层被封装在该除气阻挡层中。该方法还包括保形地沉积第二除气阻挡层并且蚀刻该第二除气阻挡层以便在该除气源层的侧壁上留下该第二除气阻挡层的间隙。

公开(公告)号：CN106241729A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610409113.6

申请日：2016-06-12

Applicant: 因文森斯公司

Inventor： 李大成 ,  辛宗祐 ,  J·I·辛 ,  P·斯迈伊丝

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00301 ,  B81C2201/013 ,  B81C2203/036 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/5226 ,  B81C1/00261

Abstract: 本发明涉及一种包括接触层的CMOS-MEMS集成装置及制造方法，其是一种用于形成MEMS装置的方法。该MEMS装置包括MEMS衬底及底座衬底。该MEMS衬底包括操作层、装置层及介于之间的绝缘层。本方法包括下列循序步骤：在该装置层上提供隔绝体；穿过该装置层及该绝缘层蚀刻贯孔；在该贯孔内提供接触层，其中该接触层在该装置层与该操作层之间提供电连接；在该隔绝体上提供黏合层；以及将该黏合层黏合至该底座衬底上的接垫。