公开(公告)号：CN106241729A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610409113.6

申请日：2016-06-12

Applicant: 因文森斯公司

Inventor： 李大成 ,  辛宗祐 ,  J·I·辛 ,  P·斯迈伊丝

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00301 ,  B81C2201/013 ,  B81C2203/036 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/5226 ,  B81C1/00261

Abstract: 本发明涉及一种包括接触层的CMOS-MEMS集成装置及制造方法，其是一种用于形成MEMS装置的方法。该MEMS装置包括MEMS衬底及底座衬底。该MEMS衬底包括操作层、装置层及介于之间的绝缘层。本方法包括下列循序步骤：在该装置层上提供隔绝体；穿过该装置层及该绝缘层蚀刻贯孔；在该贯孔内提供接触层，其中该接触层在该装置层与该操作层之间提供电连接；在该隔绝体上提供黏合层；以及将该黏合层黏合至该底座衬底上的接垫。