公开(公告)号：CN106715325A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201580046944.5

申请日：2015-08-25

Applicant: 生物辐射实验室股份有限公司

Inventor： A·万 ,  A·萨德力 ,  T·罗森茨维格 ,  N·科坎斯基 ,  E·杨

IPC: B81C1/00 ,  B81C3/00 ,  B01L3/00

CPC classification number: B01L3/502707 ,  B01L2200/027 ,  B01L2200/0689 ,  B01L2200/16 ,  B01L2300/08 ,  B01L2300/0816 ,  B01L2300/0864 ,  B01L2300/0887 ,  B29C65/4895 ,  B29C66/1122 ,  B29C66/45 ,  B29C66/53461 ,  B29C66/71 ,  B29C66/73921 ,  B29L2031/756 ,  B81B1/00 ,  B81B2201/058 ,  B81B2203/0338 ,  B81C3/001 ,  B81C2203/032 ,  B81C2203/036 ,  B81C2203/057 ,  B29K2033/12 ,  B29K2069/00 ,  B29K2025/06

Abstract: 具有流体保留槽的微尺度流体装置及其部件，以及与其相关的系统和方法。流体保留槽促进微流体装置部件的均匀粘合。

公开(公告)号：CN102730633B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201210101394.0

申请日：2012-03-31

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 格雷戈里·德布拉班德尔 ,  马克·内波穆尼西

IPC: B81C3/00

CPC classification number: B81B3/0021 ,  B81B2201/032 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/053 ,  B81C2201/0195 ,  B81C2203/036

Abstract: 本发明公开了一种用于制造具有弯曲特征的薄膜的方法。通过将薄膜真空接合至衬底的顶表面来创建具有弯曲特征的轮廓传递衬底表面，其中所述顶表面中形成有空穴。将薄膜的表面暴露至流体压力，以使得薄膜变形并且薄膜的下表面与空穴的底部接触。可以通过对薄膜与衬底之间的接合区域进行退火处理来使变形薄膜中形成的弯曲特征变得永久。薄膜的暴露表面上沉积的均匀材料层将在薄膜弯曲进空穴的位置处包括弯曲特征。在薄膜上已经均匀沉积了至少一层材料之后，从底部蚀刻开空穴，以从下方移除薄膜。

公开(公告)号：CN102792419B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201180007649.0

申请日：2011-01-26

Applicant: 盾安美斯泰克股份有限公司

Inventor： P.阿鲁纳萨拉姆

IPC: H01L21/027

CPC classification number: B81B3/001 ,  B81C1/00269 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/036

Abstract: 一种防止微机电系统装置内，更具体地说，防止在具有微米范围内或更小(亦即小于约10微米)的凹部内的可动构造在接合工艺期间内被不慎地接合至非运动构造的方法。该方法包括在构造方面和化学方面对硅进行表面制备，以帮助防止运动构造在接合期间(包括在高力量、高温度融合接合期间)内接合至相邻的表面。

公开(公告)号：CN102812538B

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201180007647.1

申请日：2011-01-26

Applicant: 盾安美斯泰克股份有限公司

Inventor： P.阿鲁纳萨拉姆

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/302 ,  B81C1/00611 ,  B81C2201/0121 ,  B81C2203/036 ,  H01L21/02057

Abstract: 促进诸如硅晶片的半导体组件的接合的非磨蚀方法，这些半导体组件在接合界面表面上具有微结构缺陷。在优选的方法中，微结构缺陷通过以下方式去除：在该接合界面表面上形成氧化物层至低于该缺陷的水平的深度，且然后，去除该氧化物层以暴露出用于接合的满意表面，由此增加生产线的产率且降低制造设施中的废品起因。

公开(公告)号：CN103460336A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201180069724.6

申请日：2011-03-30

Applicant: 高萨姆·维斯瓦纳达姆

Inventor： 高萨姆·维斯瓦纳达姆

IPC: H01L21/00

CPC classification number: B81C1/00341 ,  B81B2201/051 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/0338 ,  B81C1/00476 ,  B81C2201/0107 ,  B81C2203/036 ,  H01L21/00

Abstract: 本发明提出了一种在玻璃上制备具有微特征的微器件的方法。该方法包括以下步骤：预设第一玻璃基板，并在所述第一玻璃基板上制备金属图案，预设第二玻璃基板并在所述第二玻璃基板上设一个或多个通孔，在可控的升温中加热所述第一玻璃基板和所述第二玻璃基板，通过加压的方式键合所述第一玻璃基板和所述第二玻璃基板，以形成一个键合基板，其中，所述金属图案嵌于所述键合基板内，在可控的降温中冷却所述键合基板，然后将所述键合基板保持在一个适宜蚀刻的温度，蚀刻所述键合基板内的金属图案，其中，蚀刻剂通过所述通孔流入金属图案，在键合基板内形成的一个空间，其中，所述空间具有微特征。

公开(公告)号：CN101248340A

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN200680031097.6

申请日：2006-08-22

Applicant: 通用电气公司

Inventor： 斯坦利·丘 ,  西西拉·K·加梅奇 ,  权贤镇

IPC: G01L9/00 ,  B81B3/00 ,  G01L19/00

CPC classification number: G01L9/0054 ,  B81B2201/0264 ,  B81C3/001 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/036 ,  G01L9/0042 ,  Y10S257/909 ,  Y10S438/909

Abstract: 压力传感器包括与上衬底(14)硅熔接的下衬底(12)，在下衬底和上衬底之间设置有室(16)。下衬底和上衬底均包括硅。下衬底包括限定腔体(18)的壁和位于该腔体之上的隔膜部分(22)，其中腔体向所要感应的环境开放。该室对环境气密封。

公开(公告)号：CN107902626A

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：CN201711132891.6

申请日：2017-11-15

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 王建鹏

IPC: B81C3/00

CPC classification number: B81C3/001 ,  B81C2203/036

Abstract: 本发明提供了一种共晶键合的方法及半导体器件的制造方法，在所述第一晶圆的表面形成介质层；刻蚀部分厚度的介质层以形成一凹槽，在所述凹槽内形成铝材料层；将所述第一晶圆和所述第二晶圆进行共晶键合，由于所述铝材料层在凹槽内，共晶键合后铝锗合金也被限制在所述凹槽内，所述凹槽的侧壁可以阻挡铝锗合金的流动，避免器件出现短路或其他故障，也不用考虑铝锗合金厚度变化对器件总高度的影响，这样铝锗键合工艺的窗口可以扩大，同时提升铝锗键合工艺的稳定性和产品的良率。

公开(公告)号：CN107055459A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201710024010.2

申请日：2017-01-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑钧文 ,  李久康

IPC: B81B7/02

CPC classification number: B81C1/00238 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2207/096 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/036 ,  B81C2203/0785 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0228 ,  B81B2203/01 ,  B81B2203/03

Abstract: 本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括静止结构、弹簧和质量块。静止结构具有第一部分和第二部分。弹簧在衬底上方。弹簧具有从边缘突出的且朝向静止结构的第一部分延伸的第一突起。质量块在衬底上方且由弹簧支撑。质量块具有从边缘突出的且朝向静止结构的第二部分延伸的第二突起。第一突起和第一部分之间的第一间隙小于第二突起和第二部分之间的第二间隙。本发明的实施例还提供了一种微机电系统器件。

公开(公告)号：CN103964365B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310162964.1

申请日：2013-05-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 简廷颖 ,  邱义勋 ,  苏钦豪 ,  倪其聪

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  H01L23/31

CPC classification number: B81C1/00825 ,  B81B2207/03 ,  B81C1/00269 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/019 ,  B81C2203/035 ,  B81C2203/036 ,  B81C2203/054 ,  H01L21/50 ,  H01L22/32 ,  H01L23/10 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/32148 ,  H01L2224/32238 ,  H01L2224/32268 ,  H01L2224/83123 ,  H01L2224/83127 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83204 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83

Abstract: 公开了用于密封环结构的方法和装置。可以在第一晶圆和/或第二晶圆上形成晶圆密封环。在第一晶圆和/或第二晶圆中的一个或两个上可以形成有一个或多个管芯。晶圆密封环可以围绕对应的晶圆的管芯形成。一个或多个管芯密封环可以围绕一个或多个管芯形成。晶圆密封环可以形成为高度可以约等于在第一晶圆和/或第二晶圆上形成的一个或多个管芯密封环的高度。可以形成晶圆密封环以实现共晶或者熔融接合工艺。可以将第一晶圆和第二晶圆接合在一起以在第一晶圆和第二晶圆之间形成密封环结构。密封环结构可以在第一晶圆和第二晶圆之间提供密封。

公开(公告)号：CN106241729A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610409113.6

申请日：2016-06-12

Applicant: 因文森斯公司

Inventor： 李大成 ,  辛宗祐 ,  J·I·辛 ,  P·斯迈伊丝

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00301 ,  B81C2201/013 ,  B81C2203/036 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/5226 ,  B81C1/00261

Abstract: 本发明涉及一种包括接触层的CMOS-MEMS集成装置及制造方法，其是一种用于形成MEMS装置的方法。该MEMS装置包括MEMS衬底及底座衬底。该MEMS衬底包括操作层、装置层及介于之间的绝缘层。本方法包括下列循序步骤：在该装置层上提供隔绝体；穿过该装置层及该绝缘层蚀刻贯孔；在该贯孔内提供接触层，其中该接触层在该装置层与该操作层之间提供电连接；在该隔绝体上提供黏合层；以及将该黏合层黏合至该底座衬底上的接垫。