公开(公告)号：CN101276763A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200710138104.9

申请日：2007-07-26

Applicant: 国家半导体公司

Inventor： Y·C·侯 ,  S·M·杨 ,  S·M·陈 ,  W·K·滕

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/82 ,  H01L23/36 ,  H01L23/495 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/4334 ,  H01L21/78 ,  H01L23/49548 ,  H01L24/97 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

Abstract: 具有集成热沉的集成电路装置。描述了一种以晶片级在集成电路装置的背面形成集成热沉的方法。在晶片的背面淀积第一金属层。在该第一金属层上淀积第二金属层。可选地，在该第二金属层上淀积第三金属层。第一金属层、第二金属层以及可选的第三金属层形成用于晶片的集成热沉。当晶片被切割成多个半导体装置时，每个半导体装置具有在其背面形成的集成热沉，包括第一金属层、第二金属层和可选的第三金属层。可选地，每个半导体装置通过焊球凸点或键合引线与引线框相连，以形成集成电路(IC)封装体。