公开(公告)号：CN106471687B

公开(公告)日：2019-02-19

申请号：CN201580011021.6

申请日：2015-02-24

Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构

Inventor： 野田进 ,  井上卓也 ,  浅野卓 ,  M·德佐萨

IPC: H01S5/04 ,  H01S5/12 ,  H01S5/18 ,  H01S5/34

Abstract: 本发明提供一种能够以与光电转换元件同样快的响应速度进行光的强弱切换的热辐射光源。热辐射光源(10)具备：二维光子晶体(12)，其在将由n型半导体形成的n层(112)、具有量子阱结构的量子阱结构层(114)以及由p型半导体形成的p层(111)依此序层叠而成的板材(11)内，周期性地配置有折射率与n层(112)、p层(111)及量子阱结构层(114)的折射率不同的异折射率区域(空孔(121))，使得与量子阱结构层(114)中的量子阱内的子带之间的跃迁能量对应的特定波长的光发生谐振；以及p型电极(131)和n型电极(132)，其向板材(11)施加p层(111)侧为负、n层(112)侧为正的电压。

公开(公告)号：CN106471687A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201580011021.6

申请日：2015-02-24

Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构

Inventor： 野田进 ,  井上卓也 ,  浅野卓 ,  M·德佐萨

IPC: H01S5/04 ,  H01S5/12 ,  H01S5/18 ,  H01S5/34

CPC classification number: H01S5/18319 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/02453 ,  H01S5/02461 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/0428 ,  H01S5/105 ,  H01S5/18316 ,  H01S5/3086 ,  H01S5/309 ,  H01S5/3402 ,  H01S5/3419 ,  H01S2302/02

Abstract: 本发明提供一种能够以与光电转换元件同样快的响应速度进行光的强弱切换的热辐射光源。热辐射光源(10)具备：二维光子晶体(12)，其在将由n型半导体形成的n层(112)、具有量子阱结构的量子阱结构层(114)以及由p型半导体形成的p层(111)依此序层叠而成的板材(11)内，周期性地配置有折射率与n层(112)、p层(111)及量子阱结构层(114)的折射率不同的异折射率区域(空孔(121))，使得与量子阱结构层(114)中的量子阱内的子带之间的跃迁能量对应的特定波长的光发生谐振；以及p型电极(131)和n型电极(112)侧为正的电压。(132)，其向板材(11)施加p层(111)侧为负、n层

公开(公告)号：CN105027428A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201480013123.7

申请日：2014-02-28

Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构

Inventor： 野田進 ,  芝原达哉 ,  M·德佐萨 ,  浅野卓 ,  北野圭辅 ,  铃木克佳 ,  井上卓也 ,  石崎贤司

IPC: H02S10/30 ,  H01K1/04

CPC classification number: H02S10/30 ,  G02B1/005 ,  H01K1/04 ,  H01L31/054 ,  H01L31/055 ,  Y02E10/52

Abstract: 本发明提供一种材料的选择余地比以往更大、由此能够容易地得到具有目标的峰值波长的光的热辐射光源。热辐射光源(10)具备热－光转换器，该热－光转换器具有在由本征半导体形成的构件(11)上以同波长比与该本征半导体的带隙相对应的波长短的光共振的方式形成有折射率分布的光学结构。在从外部向热－光转换器供给热时，由于本征半导体的带间吸收而产生在比截止波长短的波段中具有光谱的发光，该波段中的、在光学结构中共振的共振波长(λr)的光被选择性地加强，作为热辐射光而发光。在本发明中，采用材料的选择余地较大的本征半导体，因此能够容易地得到产生具有目标的峰值波长的窄频带的光的热辐射光源。

公开(公告)号：CN105027428B

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201480013123.7

申请日：2014-02-28

Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构

Inventor： 野田進 ,  芝原达哉 ,  M·德佐萨 ,  浅野卓 ,  北野圭辅 ,  铃木克佳 ,  井上卓也 ,  石崎贤司

IPC: H02S10/30 ,  H01K1/04

CPC classification number: H02S10/30 ,  G02B1/005 ,  H01K1/04 ,  H01L31/054 ,  H01L31/055 ,  Y02E10/52

Abstract: 本发明提供一种材料的选择余地比以往更大、由此能够容易地得到具有目标的峰值波长的光的热辐射光源。热辐射光源(10)具备热－光转换器，该热－光转换器具有在由本征半导体形成的构件(11)上以同波长比与该本征半导体的带隙相对应的波长短的光共振的方式形成有折射率分布的光学结构。在从外部向热－光转换器供给热时，由于本征半导体的带间吸收而产生在比截止波长短的波段中具有光谱的发光，该波段中的、在光学结构中共振的共振波长(λr)的光被选择性地加强，作为热辐射光而发光。在本发明中，采用材料的选择余地较大的本征半导体，因此能够容易地得到产生具有目标的峰值波长的窄频带的光的热辐射光源。