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公开(公告)号：CN107078222B
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201580050438.3
申请日：2015-09-16
Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构 , 国立大学法人东京工业大学 , AGC , 株式会社
Abstract: 一种发光元件，其具有以相互分离地对置的方式配置在基板的第一表面上的一对第一电极、配置在所述第一电极的至少一个上的发光层、配置在所述发光层上的第二电极、和将所述第一电极的各个电极连接的桥接层，所述桥接层由具有100kΩ～100MΩ范围的电阻的材料构成。
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公开(公告)号：CN105849929B
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201480071371.7
申请日：2014-12-04
Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构 , 国立大学法人东京工业大学 , 旭硝子株式会社
CPC classification number: H01L51/5072 , H01L51/0081 , H01L51/0085 , H01L51/4273 , H01L51/44 , H01L51/5092 , H01L51/5096 , H01L2251/303 , H01L2251/5353 , Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及一种非晶金属氧化物的薄膜，其含有锌(Zn)、硅(Si)和氧(O)，其中Zn/(Zn+Si)的原子数比为0.30～0.95。
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公开(公告)号：CN104411860B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201380032070.9
申请日：2013-06-19
Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构 , 国立大学法人东京工业大学 , 旭硝子株式会社
CPC classification number: H01B1/08 , C04B35/44 , C04B35/62645 , C04B2235/3208 , C04B2235/664 , C23C14/08 , C23C14/3414 , C23C14/35 , H01L51/5221
Abstract: 一种C12A7电子化合物的薄膜的制造方法，其特征在于，使用电子密度为2.0×1018cm‑3～2.3×1021cm‑3的结晶质C12A7电子化合物的靶，在低氧分压的气氛下利用气相蒸镀法在基板上进行成膜，由此形成非晶质C12A7电子化合物的薄膜。
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公开(公告)号：CN105849929A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201480071371.7
申请日：2014-12-04
Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构 , 国立大学法人东京工业大学 , 旭硝子株式会社
CPC classification number: H01L51/5072 , H01L51/0081 , H01L51/0085 , H01L51/4273 , H01L51/44 , H01L51/5092 , H01L51/5096 , H01L2251/303 , H01L2251/5353 , Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及一种非晶金属氧化物的薄膜，其含有锌(Zn)、硅(Si)和氧(O)，其中Zn/(Zn+Si)的原子数比为0.30～0.95。
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公开(公告)号：CN107078222A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580050438.3
申请日：2015-09-16
Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构 , 国立大学法人东京工业大学 , 旭硝子株式会社
CPC classification number: H01L51/5092 , H01L27/3244 , H01L27/3276 , H01L27/3281 , H01L51/0096 , H01L51/5012 , H01L51/5048 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L51/5088 , H01L51/5203 , H01L51/56 , H01L2251/5392 , H01L2251/558 , H05B33/06 , H05B33/26
Abstract: 一种发光元件，其具有以相互分离地对置的方式配置在基板的第一表面上的一对第一电极、配置在所述第一电极的至少一个上的发光层、配置在所述发光层上的第二电极、和将所述第一电极的各个电极连接的桥接层，所述桥接层由具有100kΩ～100MΩ范围的电阻的材料构成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106687616A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201580050390.6
申请日：2015-09-16
Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构 , 国立大学法人东京工业大学 , 旭硝子株式会社
Abstract: 一种金属氧化物的薄膜，所述薄膜含有锌(Zn)、锡(Sn)、硅(Si)和氧(O)，以氧化物换算计，相对于所述薄膜的氧化物的合计100摩尔％，SnO2超过15摩尔％且在95摩尔％以下。
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公开(公告)号：CN108025921B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201680052923.9
申请日：2016-09-15
Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构 , 国立大学法人东京工业大学
Abstract: 本发明提供一种拉夫斯相金属间化合物、以该金属间化合物为活性成分的催化剂、以及使用该催化剂的氨的制造方法，所述拉夫斯相金属间化合物是具有由通式ARu2(A是Y、Sc、或选自除Ce以外的镧系元素中的一种以上的元素)表示的组成的拉夫斯相金属间化合物，其晶粒尺寸为1nm以上且100nm以下。
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公开(公告)号：CN110891681A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201880045971.4
申请日：2018-07-12
Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构 , 国立大学法人东京工业大学
Abstract: 本发明提供稳定性和活性高的金属间化合物和使用该金属间化合物的催化剂。一种吸放氢材料，包含通式(1)表示的金属间化合物。RTX……(1)(式中，R表示镧系元素，T表示属于元素周期表第4周期或第5周期的过渡金属，X表示Si、Al或Ge)。
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公开(公告)号：CN107206363A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201580065262.9
申请日：2015-12-04
Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构 , 国立大学法人东京工业大学
IPC: B01J27/24 , C01B21/092 , C01C1/04
CPC classification number: C01C1/0411 , B01J21/18 , B01J23/462 , B01J23/58 , B01J23/63 , B01J23/648 , B01J27/24 , B01J35/0046 , B01J35/006 , B01J35/0066 , B01J35/1014 , B01J35/1019 , B01J37/0072 , B01J37/0205 , B01J37/0209 , B01J37/04 , B01J37/08 , B01J37/082 , B01J37/086 , C01B3/047 , C01B21/0923 , C01B21/0926 , C01P2004/04 , Y02P20/52
Abstract: 本发明的课题在于，Ca2N等具有层状晶体结构的二维电子化合物通过负载过渡金属，从而成为具有高活性的氨合成催化剂。但是，由于二维电子化物不稳定，所以作为催化剂的稳定性低。此外，在将二维电子化物用作催化剂的载体的情况下，缺乏加工性，难以根据反应需要进行催化剂的成型。解决方案是一种复合体，其特征在于，其是包含过渡金属、载体和由下述通式(1)表示的金属氨基化合物的复合体，所述载体是金属氧化物或碳质载体，所述金属氨基化合物是由下述通式(1)表示的金属氨基化合物。M(NH2)x(1)(所述通式(1)中，M表示从Li、Na、K、Be、Mg、Ca、Sr、Ba和Eu中选出的至少一种金属原子，x表示M的价数）。
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公开(公告)号：CN106232523A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201580011848.7
申请日：2015-02-12
Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构 , 国立大学法人东京工业大学
CPC classification number: B01J20/041 , B01J20/08 , C01C1/006 , C01F7/164 , C01F7/166 , C01P2002/82 , C01P2002/86 , C01P2006/40
Abstract: 本发明的课题是，提供即使在大气中、溶液中也能稳定地保有亚氨基阴离子(NH2-)的材料的开发、及其合成方法、用途。本发明的构成是一种钙铝石型化合物，其特征在于，注入1×1018cm-3以上的浓度的亚氨基阴离子。其能够通过在液化氨中在450℃至700℃、压力30～100MPa的范围内对在笼中含有电子或者游离氧离子的钙铝石型化合物进行加热处理而制备。对于该化合物而言，活性的亚氨基阴离子的取入和作为氨的放出容易，并且具有化学稳定性。
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