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公开(公告)号:CN100505236C
公开(公告)日:2009-06-24
申请号:CN200710139955.5
申请日:2007-08-03
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor: 詹姆斯·P.·多伊尔 , 布鲁斯·G.·艾尔梅格林 , 利亚·克鲁辛-艾尔鲍姆 , 林仲汉 , 刘小虎 , 丹尼斯·M.·纽恩斯 , 克里斯蒂·森塞尼什·蒂伯格
IPC: H01L23/525 , H01L21/768
CPC classification number: H01L45/1233 , G11C13/0004 , H01L45/06 , H01L45/1206 , H01L45/1286 , H01L45/1293 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1666
Abstract: 一种用于集成电路器件中的电可再编程熔丝(eFUSE)器件,包括:延长的加热器元件、包围延长的加热器元件的外表面的,对应于其纵轴的,使延长的加热器元件的相对端与第一和第二加热器电极电接触的电绝缘衬垫。相变材料(PCM)包围电绝缘衬垫的外表面的一部分,热和电绝缘层包围PCM的外表面,并且第一和第二熔丝电极与PCM的相对端电接触。PCM密封在电绝缘衬垫、热和电绝缘层,以及第一和第二熔丝电极中。
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公开(公告)号:CN101241926B
公开(公告)日:2010-06-16
申请号:CN200810002085.1
申请日:2008-01-16
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor: 丹尼斯·M.·纽恩斯 , 朴炳柱 , 金德起 , 布鲁斯·G.·埃尔米格林 , 利亚·克鲁辛-艾尔鲍姆 , 萨布拉玛尼安·S.·伊耶
CPC classification number: H01L27/2436 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0069 , G11C2013/008 , H01L45/06 , H01L45/1206 , H01L45/122 , H01L45/1286 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1675
Abstract: 一种可编程相变材料(PCM)结构,包括在半导体器件的晶体管栅极级形成的加热器元件,加热器元件还包括由相对于电极的细线结构连接的一对电极,加热器元件配置成接收通过那里的编程电流,位于细线结构的一部分顶上的一层相变材料,以及配置成感测相变材料的电阻的感测电路系统。
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公开(公告)号:CN101131989A
公开(公告)日:2008-02-27
申请号:CN200710139955.5
申请日:2007-08-03
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor: 詹姆斯·P.·多伊尔 , 布鲁斯·G.·艾尔梅格林 , 利亚·克鲁辛-艾尔鲍姆 , 林仲汉 , 刘小虎 , 丹尼斯·M.·纽恩斯 , 克里斯蒂·森塞尼什·蒂伯格
IPC: H01L23/525 , H01L21/768
CPC classification number: H01L45/1233 , G11C13/0004 , H01L45/06 , H01L45/1206 , H01L45/1286 , H01L45/1293 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1666
Abstract: 一种用于集成电路器件中的电可再编程熔丝(eFUSE)器件,包括:延长的加热器元件、包围延长的加热器元件的外表面的,对应于其纵轴的,使延长的加热器元件的相对端与第一和第二加热器电极电接触的电绝缘衬垫。相变材料(PCM)包围电绝缘衬垫的外表面的一部分,热和电绝缘层包围PCM的外表面,并且第一和第二熔丝电极与PCM的相对端电接触。PCM密封在电绝缘衬垫、热和电绝缘层,以及第一和第二熔丝电极中。
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公开(公告)号:CN101171696B
公开(公告)日:2011-12-21
申请号:CN200680015365.5
申请日:2006-01-13
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor: 利亚·克鲁辛-埃尔保姆 , 丹尼斯·M.·纽恩斯
CPC classification number: H01L45/06 , H01L27/2436 , H01L45/1206 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/1286 , H01L45/144 , H01L45/148
Abstract: 存储单元包含存储信息位的相变材料(PCM)元件。PCM元件外部的加热元件改变信息位。冷却元件增大信息位改变的速度。冷却元件优选为PCM元件的表面附近的用于加热和冷却所述表面的珀耳帖器件。
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公开(公告)号:CN101241926A
公开(公告)日:2008-08-13
申请号:CN200810002085.1
申请日:2008-01-16
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor: 丹尼斯·M.·纽恩斯 , 朴炳柱 , 金德起 , 布鲁斯·G.·埃尔米格林 , 利亚·克鲁辛-艾尔鲍姆 , 萨布拉玛尼安·S.·伊耶
CPC classification number: H01L27/2436 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0069 , G11C2013/008 , H01L45/06 , H01L45/1206 , H01L45/122 , H01L45/1286 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1675
Abstract: 一种可编程相变材料(PCM)结构,包括在半导体器件的晶体管栅极级形成的加热器元件,加热器元件还包括由相对于电极的细线结构连接的一对电极,加热器元件配置成接收通过那里的编程电流,位于细线结构的一部分顶上的一层相变材料,以及配置成感测相变材料的电阻的感测电路系统。
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公开(公告)号:CN101171696A
公开(公告)日:2008-04-30
申请号:CN200680015365.5
申请日:2006-01-13
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor: 利亚·克鲁辛-埃尔保姆 , 丹尼斯·M.·纽恩斯
CPC classification number: H01L45/06 , H01L27/2436 , H01L45/1206 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/1286 , H01L45/144 , H01L45/148
Abstract: 存储单元包含存储信息位的相变材料(PCM)元件。PCM元件外部的加热元件改变信息位。冷却元件增大信息位改变的速度。冷却元件优选为PCM元件的表面附近的用于加热和冷却所述表面的珀耳帖器件。
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