公开(公告)号：CN104040684A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201380004855.5

申请日：2013-01-03

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： E·C·库尼 ,  J·P·甘比诺 ,  何忠祥 ,  T·C·李 ,  刘小虎

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L23/5227 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L28/10 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 用于制造后段制程(BEOL)布线结构的方法、BEOL布线结构(10)、以及用于BEOL布线结构的设计结构。可以通过在电介质层(18)中形成第一接线(44、45)并且在无氧环境中对第一接线退火而制造BEOL布线。在对第一接线退火之后，形成与第一接线竖直对准的第二接线(60、61)。形成包括诸如聚酰亚胺的有机材料的最终钝化层(74)，其覆盖第二接线的整个侧壁。

公开(公告)号：CN103843121A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201280045981.0

申请日：2012-09-11

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： E·C·库尼 ,  杰弗里·P·甘比诺 ,  何忠祥 ,  刘小虎 ,  托马斯·L·麦克德维特 ,  G·L·米洛 ,  威廉·J·墨菲

IPC: H01L21/4763

CPC classification number: H01L21/76802 ,  H01L21/7682 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53295 ,  H01L23/562 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本申请涉及用于减小垂直裂纹传播的结构与方法。一种设备包括绝缘体和在绝缘体上的各层。这些层中每一层都包括第一金属导体和位于所述第一金属导体附近的第二金属导体。第一金属导体包括第一垂直堆叠结构，以及第二金属导体包括第二垂直堆叠结构。至少一个空气间隙位于第一垂直堆叠的结构和第二垂直堆叠的结构之间。所述间隙可包括金属填充物。

公开(公告)号：CN102640314B

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201080055227.6

申请日：2010-12-03

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 刘小虎 ,  D.纽恩斯 ,  L.克鲁辛-伊-鲍姆 ,  G.J.马丁纳 ,  B.G.埃尔姆格林 ,  陈冠能

IPC: H01L41/08

CPC classification number: H01L49/00 ,  H01C10/103

Abstract: 用于将压电材料产生的应力耦合到集成电路的致动器件的耦合结构包括：形成在压电(PE)材料和所述致动器件周围的刚硬的刚性体结构，所述致动器件包括具有取决于施加至其上的压力的电阻的压阻(PR)材料；和形成在PE材料和PR材料周围的软的缓冲结构，所述缓冲结构设置在所述PE及PR材料与所述刚性体结构之间，其中对于所述PE和PR材料形成于其上的基底，所述刚性体结构夹住所述PE和PR材料两者，且其中所述软的缓冲结构允许所述PE材料相对于所述PR材料运动的自由，由此将由向所述PE材料施加的电压产生的应力耦合到所述PR材料以改变所述PR材料的电阻。

公开(公告)号：CN101262011B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200810083456.3

申请日：2008-03-05

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B·B·多丽斯 ,  刘小虎

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L29/7843

Abstract: 具有分别被应变的沟道区的NFET和PFET器件及其制造方法。应力层以应力层相对栅极而言为非保形的方式覆盖器件。与保形应力层相比，应力层的非保形增加了被引入到器件的沟道上的应力的量。用于以非保形方式覆盖的方法包括非保形沉积技术，以及随后通过刻蚀将层转变成非保形层的保形沉积。

公开(公告)号：CN100456467C

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200410090600.8

申请日：2004-11-05

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 丹尼尔·查尔斯·艾德尔斯坦 ,  保罗·斯蒂芬·安德雷 ,  利纳·帕维基·布奇沃尔特 ,  约翰·阿尔弗雷德·卡塞 ,  谢里夫·A·高马 ,  雷蒙德·R·霍尔顿 ,  加雷斯·杰奥弗雷·修加姆 ,  迈克尔·怀恩·雷恩 ,  刘小虎 ,  奇拉克·苏利亚康特·帕特尔 ,  埃德蒙德·尤利斯·斯普罗吉斯 ,  迈克雷·雷格·斯廷 ,  布赖恩·理查德·桑德罗夫 ,  曾康怡 ,  乔治·弗雷德里克·沃克尔

IPC: H01L23/538 ,  H01L23/14 ,  H01L23/48 ,  H01L21/02 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L23/49883 ,  H01L21/486 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/49827 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种载体结构和用来制造具有穿透通道的载体结构的方法，各个穿透通道具有导电结构，其有效热膨胀系数小于或紧密匹配于衬底，且有效弹性模量小于或紧密匹配于衬底。此导电结构可以包括不同的材料同心地排列在其中的同心通道填充区、导电材料的环形环所环绕的衬底材料的核心、导电材料的环形环所环绕的CTE匹配的不导电材料的核心、具有低CTE内空洞的导电通道、或诸如已经被烧结或熔融的金属-陶瓷粘胶之类的导电复合物材料的完全填充。

公开(公告)号：CN101262011A

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200810083456.3

申请日：2008-03-05

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B·B·多丽斯 ,  刘小虎

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L29/7843

Abstract: 具有分别被应变的沟道区的NFET和PFET器件及其制造方法。应力层以应力层相对栅极而言为非保形的方式覆盖器件。与保形应力层相比，应力层的非保形增加了被引入到器件的沟道上的应力的量。用于以非保形方式覆盖的方法包括非保形沉积技术，以及随后通过刻蚀将层转变成非保形层的保形沉积。

公开(公告)号：CN1510742A

公开(公告)日：2004-07-07

申请号：CN200310120319.X

申请日：2003-12-05

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 加雷思·G·霍汉姆 ,  S·杰伊·切 ,  詹姆斯·P·多伊尔 ,  刘小虎 ,  克里斯托弗·V·扬尼斯 ,  保罗·A·劳罗 ,  南希·C·拉比安卡 ,  迈克尔·J·詹克斯

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/02 ,  H01L23/48 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  C09K3/00 ,  C09K3/10 ,  B81B7/02 ,  B81C5/00

CPC classification number: B81B3/0035 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/249986 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种用于弹性体复合物热膨胀系数补偿的负热膨胀系统器件及微电子封装中的导电弹性体互连。本发明的一个方面提供一种制造具有负热膨胀系数的微机械器件的方法，该器件可做成复合物以控制材料的热膨胀系数。以此器件制成的器件和复合物属于称作“智能材料”或“响应性材料”的材料种类。本发明的另一方面提供由两个对立双重材料构成的微器件，其中两个双层仅在周边彼此连接，且双层自身在由双层形成时的温度定义的参考温度下处于最小应力条件。这些器件具有随着器件温度降到参考温度或加工温度之下而发生体积膨胀的技术上有用的性能。

公开(公告)号：CN102956568B

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201210302611.2

申请日：2012-08-23

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S.W.比德尔 ,  K.E.福格尔 ,  P.A.劳罗 ,  刘小虎 ,  D.K.萨达纳

IPC: H01L23/00

CPC classification number: H01L21/30 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/50

Abstract: 本公开提供一种剥离方法和一种转移材料层的方法。该剥离方法包括：在基底基板的表面上沉积应力施加层；使应力施加层与平坦转移表面接触。然后平坦转移表面沿一平面横移，该平面平行于基底基板的上表面并具有离开基底基板的上表面的垂直偏移。在从基底基板的第一边缘到基底基板的相对的第二边缘的方向上横移平坦转移表面，以使基底基板分裂并将基底基板的被剥离部分转移到平坦转移表面。平坦转移表面沿其横移的所述平面与基底基板的上表面之间的垂直偏移是固定距离。垂直偏移的固定距离提供均匀的剥离力。本公开还提供一种包括转移辊的剥离方法。

公开(公告)号：CN101859770B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201010159432.9

申请日：2010-03-31

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 利迪贾·塞卡里克 ,  杜雷塞提·奇德姆巴拉奥 ,  刘小虎

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/775 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/78696 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/938

Abstract: 本发明公开了一种半导体结构及其形成方法。在两端具有两个半导体垫的半导体纳米线浮置于衬底上方。应力产生衬垫部形成于所述两个半导体垫上方，而所述半导体纳米线的中间部被暴露。栅极电介质和栅极电极形成于所述半导体纳米线的中间部的上方而所述半导体纳米线由于所述应力产生衬垫部在纵向应力之下。所述半导体纳米线的中间部在所述应力产生衬垫的去除之后在内置固有纵向应力之下，因为所述栅极电介质和栅极电极的形成将所述半导体纳米线锁在受到应变的状态中。源极和漏极区形成于所述半导体垫中以便提供半导体纳米线晶体管。中段(MOL)电介质层可以直接形成于所述源极和漏极垫上。

公开(公告)号：CN101548362B

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN200680002276.7

申请日：2006-01-12

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： C·D·迪米特罗普洛斯 ,  S·M·盖茨 ,  A·格里尔 ,  M·W·莱恩 ,  E·G·利宁格 ,  刘小虎 ,  S·V·恩古源 ,  D·A·诺伊迈尔 ,  T·M·肖

IPC: H01L21/20 ,  B32B3/26 ,  B05C11/00

CPC classification number: H01L21/76834 ,  C23C16/30 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  Y10T428/249953 ,  Y10T428/249969 ,  Y10T428/249979

Abstract: 本发明描述了一种用于制造具有受控的双轴应力的超低介电常数层的方法，所述方法包括以下步骤：通过PECVD和旋涂中的一种形成包含Si、C、O和H的层，并且在包含均小于10ppm的非常低浓度的氧气和水的环境中固化所述膜。还通过使用所述方法描述了一种具有不大于2.8的介电常数的材料。本发明克服了形成具有小于46MPa的低双轴应力的膜的问题。