公开(公告)号：CN118302848A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202280078058.0

申请日：2022-09-04

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 堀部晃启 ,  陈倩文 ,  宫泽理沙 ,  M·贝尔扬斯基 ,  J·克尼克尔布克尔 ,  久田隆史

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/56 ,  C09J5/06

Abstract: 分选器晶片和分选晶片的方法包括定位分选器，该分选器通过包括解除接合层、光学增强层和抗反射层的接合层附接到晶片。使用激光器将分选器从晶片上解除接合，该激光器发射一定波长的激光能量，该波长的激光能量被解除接合层吸收并被光学增强层限制在解除接合层中，使得当解除接合层的材料暴露于激光能量时，该材料被烧蚀，从而释放晶片。

公开(公告)号：CN1494645A

公开(公告)日：2004-05-05

申请号：CN01823063.6

申请日：2001-12-21

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 堀部晃启 ,  西海聪子

IPC: F21V8/00 ,  G02F1/13357 ,  G09F9/00

CPC classification number: G02B6/0028 ,  G02B6/0046 ,  G02B6/0071 ,  G02B6/009

Abstract: 提供一种改善了暗部、所谓的角斑的照明装置、液晶显示装置和灯座。本发明的照明装置包括：包含使光线入射的入射面(46)和使来自该入射面的光线发射用的发光面(46)导光片(28)；为了使光线照射在该导光片(28)上，与导光片(28)相邻配置、包含发光部和非发光部的光源(30)；收容光源(30)的至少一端的灯座(34)；以及沿光源(30)延伸，反射来自光源(30)的光线的反射镜(32)。照明装置的灯座(34)使300nm～900nm波长的光散射，透射率为20％～90％。另外，本发明还涉及使用上述的侧面照明装置的显示装置。

公开(公告)号：CN117652020A

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN202280050589.9

申请日：2022-08-11

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 青木丰广 ,  久田隆史 ,  堀部晃启

IPC: H01L23/538

Abstract: 一种制造桥接多芯片组件结构(150)的方法包括提供载体基板(300)。该方法还包括将多个芯片(100)以预定布局布置在载体基板(300)上。每个芯片(100)具有前表面(102)，该前表面(102)包括形成在其上的一组端子(108)。该方法还包括在多个芯片(100)之间以及在载体基板(300)上沉积模制材料(310)。该方法还包括从通过模制材料(310)固定的多个芯片(100)去除载体基板(300)。该方法还包括将桥芯片(120)接合到由模制材料(310)固定的多个芯片(100)中的至少两个芯片(100A,100B)的对应端子组(108)。

公开(公告)号：CN110999551B

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN201880051237.9

申请日：2018-08-01

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 冈本圭司 ,  堀部晃启 ,  森裕幸

IPC: H05K3/06

Abstract: 公开了一种通过使用互连衬底来互连芯片的技术。互连衬底包括：基底衬底；在基底衬底上的第一电极组，用于待安装的第一芯片；以及在基底衬底上的第二组电极，用于待安装的第二芯片。互连衬底还包括互连层，该互连层包括用于第一芯片的第一组焊盘，用于第二芯片的第二组焊盘，迹线和有机绝缘材料。互连层设置在基础衬底上并且位于基础衬底上的在第一组电极与第二组电极之间的限定区域内。

公开(公告)号：CN118369751A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202280080612.9

申请日：2022-08-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 青木丰广 ,  石川千波 ,  宫泽理沙 ,  堀部晃启 ,  久田隆史

IPC: H01L21/56

Abstract: 一种电子器件，通过在结合到支撑基板的集成电路(IC)芯片的周边周围分配底部填充材料而形成。空隙存在于所述底部填充材料中，所述底部填充材料存在于所述IC芯片和所述支撑基板之间。开口穿过IC芯片和支撑基板中的至少一个而存在，与空隙连通。通过穿过IC芯片而存在的开口，可以将真空施加到空隙，以将空隙的尺寸减小到第一体积。用密封板密封穿过IC芯片而存在的开口。在密封开口之后固化底部填充材料，以将空隙减小到至少第二体积，该第二体积小于第一体积。

公开(公告)号：CN117397025A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202280037411.0

申请日：2022-05-25

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 堀部晃启 ,  渡边敬仁 ,  青木豊广 ,  九田隆史 ,  森裕幸

IPC: H01L23/538

Abstract: 通过桥元件的第一芯片和第二芯片的互连包括用于操作第一芯片和第二芯片的芯片操作器。第一芯片和第二芯片中的每个具有包括第一组端子的第一表面和与第一表面相对的第二表面。芯片操作器具有开口以及至少一个支撑表面，至少一个支撑表面用于当第一芯片和第二芯片被安装到芯片操作器上时支撑第一芯片和第二芯片的第一表面。芯片支撑元件从第二表面支撑第一芯片和第二芯片，并且桥操作器被提供用于通过芯片操作器的开口插入桥元件以及用于将桥元件放置在第一芯片和第二芯片的第一组端子上。

公开(公告)号：CN110870127B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN201880046518.5

申请日：2018-07-26

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 堀部晃启 ,  渡边敬仁 ,  末冈邦昭

IPC: H01M10/0583

Abstract: 公开了一种与电池结构有关的技术。制备基础衬底和具有支撑衬底的电池层。电池层包括形成在支撑衬底上的保护层，形成在该保护层上的薄膜电池元件以及覆盖该薄膜电池元件的绝缘体。将电池层放置在基础衬底上，并使支撑衬底的底部朝上。然后至少部分地通过蚀刻从电池层去除支撑衬底，并且通过保护层保护薄膜电池元件。还公开了包括基础衬底和两个或更多个电池层的堆叠式电池结构。

公开(公告)号：CN110870127A

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：CN201880046518.5

申请日：2018-07-26

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 堀部晃启 ,  渡边敬仁 ,  末冈邦昭

IPC: H01M10/0583

Abstract: 公开了一种与电池结构有关的技术。制备基础衬底和具有支撑衬底的电池层。电池层包括形成在支撑衬底上的保护层，形成在该保护层上的薄膜电池元件以及覆盖该薄膜电池元件的绝缘体。将电池层放置在基础衬底上，并使支撑衬底的底部朝上。然后至少部分地通过蚀刻从电池层去除支撑衬底，并且通过保护层保护薄膜电池元件。还公开了包括基础衬底和两个或更多个电池层的堆叠式电池结构。

公开(公告)号：CN111095511A

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201880058875.3

申请日：2018-09-28

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 宗藤诚治 ,  C·苏布拉曼尼亚 ,  堀部晃启 ,  末冈邦昭 ,  甲田泰照

IPC: H01L21/66

Abstract: 芯片中间体包括包括多个芯片区域的半导体区域。所述芯片区域分别被切割为半导体芯片。沿着所述芯片区域的边缘设置切割区域，所述切割区域被切割以切出所述半导体芯片。在横跨所述切割区域的芯片区域的对面设置接触区域，所述接触区域被配置得与测试单元的探针接触以测试所述芯片区域，并且与切割区域一起连续地设置电气布线以连接所述芯片区域和所述接触区域。

公开(公告)号：CN110999551A

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201880051237.9

申请日：2018-08-01

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 冈本圭司 ,  堀部晃启 ,  森裕幸

IPC: H05K3/06

Abstract: 公开了一种通过使用互连衬底来互连芯片的技术。互连衬底包括：基底衬底；在基底衬底上的第一电极组，用于待安装的第一芯片；以及在基底衬底上的第二组电极，用于待安装的第二芯片。互连衬底还包括互连层，该互连层包括用于第一芯片的第一组焊盘，用于第二芯片的第二组焊盘，迹线和有机绝缘材料。互连层设置在基础衬底上并且位于基础衬底上的在第一组电极与第二组电极之间的限定区域内。