公开(公告)号：CN118435729A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202280075677.4

申请日：2022-11-09

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·哈希米 ,  孙赞红 ,  胡国菡 ,  S·扎雷

IPC: H10N50/01 ,  H10N50/10 ,  H10N50/80

Abstract: 提供了一种存储器结构，即磁阻随机存取存储器(MRAM)结构，其包括接种区，该接种区至少包括位于化学模板层下方的隧道势垒籽晶层，该隧道势垒籽晶层比位于化学模板层上的磁性隧道结(MTJ)结构更宽。再沉积的金属材料位于所述籽晶区域的隧道势垒籽晶层的至少侧壁上，以便对所述结构的该区域进行分流。该存储器结构具有减小的电阻，具有最小的隧道磁阻(TMR)损失代价。

公开(公告)号：CN114600263A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202080072785.7

申请日：2020-10-16

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 孙赞红

IPC: H01L43/08

Abstract: 提供了修改的双磁隧道结(mDMTJ)结构(100)，其包括夹在磁性自由层(108)和第一隧道势垒层之间的非磁性自旋导电金属层(106)；所述第一隧道势垒层(104)接触第一磁性参考层(102)。第二隧道势垒层(110)位于磁性自由层(108)上，并且第二磁性参考层(112)位于第二隧道势垒层(110)上。所述mDMTJ结构展现有效切换和快速读出。

公开(公告)号：CN119949076A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202380068564.6

申请日：2023-09-12

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·哈希米 ,  孙赞红

IPC: H10N50/20

Abstract: 提供一种磁阻随机存取存储器(MRAM)结构。该MRAM结构包括在磁性自由层(26)下面的手性自旋轨道转矩(SOT)金属底部电极(18)，其中手性SOT金属底部电极(18)被过孔介电材料结构(24)围绕。手性SOT金属底部电极(18)使得充电电流方向、自旋电流方向和自旋极化方向处于与手性SOT金属底部电极(18)的水平表面垂直的相同方向。

公开(公告)号：CN116649017A

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN202180081783.9

申请日：2021-11-17

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·哈什米 ,  B·B·多丽丝 ,  C·科桑达拉曼 ,  孙赞红

IPC: H10N50/01 ,  H10N50/10 ,  H10B61/00

Abstract: 提供了一种制造双磁性隧道结装置的方法。该方法包括：形成第一磁性隧道结叠层；在第一磁性隧道结叠层上形成自旋传导层；在自旋传导层上形成第二磁性隧道结叠层；以及在自旋传导层和第二磁性隧道结叠层的表面上形成电介质间隔物层。第二磁性隧道结叠层的宽度小于第一磁性隧道结叠层的宽度。此外，自旋传导层的宽度在厚度方向上从自旋传导层的邻近于第二磁性隧道结叠层的第一侧向自旋传导层的邻近于第一磁性隧道结叠层的第二侧增加。

公开(公告)号：CN116368953A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202180071119.6

申请日：2021-10-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： C·萨弗兰斯基 ,  孙赞红

IPC: H10B61/00 ,  H10N50/10

Abstract: 一种磁性存储器件，包括磁性隧道结(MTJ)柱，该磁性隧道结(MTJ)柱包含稳定谐振合成反铁磁(SAF)参考分层结构(10)，其中该SAF参考分层结构(10)的极化磁性层(20)的铁磁谐振特性基本上与该SAF参考分层结构(10)内的至少第一磁性参考层(16)匹配。通过使极化磁性层(20)的铁磁谐振特性与至少第一磁性参考层(16)基本匹配，提供了MTJ柱，在该MTJ柱中，极化磁性层(20)的动态稳定性可以提高，并且与写入错误相关的不期望的磁性参考层(16)不稳定性可以减轻。

公开(公告)号：CN114830363A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202080088298.X

申请日：2020-11-24

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： K·贾比尔 ,  D·沃利奇 ,  孙赞红 ,  P·哈希米

IPC: H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  G11C11/16

Abstract: 一种磁性隧道结(MTJ)器件(200)包括圆柱形柱结构和被设置在柱结构的至少一部分上的第一铁磁层(204)。第一铁磁层(204)呈现出在施加的偏置和热中的至少一者存在的情况下可改变的磁化。MTJ器件(200)还包括被设置在第一铁磁层(204)的至少一部分上的电介质阻挡层(206)和被设置在电介质阻挡层(206)的至少一部分上的第二铁磁层(202)。第二铁磁层(202)呈现出固定的磁化。MTJ器件(200)被配置为使得第一和第二铁磁层(202、204)以及电介质阻挡层(206)同心地围绕柱结构。