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发明公开
双磁隧道结装置审中-实审

公开(公告)号：CN116649017A

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN202180081783.9

申请日：2021-11-17

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·哈什米 , B·B·多丽丝 , C·科桑达拉曼 , 孙赞红

IPC: H10N50/01 , H10N50/10 , H10B61/00

Abstract: 提供了一种制造双磁性隧道结装置的方法。该方法包括：形成第一磁性隧道结叠层；在第一磁性隧道结叠层上形成自旋传导层；在自旋传导层上形成第二磁性隧道结叠层；以及在自旋传导层和第二磁性隧道结叠层的表面上形成电介质间隔物层。第二磁性隧道结叠层的宽度小于第一磁性隧道结叠层的宽度。此外，自旋传导层的宽度在厚度方向上从自旋传导层的邻近于第二磁性隧道结叠层的第一侧向自旋传导层的邻近于第一磁性隧道结叠层的第二侧增加。

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