公开(公告)号：CN101383337B

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：CN200810129458.1

申请日：2008-07-31

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·M·纽恩斯 ,  L·克鲁辛-艾尔鲍姆 ,  金德起 ,  陈冠能 ,  朴炳柱 ,  B·G·埃尔米格林 ,  林仲汉 ,  C·科桑达拉曼 ,  S·波卢索萨曼

IPC: H01L23/525 ,  H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C16/02 ,  G11C11/56

CPC classification number: H01L23/5256 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/122 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1286 ,  H01L45/1293 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1675 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种可编程相变材料(PCM)结构包括在半导体器件的BEOL级形成的加热器元件，该BEOL级包括低K电介质材料于其中；与加热器元件的第一端电接触的第一通孔和与加热器元件的第二端电接触的第二通孔，从而限定通过第一通孔、加热器元件和第二通孔的编程电流通路；置于加热器元件上的PCM元件，该PCM元件配置成通过使用经过加热器元件的编程电流在较低电阻结晶态与较高电阻非晶态之间编程；以及与PCM元件电接触的第三通孔，从而限定通过第三通孔、PCM元件、加热器元件和第二通孔的读出电流通路。

公开(公告)号：CN101383337A

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200810129458.1

申请日：2008-07-31

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·M·纽恩斯 ,  L·克鲁辛-艾尔鲍姆 ,  金德起 ,  陈冠能 ,  朴炳柱 ,  B·G·埃尔米格林 ,  林仲汉 ,  C·科桑达拉曼 ,  S·波卢索萨曼

IPC: H01L23/525 ,  H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C16/02 ,  G11C11/56

CPC classification number: H01L23/5256 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/122 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1286 ,  H01L45/1293 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1675 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种可编程相变材料(PCM)结构包括在半导体器件的BEOL级形成的加热器元件，该BEOL级包括低K电介质材料于其中；与加热器元件的第一端电接触的第一通孔和与加热器元件的第二端电接触的第二通孔，从而限定通过第一通孔、加热器元件和第二通孔的编程电流通路；置于加热器元件上的PCM元件，该PCM元件配置成通过使用经过加热器元件的编程电流在较低电阻结晶态与较高电阻非晶态之间编程；以及与PCM元件电接触的第三通孔，从而限定通过第三通孔、PCM元件、加热器元件和第二通孔的读出电流通路。

公开(公告)号：CN116649017A

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN202180081783.9

申请日：2021-11-17

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·哈什米 ,  B·B·多丽丝 ,  C·科桑达拉曼 ,  孙赞红

IPC: H10N50/01 ,  H10N50/10 ,  H10B61/00

Abstract: 提供了一种制造双磁性隧道结装置的方法。该方法包括：形成第一磁性隧道结叠层；在第一磁性隧道结叠层上形成自旋传导层；在自旋传导层上形成第二磁性隧道结叠层；以及在自旋传导层和第二磁性隧道结叠层的表面上形成电介质间隔物层。第二磁性隧道结叠层的宽度小于第一磁性隧道结叠层的宽度。此外，自旋传导层的宽度在厚度方向上从自旋传导层的邻近于第二磁性隧道结叠层的第一侧向自旋传导层的邻近于第一磁性隧道结叠层的第二侧增加。