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公开(公告)号：CN100338747C
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200510003722.3
申请日：2005-01-06
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 古川俊治 , 斯蒂芬·J·霍尔姆斯 , 马克·C·哈吉 , 戴维·V·霍拉克 , 查尔斯·W·考伯格三世 , 彼德·H·米切尔 , 拉里·A·内斯比特
IPC: H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L29/78 , C01B31/02 , B82B3/00 , B82B1/00
CPC classification number: H01L51/057 , B82Y10/00 , H01L51/0048
Abstract: 一种场效应晶体管，它采用垂直取向的碳纳米管作为晶体管本体，借助于垂直窗口内的淀积来形成纳米管，利用几个纳米管的可选平行组合来产生量子化的电流驱动，并利用顶部或底部处碳材料化学组成的可选改变来抑制短沟道效应。
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公开(公告)号：CN1638066A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200510003722.3
申请日：2005-01-06
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 古川俊治 , 斯蒂芬·J·霍尔姆斯 , 马克·C·哈吉 , 戴维·V·霍拉克 , 查尔斯·W·考伯格三世 , 彼德·H·米切尔 , 拉里·A·内斯比特
IPC: H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L29/78 , C01B31/02 , B82B3/00 , B82B1/00
CPC classification number: H01L51/057 , B82Y10/00 , H01L51/0048
Abstract: 一种场效应晶体管，它采用垂直取向的碳纳米管作为晶体管本体，借助于垂直窗口内的淀积来形成纳米管，利用几个纳米管的可选平行组合来产生量子化的电流驱动，并利用顶部或底部处碳材料化学组成的可选改变来抑制短沟道效应。
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公开(公告)号：CN101097405A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200710101823.3
申请日：2007-04-16
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 戴维·V.·霍拉克 , 查尔斯·W.克伯格三世 , 古川俊治 , 彼德·H·米切尔 , 斯蒂芬·J.·霍姆斯 , 马克·C.·哈克
CPC classification number: G03B27/42 , G03F7/70341 , G03F7/7085 , G03F7/70916
Abstract: 本发明涉及浸没式光刻曝光系统及探测其中异物的方法。具体地，本发明的实施方式提出了用于在浸没式光刻曝光机中探测颗粒或气泡的照明光的系统和方法等。更具体地，这里的实施方式提供了浸没式光刻曝光系统，其包括：用于保持晶片的晶片保持器、用于覆盖该晶片的浸液、分配和封锁所述浸液的浸头以及对该晶片上的抗蚀剂进行光刻曝光的光源。该系统还包括在浸头的第一位置的光探测器和在所述浸头中的第二位置的激光光源。
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