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公开(公告)号：CN102640270B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201080054741.8
申请日：2010-11-08
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/335 , H01L29/775
CPC classification number: H01L29/775 , B82Y10/00 , H01L21/845 , H01L27/1211 , H01L29/0665 , H01L29/42392 , H01L29/66439 , H01L29/66628 , H01L29/66772 , H01L29/78645 , H01L29/78696
Abstract: 一种用于形成纳米线场效应晶体管(FET)器件的方法，包括在半导体衬底(100)上形成纳米线(110)；在纳米线的第一部分上形成栅极结构；形成与第一栅极结构的侧壁相邻并且在纳米线的从第一栅极结构延伸的部分之上的第一保护性间隔物(604)；移除纳米线的未受第一间隔物保护的露出部分；以及在纳米线的露出截面上外延生长掺杂的半导体材料(902)以形成第一源极区域和第一漏极区域。
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公开(公告)号：CN102640270A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201080054741.8
申请日：2010-11-08
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/335 , H01L29/775
CPC classification number: H01L29/775 , B82Y10/00 , H01L21/845 , H01L27/1211 , H01L29/0665 , H01L29/42392 , H01L29/66439 , H01L29/66628 , H01L29/66772 , H01L29/78645 , H01L29/78696
Abstract: 一种用于形成纳米线场效应晶体管(FET)器件的方法，包括在半导体衬底(100)上形成纳米线(110)；在纳米线的第一部分上形成栅极结构；形成与第一栅极结构的侧壁相邻并且在纳米线的从第一栅极结构延伸的部分之上的第一保护性间隔物(604)；移除纳米线的未受第一间隔物保护的露出部分；以及在纳米线的露出截面上外延生长掺杂的半导体材料(902)以形成第一源极区域和第一漏极区域。
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公开(公告)号：CN102640271B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201080054985.6
申请日：2010-10-29
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/335 , H01L29/775
CPC classification number: H01L29/66772 , B82Y10/00 , H01L21/845 , H01L27/1211 , H01L29/0665 , H01L29/42392 , H01L29/66439 , H01L29/66628 , H01L29/775 , H01L29/78696
Abstract: 一种用于形成纳米线场效应晶体管(FET)器件的方法，该方法包括在半导体衬底(100)之上形成悬挂的纳米线(110)；形成环绕纳米线的一部分的栅极结构；形成与栅极的侧壁相邻并且环绕纳米线的从栅极延伸的部分的保护性间隔物(604)；移除纳米线的未受间隔物结构保护的露出部分；以及在纳米线的露出截面上外延生长掺杂的半导体材料(902)以形成源极区域和漏极区域。
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公开(公告)号：CN102640271A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201080054985.6
申请日：2010-10-29
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/335 , H01L29/775
CPC classification number: H01L29/66772 , B82Y10/00 , H01L21/845 , H01L27/1211 , H01L29/0665 , H01L29/42392 , H01L29/66439 , H01L29/66628 , H01L29/775 , H01L29/78696
Abstract: 一种用于形成纳米线场效应晶体管(FET)器件的方法，该方法包括在半导体衬底(100)之上形成悬挂的纳米线(110)；形成环绕纳米线的一部分的栅极结构；形成与栅极的侧壁相邻并且环绕纳米线的从栅极延伸的部分的保护性间隔物(604)；移除纳米线的未受间隔物结构保护的露出部分；以及在纳米线的露出截面上外延生长掺杂的半导体材料(902)以形成源极区域和漏极区域。
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