公开(公告)号：CN100392813C

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200410049384.2

申请日：2004-06-11

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： K·巴比驰 ,  E·黄 ,  A·P·马赫罗瓦拉 ,  D·R·梅德罗斯 ,  D·皮菲福尔 ,  K·坦姆普勒

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/32 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/091 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0757 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/32139 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/115 ,  Y10S430/143 ,  Y10S430/151

Abstract: 本发明提供了抗反射硬掩膜组合物以及将该抗反射硬掩膜组合物用于加工半导体器件的技术。本发明的一个方面提供了用于平板印刷的抗反射硬掩膜层。抗反射硬掩膜层包含含有至少一种生色团部分和至少一种透明部分的碳硅烷聚合物主链和交联组分。本发明的另一个方面提供了加工半导体器件的方法。该方法包括如下步骤：在基材上提供材料层；在材料层上形成抗反射硬掩膜层。所述抗反射硬掩膜层包含含有至少一种生色团部分和至少一种透明部分的碳硅烷聚合物主链和交联组分。

公开(公告)号：CN1585097A

公开(公告)日：2005-02-23

申请号：CN200410049384.2

申请日：2004-06-11

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： K·巴比驰 ,  E·黄 ,  A·P·马赫罗瓦拉 ,  D·R·梅德罗斯 ,  D·皮菲福尔 ,  K·坦姆普勒

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/32 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/091 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0757 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/32139 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/115 ,  Y10S430/143 ,  Y10S430/151

Abstract: 本发明提供了抗反射硬掩膜组合物以及将该抗反射硬掩膜组合物用于加工半导体器件的技术。本发明的一个方面提供了用于平板印刷的抗反射硬掩膜层。抗反射硬掩膜层包含含有至少一种生色团部分和至少一种透明部分的碳硅烷聚合物主链和交联组分。本发明的另一个方面提供了加工半导体器件的方法。该方法包括如下步骤：在基材上提供材料层；在材料层上形成抗反射硬掩膜层。所述抗反射硬掩膜层包含含有至少一种生色团部分和至少一种透明部分的碳硅烷聚合物主链和交联组分。