公开(公告)号：CN101048857A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200480044297.6

申请日：2004-10-27

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： N·查克拉潘尼 ,  M·E·科尔伯恩 ,  C·D·迪米特拉克普洛斯 ,  S·V·尼塔 ,  D·法伊弗 ,  S·普鲁肖特哈曼

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/316

Abstract: 通常用于降低集成电路中RC延迟的是多孔有机硅酸盐的电介质膜，该有机硅酸盐含有二氧化硅状主链与直接连接到网络中S∶L原子的烷基或芳基(以对材料增加疏水性和产生自由体积)。Si－R键很少幸免于对等离子体或通常用于加工的化学处理的曝露；在具有开孔结构的材料中特别是这样的。当Si－R键断裂时，材料由于亲水性硅烷醇的形成而损失疏水性和损害低介电常数。使用新颖类别的硅烷化剂恢复材料的疏水性的方法，该硅烷化剂具有通式(R2N)XSiR’Y，其中X和Y分别是1－2和3－2的整数，和其中R和R’选自氢、烷基、芳基、烯丙基、苯基和乙烯基部分。多孔有机硅酸盐的机械强度也由于甲硅烷基化处理而改进。

公开(公告)号：CN102005382B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201010269392.3

申请日：2010-08-31

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·D·伯恩斯 ,  M·E·科尔伯恩 ,  S·霍姆斯

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/31 ,  G03F7/26 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L21/31144 ,  G03F7/0035 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0338

Abstract: 本发明涉及两次曝光一条线路间距分离方法。一种集成电路被形成为具有这样的结构，该结构紧密邻近且彼此间的间隔比该结构的横向尺寸更小，例如用于制造到以通过暗场分离间距技术实现的最小光刻可分辨尺寸形成的电子元件的接触。通过使用酸敏硬掩模材料和经由抗蚀剂中的构图的孔径而接触硬掩模的区域的酸性上覆层，完全在光刻线路内执行对硬掩模的蚀刻，从而支持用于分离间距方法的可接受的覆盖精度和工艺效率以及吞吐量，该分离间距方法需要为多个依次施加并构图的抗蚀剂层中的每一个进行对硬掩模的蚀刻。硬掩模的接触区域被活化，以通过烘烤酸性上覆层而进行显影。

公开(公告)号：CN1988130A

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN200610144473.4

申请日：2006-11-08

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： M·E·科尔伯恩 ,  D·L·戈德法布

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/311 ,  H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/094 ,  G03F1/50

Abstract: 一种用于制备双镶嵌结构的方法，所述方法包括：提供包括第一光致抗蚀剂层和第二光致抗蚀剂层的多层光致抗蚀剂叠层，其中每个光致抗蚀剂层具有独特的清晰剂量值；将所述光致抗蚀剂叠层曝露在一个或多个预定光线图形下；以及显像所述光致抗蚀剂层以在所述光致抗蚀剂层中形成多层结构。

公开(公告)号：CN102005382A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN201010269392.3

申请日：2010-08-31

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·D·伯恩斯 ,  M·E·科尔伯恩 ,  S·霍姆斯

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/31 ,  G03F7/26 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L21/31144 ,  G03F7/0035 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0338

Abstract: 本发明涉及两次曝光一条线路间距分离方法。一种集成电路被形成为具有这样的结构，该结构紧密邻近且彼此间的间隔比该结构的横向尺寸更小，例如用于制造到以通过暗场分离间距技术实现的最小光刻可分辨尺寸形成的电子元件的接触。通过使用酸敏硬掩模材料和经由抗蚀剂中的构图的孔径而接触硬掩模的区域的酸性上覆层，完全在光刻线路内执行对硬掩模的蚀刻，从而支持用于分离间距方法的可接受的覆盖精度和工艺效率以及吞吐量，该分离间距方法需要为多个依次施加并构图的抗蚀剂层中的每一个进行对硬掩模的蚀刻。硬掩模的接触区域被活化，以通过烘烤酸性上覆层而进行显影。

公开(公告)号：CN101048857B

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200480044297.6

申请日：2004-10-27

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： N·查克拉潘尼 ,  M·E·科尔伯恩 ,  C·D·迪米特拉克普洛斯 ,  S·V·尼塔 ,  D·法伊弗 ,  S·普鲁肖特哈曼

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/316

Abstract: 通常用于降低集成电路中RC延迟的是多孔有机硅酸盐的电介质膜，该有机硅酸盐含有二氧化硅状主链与直接连接到网络中S：L原子的烷基或芳基(以对材料增加疏水性和产生自由体积)。Si-R键很少幸免于对等离子体或通常用于加工的化学处理的曝露；在具有开孔结构的材料中特别是这样的。当Si-R键断裂时，材料由于亲水性硅烷醇的形成而损失疏水性和损害低介电常数。使用新颖类别的硅烷化剂恢复材料的疏水性的方法，该硅烷化剂具有通式(R2N)XSiR’Y，其中X和Y分别是1-2和3-2的整数，和其中R和R’选自氢、烷基、芳基、烯丙基、苯基和乙烯基部分。多孔有机硅酸盐的机械强度也由于甲硅烷基化处理而改进。

公开(公告)号：CN101299419B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200810086076.5

申请日：2008-03-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： L·A·克莱文格 ,  M·E·科尔伯恩 ,  D·C·埃德尔斯坦 ,  S·波诺斯 ,  G·布雷塔

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/5222 ,  H01L21/7682 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。公开了一种在半导体器件内形成腔的方法。所述方法包括在半导体器件的ILD层内的腔的内表面上淀积抗成核层。所述抗成核层防止了在所述腔内形成随后淀积的介质层。通过防止这些层的形成，减小了电容，并由此改善半导体的性能。

公开(公告)号：CN100590842C

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200610144473.4

申请日：2006-11-08

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： M·E·科尔伯恩 ,  D·L·戈德法布

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/311 ,  H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/094 ,  G03F1/50

Abstract: 一种用于制备双镶嵌结构的方法，所述方法包括：提供包括第一光致抗蚀剂层和第二光致抗蚀剂层的多层光致抗蚀剂叠层，其中每个光致抗蚀剂层具有独特的清晰剂量值；将所述光致抗蚀剂叠层曝露在一个或多个预定光线图形下；以及显像所述光致抗蚀剂层以在所述光致抗蚀剂层中形成多层结构。

公开(公告)号：CN101299419A

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN200810086076.5

申请日：2008-03-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： L·A·克莱文格 ,  M·E·科尔伯恩 ,  D·C·埃德尔斯坦 ,  S·波诺斯 ,  G·布雷塔

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/5222 ,  H01L21/7682 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。公开了一种在半导体器件内形成腔的方法。所述方法包括在半导体器件的ILD层内的腔的内表面上淀积抗成核层。所述抗成核层防止了在所述腔内形成随后淀积的介质层。通过防止这些层的形成，减小了电容，并由此改善半导体的性能。