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公开(公告)号：CN101048857A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200480044297.6
申请日：2004-10-27
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/31 , H01L21/316
Abstract: 通常用于降低集成电路中RC延迟的是多孔有机硅酸盐的电介质膜，该有机硅酸盐含有二氧化硅状主链与直接连接到网络中S∶L原子的烷基或芳基(以对材料增加疏水性和产生自由体积)。Si－R键很少幸免于对等离子体或通常用于加工的化学处理的曝露；在具有开孔结构的材料中特别是这样的。当Si－R键断裂时，材料由于亲水性硅烷醇的形成而损失疏水性和损害低介电常数。使用新颖类别的硅烷化剂恢复材料的疏水性的方法，该硅烷化剂具有通式(R2N)XSiR’Y，其中X和Y分别是1－2和3－2的整数，和其中R和R’选自氢、烷基、芳基、烯丙基、苯基和乙烯基部分。多孔有机硅酸盐的机械强度也由于甲硅烷基化处理而改进。
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公开(公告)号：CN1505834A
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：CN01822603.5
申请日：2001-12-04
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/4763 , H01L23/48
CPC classification number: H01L21/76835 , H01L21/76811 , H01L23/5222 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种不具微沟槽的低k介电质金属半导体互连结构与形成该结构的方法。具体来说，上述结构是通过提供一互连结构来获得的，此一互连结构包括至少一种在单一自旋应用工具中持续施加，然后在单一步骤中固化的多层介电质材料，以及多层旋涂介电质内的多个图案化的金属导体。导体电阻的控制是通过使用掩埋的蚀刻终止层来获得的，此一掩埋的蚀刻终止层具有位于线与多孔低k介电质的通路介电质层间的第二原子组成，而其中多孔低k介电质具有第一原子组成。本发明的互连结构还包含一种辅助形成双镶嵌型的互连结构的硬质掩模。从具有特定原子组成与其它测得值的多孔低k有机或无机材料的特定组中，选择第一与第二组成，以获得至少10至1，或更高的蚀刻选择性。
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公开(公告)号：CN100539117C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200510114904.8
申请日：2005-11-11
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： A·J·巴弗纳盖尔瓦拉 , S·V·科索诺基 , S·V·尼塔 , S·普鲁肖特哈曼
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76801 , G11C11/412 , H01L23/53295 , H01L27/11 , H01L27/1104 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种混合互连结构，其在相同微电子芯片的一组区域中具有比其它区域更高的互连电容量。提供了用于制造该结构的几种方法。描述了该混合互连结构的电路实施，其允许增大静态噪音余量和减小SRAM单元中的泄漏，以及在该芯片中的SRAM和逻辑的公共电源电压。允许组合这些电路的方法的优点在于，在该芯片中具有更高的互连性能速度和优异的机械坚固性。
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公开(公告)号：CN1331203C
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN01822603.5
申请日：2001-12-04
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/4763 , H01L23/48
CPC classification number: H01L21/76835 , H01L21/76811 , H01L23/5222 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种不具微沟槽的低k介电质金属半导体互连结构与形成该结构的方法。具体来说，上述结构是通过提供一互连结构来获得的，此一互连结构包括至少一种在单一自旋应用工具中持续施加，然后在单一步骤中固化的多层介电质材料，以及多层旋涂介电质内的多个图案化的金属导体。导体电阻的控制是通过使用掩埋的蚀刻终止层来获得的，此一掩埋的蚀刻终止层具有位于线与多孔低k介电质的通路介电质层间的第二原子组成，而其中多孔低k介电质具有第一原子组成。本发明的互连结构还包含一种辅助形成双镶嵌型的互连结构的硬质掩模。从具有特定原子组成与其它测得值的多孔低k有机或无机材料的特定组中，选择第一与第二组成，以获得至少10至1，或更高的蚀刻选择性。
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公开(公告)号：CN1776905A
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN200510114904.8
申请日：2005-11-11
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： A·J·巴弗纳盖尔瓦拉 , S·V·科索诺基 , S·V·尼塔 , S·普鲁肖特哈曼
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76801 , G11C11/412 , H01L23/53295 , H01L27/11 , H01L27/1104 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种混合互连结构，其在相同微电子芯片的一组区域中具有比其它区域更高的互连电容量。提供了用于制造该结构的几种方法。描述了该混合互连结构的电路实施，其允许增大静态噪音余量和减小SRAM单元中的泄漏，以及在该芯片中的SRAM和逻辑的公共电源电压。允许组合这些电路的方法的优点在于，在该芯片中具有更高的互连性能速度和优异的机械坚固性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101048857B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200480044297.6
申请日：2004-10-27
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/31 , H01L21/316
Abstract: 通常用于降低集成电路中RC延迟的是多孔有机硅酸盐的电介质膜，该有机硅酸盐含有二氧化硅状主链与直接连接到网络中S：L原子的烷基或芳基(以对材料增加疏水性和产生自由体积)。Si-R键很少幸免于对等离子体或通常用于加工的化学处理的曝露；在具有开孔结构的材料中特别是这样的。当Si-R键断裂时，材料由于亲水性硅烷醇的形成而损失疏水性和损害低介电常数。使用新颖类别的硅烷化剂恢复材料的疏水性的方法，该硅烷化剂具有通式(R2N)XSiR’Y，其中X和Y分别是1-2和3-2的整数，和其中R和R’选自氢、烷基、芳基、烯丙基、苯基和乙烯基部分。多孔有机硅酸盐的机械强度也由于甲硅烷基化处理而改进。
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公开(公告)号：CN101071789A
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200710107707.2
申请日：2007-04-28
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/522
CPC classification number: H01L21/7682 , H01L21/76808 , H01L21/76831 , H01L21/76835 , H01L23/5222 , H01L23/53295 , H01L2221/1026 , H01L2221/1031 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种多层含气隙的互连结构及其制造方法。该多层含气隙的互连结构，包括散布的线路级和过孔级的集合，所述过孔级包括嵌入到一个或多个介质层的导电过孔，其中所述介质层固态地位于相邻级中的线路部件之下或之上、并且在线路部件之间被穿孔。所述线路级包括导电线路和含气隙的介质。固态介质桥层位于所述散布的线路和过孔级的集合之上，所述固态介质桥层包括导电接点并且通过在穿孔的介质层中填充而形成。
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公开(公告)号：CN1284206C
公开(公告)日：2006-11-08
申请号：CN03152546.6
申请日：2003-08-01
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/312 , G03F7/004
CPC classification number: H01L21/76849 , B82Y30/00 , G03F7/165 , H01L21/0331 , H01L21/31058 , H05K3/0079 , Y10T428/24802 , Y10T428/24917 , Y10T428/24926
Abstract: 一种在衬底现有图案上形成自对准图案的方法，该方法包括在衬底上涂敷该掩模材料的涂料；和允许至少一部分掩模材料优先连接到一部分现有图案上。图案由衬底的第一组区域和衬底的第二组区域组成，衬底的第一组区域具有第一原子组成和衬底的第二组区域具有不同于第一组成的第二原子组成。第一组区域可包括一种或多种金属元素和第二组区域可包括电介质。掩模材料可包括一种聚合物，聚合物包含选择性结合到一部分图案上的反应性接枝位置。掩模材料可包括结合到一部分图案上的聚合物，以提供适于聚合引发的官能团层，含有适于聚合增长的官能团的反应性分子，或反应性分子，其中反应性分子与一部分图案的反应产生含有反应性基团的层，它参与逐步增长聚合。根据该方法的结构。用于实施该方法的组合物。
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公开(公告)号：CN1261989C
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN01822901.8
申请日：2001-12-10
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/4763 , H01L23/48
CPC classification number: H01L21/76835 , H01L21/02118 , H01L21/02126 , H01L21/022 , H01L21/02203 , H01L21/02282 , H01L21/3124 , H01L21/76811
Abstract: 本发明提供一种双镶嵌型的金属布线加低k介电质的互连结构，其中将该导电金属线路与通路孔形成在一混合式低k(介电常数)介电质内，它包含两种旋涂式介电材料，具有不同原子成分，且这两种旋涂式介电材料中至少之一为多孔的。这两种应用于构成本发明混合式低k介电质的旋涂式介电材料，各具有一约2.6或更低的介电常数，且该混合结构的各介电材料各以具有从约1.2到约2.2范围内的k值为佳。藉由利用本发明混合式低k介电质，将能够获得对于金属线路电阻(沟槽深度)的优异控制而无须另增成本。可达到此项目的而不必利用掩埋式蚀刻停止层，若存在，则形成在这两种旋涂式介电材料之间。
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公开(公告)号：CN1518762A
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN01822901.8
申请日：2001-12-10
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/4763 , H01L23/48
CPC classification number: H01L21/76835 , H01L21/02118 , H01L21/02126 , H01L21/022 , H01L21/02203 , H01L21/02282 , H01L21/3124 , H01L21/76811
Abstract: 本发明提供一种双镶嵌型的金属布线加低k介电质的互连结构，其中将该导电金属线路与通路孔形成在一混合式低k(介电常数)介电质内，它包含两种旋涂式介电材料，具有不同原子成分，且这两种旋涂式介电材料中至少之一为多孔的。这两种应用于构成本发明混合式低k介电质的旋涂式介电材料，各具有一约2.6或更低的介电常数，且该混合结构的各介电材料各以具有从约1.2到约2.2范围内的k值为佳。藉由利用本发明混合式低k介电质，将能够获得对于金属线路电阻(沟槽深度)的优异控制而无须另增成本。可达到此项目的而不必利用掩埋式蚀刻停止层，若存在，则形成在这两种旋涂式介电材料之间。
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