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公开(公告)号：CN102439700B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201080014684.0
申请日：2010-04-22
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/283 , H01L29/49
CPC classification number: H01L21/823462 , H01L21/28229 , H01L21/84 , H01L27/1203
Abstract: 公开了涉及在掺杂半导体阱上形成多种栅极叠层(100，...，600)。在该掺杂半导体阱(22，24)上形成高介电常数(高-k)栅极电介质(30L)。在一个器件区域中形成金属栅极层(42L)，而在其它器件区域(200，400，500，600)中暴露该高-k栅极电介质。在其它器件区域中形成具有不同厚度的阈值电压调整氧化物层。然后在该阈值电压调整氧化物层上形成导电栅极材料层(72L)。一种类型的场效应晶体管包括：包括高-k栅极电介质部分的栅极电介质。其它类型的场效应晶体管包括：包括高-k栅极电介质部分和具有不同厚度的第一阈值电压调整氧化物部分的栅极电介质。通过使用不同栅极电介质叠层及具有相同掺杂物浓度的掺杂半导体阱，提供具有不同阈值电压的场效应晶体管。
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公开(公告)号：CN103946963B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201280056322.7
申请日：2012-08-28
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L29/518 , H01L21/28255 , H01L27/0922 , H01L29/51 , H01L29/513 , H01L29/66575 , H01L29/78
Abstract: 包括含锗衬底的一种半导体器件，其中该半导体器件包括在半导体衬底的沟道区域上的栅极结构。该栅极结构可以包括与含锗衬底的上表面直接接触的氧化硅层、与氧化硅层直接接触的至少一个高‑k栅极电介质层、以及与高‑k栅极电介质层直接接触的至少一个栅极导体。氧化硅层和含锗衬底的上表面之间的界面基本上不含氧化锗。源极区域和漏极区域可以存在于沟道区域的相对侧上。
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公开(公告)号：CN103946963A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201280056322.7
申请日：2012-08-28
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L29/518 , H01L21/28255 , H01L27/0922 , H01L29/51 , H01L29/513 , H01L29/66575 , H01L29/78
Abstract: 包括含锗衬底的一种半导体器件，其中该半导体器件包括在半导体衬底的沟道区域上的栅极结构。该栅极结构可以包括与含锗衬底的上表面直接接触的氧化硅层、与氧化硅层直接接触的至少一个高-k栅极电介质层、以及与高-k栅极电介质层直接接触的至少一个栅极导体。氧化硅层和含锗衬底的上表面之间的界面基本上不含氧化锗。源极区域和漏极区域可以存在于沟道区域的相对侧上。
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公开(公告)号：CN102439700A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201080014684.0
申请日：2010-04-22
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/283 , H01L29/49
CPC classification number: H01L21/823462 , H01L21/28229 , H01L21/84 , H01L27/1203
Abstract: 公开了涉及在掺杂半导体阱上形成多种栅极叠层(100，...，600)。在该掺杂半导体阱(22，24)上形成高介电常数(高-k)栅极电介质(30L)。在一个器件区域中形成金属栅极层(42L)，而在其它器件区域(200，400，500，600)中暴露该高-k栅极电介质。在其它器件区域中形成具有不同厚度的阈值电压调整氧化物层。然后在该阈值电压调整氧化物层上形成导电栅极材料层(72L)。一种类型的场效应晶体管包括：包括高-k栅极电介质部分的栅极电介质。其它类型的场效应晶体管包括：包括高-k栅极电介质部分和具有不同厚度的第一阈值电压调整氧化物部分的栅极电介质。通过使用不同栅极电介质叠层及具有相同掺杂物浓度的掺杂半导体阱，提供具有不同阈值电压的场效应晶体管。
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