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公开(公告)号：CN1667834A
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：CN200510053789.8
申请日：2005-03-11
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/73 , H01L29/737 , H01L21/331 , H01L21/28 , H01L21/8249
CPC classification number: H01L29/66242 , H01L21/28518 , H01L21/8249 , H01L27/0623 , H01L29/0804 , H01L29/456 , H01L29/7371
Abstract: 本发明提供了制造具有抬升外部基极的异质结双极晶体管的方法，其中，通过在抬升外部基极上形成硅化物，降低了基极电阻，所述硅化物以自对准的方式向发射极区域延伸。在形成抬升外部基极之后，将硅化物的形成结合到BiCMOS工艺流程中。本发明还提供了一种异质结双极晶体管，其具有抬升外部基极和位于抬升外部基极上的硅化物。在抬升外部基极上的硅化物以自对准的方式向发射极延伸。发射极通过衬垫与硅化物隔开。
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公开(公告)号：CN100466263C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200510123671.8
申请日：2005-11-18
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/108 , H01L27/102 , H01L27/10 , H01L27/00 , H01L29/92 , H01L21/8242 , H01L21/8222 , H01L21/82 , H01L21/02 , H01L21/00 , H01G4/00
CPC classification number: H01L27/0805 , H01L29/66181 , H01L29/945
Abstract: 一种被形成在半导体衬底中的去耦电容器结构，该半导体衬底具有被形成在其中的沟槽绝缘体结构，去耦电容器包括：电容器沟槽；内部去耦电容器电极；外部去耦电容器电极；有源区域，其与掺杂半导体材料区域的导电性相同，并被形成为与所述沟槽绝缘体结构相邻且接触所述外部去耦电容器电极；接触结构，其被形成在内部去耦电容器电极上，用于将所述内部去耦电容器电极电连接到第一形成的金属级；以及具有相同导电性的另一接触结构，其被形成在有源区域上，用于将外部去耦电容器电极电连接到第二形成的金属级。
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公开(公告)号：CN100411190C
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200510053789.8
申请日：2005-03-11
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/73 , H01L29/737 , H01L21/331 , H01L21/28 , H01L21/8249
CPC classification number: H01L29/66242 , H01L21/28518 , H01L21/8249 , H01L27/0623 , H01L29/0804 , H01L29/456 , H01L29/7371
Abstract: 本发明提供了制造具有抬升外部基极的异质结双极晶体管的方法，其中，通过在抬升外部基极上形成硅化物，降低了基极电阻，所述硅化物以自对准的方式向发射极区域延伸。在形成抬升外部基极之后，将硅化物的形成结合到BiCMOS工艺流程中。本发明还提供了一种异质结双极晶体管，其具有抬升外部基极和位于抬升外部基极上的硅化物。在抬升外部基极上的硅化物以自对准的方式向发射极延伸。发射极通过衬垫与硅化物隔开。
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公开(公告)号：CN1794457A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510123671.8
申请日：2005-11-18
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/108 , H01L27/102 , H01L27/10 , H01L27/00 , H01L29/92 , H01L21/8242 , H01L21/8222 , H01L21/82 , H01L21/02 , H01L21/00 , H01G4/00
CPC classification number: H01L27/0805 , H01L29/66181 , H01L29/945
Abstract: 一种新颖的沟槽型去耦电容器结构以及用于形成该沟槽去耦电容器(decap)的低成本制造方法。在特有的方面，本发明只需在基本逻辑设计中增加简化的沟槽。
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