公开(公告)号：CN102986021B

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201180033949.6

申请日：2011-06-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 权五正 ,  李准东 ,  P·C·帕里斯 ,  D·J·谢皮斯

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108

Abstract: 提供一种用于制造隔离电容器的方法和结构。该方法包括同时形成穿过SOI和掺杂多晶层而到达下覆绝缘体层的多个深沟槽和围绕多个深沟槽的群组或阵列的一个或更多个隔离沟槽。该方法还包括利用绝缘体材料对多个深沟槽和一个或更多个隔离沟槽进行加衬。该方法还包括利用在绝缘体材料上的传导材料填充多个深沟槽和一个或更多个隔离沟槽。深沟槽形成深沟槽电容器并且一个或更多个隔离沟槽形成一个或更多个隔离极板，该一个或更多个隔离极板将深沟槽电容器的至少一个群组或阵列与深沟槽电容器的另一个群组或阵列隔离。

公开(公告)号：CN1641791A

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN200510002155.X

申请日：2005-01-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·E·小巴斯 ,  桐畑外志昭 ,  P·C·帕里斯

IPC: G11C11/401 ,  G11C11/406

CPC classification number: G11C11/40618 ,  G11C11/406 ,  G11C2207/104

Abstract: 一种具有分布式行地址计数器的并发刷新模式的嵌入式DRAM。通过允许借助刷新存储体选择信号以刷新存储器阵列来实现并发刷新模式，同时并发地启动其它阵列中的存储器存取操作。通过插入集成在每个阵列中的行地址计数器大大简化了刷新地址管理。在优选实施例中，同时刷新任意组合的多个存储器阵列，同时启动存储器存取操作。该并发模式也支持多存储体操作。

公开(公告)号：CN100485806C

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200510002155.X

申请日：2005-01-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·E·小巴斯 ,  桐畑外志昭 ,  P·C·帕里斯

IPC: G11C11/401 ,  G11C11/406

CPC classification number: G11C11/40618 ,  G11C11/406 ,  G11C2207/104

Abstract: 一种具有分布式行地址计数器的并发刷新模式的嵌入式DRAM。通过允许借助刷新存储体选择信号以刷新存储器阵列来实现并发刷新模式，同时并发地启动其它阵列中的存储器存取操作。通过插入集成在每个阵列中的行地址计数器大大简化了刷新地址管理。在优选实施例中，同时刷新任意组合的多个存储器阵列，同时启动存储器存取操作。该并发模式也支持多存储体操作。

公开(公告)号：CN102986021A

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201180033949.6

申请日：2011-06-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 权五正 ,  李准东 ,  P·C·帕里斯 ,  D·J·谢皮斯

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108

Abstract: 提供一种用于制造隔离电容器的方法和结构。该方法包括同时形成穿过SOI和掺杂多晶层而到达下覆绝缘体层的多个深沟槽和围绕多个深沟槽的群组或阵列的一个或更多个隔离沟槽。该方法还包括利用绝缘体材料对多个深沟槽和一个或更多个隔离沟槽进行加衬。该方法还包括利用在绝缘体材料上的传导材料填充多个深沟槽和一个或更多个隔离沟槽。深沟槽形成深沟槽电容器并且一个或更多个隔离沟槽形成一个或更多个隔离极板，该一个或更多个隔离极板将深沟槽电容器的至少一个群组或阵列与深沟槽电容器的另一个群组或阵列隔离。

公开(公告)号：CN100466263C

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200510123671.8

申请日：2005-11-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： H·L·霍 ,  W·F·埃里斯 ,  金德起 ,  P·C·帕里斯 ,  J·E·法尔特迈尔 ,  J·E·小巴思 ,  B·A·安德森 ,  S·伊耶 ,  R·W·曼 ,  R·迪瓦卡茹尼

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/102 ,  H01L27/10 ,  H01L27/00 ,  H01L29/92 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/82 ,  H01L21/02 ,  H01L21/00 ,  H01G4/00

CPC classification number: H01L27/0805 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/945

Abstract: 一种被形成在半导体衬底中的去耦电容器结构，该半导体衬底具有被形成在其中的沟槽绝缘体结构，去耦电容器包括：电容器沟槽；内部去耦电容器电极；外部去耦电容器电极；有源区域，其与掺杂半导体材料区域的导电性相同，并被形成为与所述沟槽绝缘体结构相邻且接触所述外部去耦电容器电极；接触结构，其被形成在内部去耦电容器电极上，用于将所述内部去耦电容器电极电连接到第一形成的金属级；以及具有相同导电性的另一接触结构，其被形成在有源区域上，用于将外部去耦电容器电极电连接到第二形成的金属级。

公开(公告)号：CN1794457A

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN200510123671.8

申请日：2005-11-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： H·L·霍 ,  W·F·埃里斯 ,  金德起 ,  P·C·帕里斯 ,  J·E·法尔特迈尔 ,  J·E·小巴思 ,  B·A·安德森 ,  S·伊耶 ,  R·W·曼 ,  R·迪瓦卡茹尼

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/102 ,  H01L27/10 ,  H01L27/00 ,  H01L29/92 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/82 ,  H01L21/02 ,  H01L21/00 ,  H01G4/00

CPC classification number: H01L27/0805 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/945

Abstract: 一种新颖的沟槽型去耦电容器结构以及用于形成该沟槽去耦电容器(decap)的低成本制造方法。在特有的方面，本发明只需在基本逻辑设计中增加简化的沟槽。