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公开(公告)号：CN106796959A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201580054605.1
申请日：2015-10-01
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , C23C16/42 , H01L21/316 , H01L21/336 , H01L21/363
Abstract: 在包含由氧化物半导体构成的半导体层的半导体装置中，抑制TFT间的特性的参差不齐的产生。在由氧化物半导体构成的半导体层(11)的上层形成钝化膜(17)的半导体装置(100)的制造过程中，以使得半导体层(11)的与钝化膜(17)的界面的纯金属比率(纯金属与半导体层(11)的所有构成成分的比例)高于该半导体层(11)的主体中的纯金属比率的方式，设定钝化膜(17)的成膜条件。
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公开(公告)号：CN105981148A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201580007934.0
申请日：2015-02-02
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/336 , G02F1/1368 , H01L21/318 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F1/133345 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , G02F2001/134372 , G02F2202/02 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/1255 , H01L27/1262 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 半导体器件(100A)包括：基板(11)；由基板支承且具有氧化物半导体层(16)的TFT(10A)；以覆盖TFT的方式设置的有机绝缘层(24)；设置在有机绝缘层上的下层电极(32)；设置在下层电极上的电介质层(34)；和设置在电介质层上且具有隔着电介质层与下层电极相对的部分的上层电极(36)。电介质层是氢含量为5.33×1021个/cm3以下的硅氮化物膜。
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公开(公告)号：CN105765729B
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201480064634.1
申请日：2014-08-26
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/283 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L29/04 , H01L29/24 , H01L29/78648 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L29/78696
Abstract: 半导体装置(100)在基板上包括：多个氧化物半导体TFT，该氧化物半导体TFT具有第一栅极电极(12)、与第一栅极电极接触的第一绝缘层(20)、以隔着第一绝缘层与第一栅极电极相对的方式配置的氧化物半导体层(16)以及与氧化物半导体层连接的源极电极(14)和漏极电极(15)；和仅覆盖多个氧化物半导体TFT中的一部分的氧化物半导体TFT的有机绝缘层(24)，多个氧化物半导体TFT包括被有机绝缘层覆盖的第一TFT(5A)和没有被有机绝缘层覆盖的第二TFT(5B)，第二TFT包括以隔着第二绝缘层(22)与氧化物半导体层相对的方式配置的第二栅极电极(17)，该第二栅极电极(17)配置成在从基板法线方向看时隔着氧化物半导体层与第一栅极电极的至少一部分重叠。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106233196B
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201580019855.1
申请日：2015-04-09
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1368 , G02F1/1343
Abstract: 液晶显示面板的TFT基板(100A)具有：覆盖TFT的有机层间绝缘层(24)；在有机层间绝缘层(24)的表面的第一区域形成的第一透明导电层(25)；和覆盖第一透明导电层(25)，并且形成在有机层间绝缘层(24)的表面的与第一区域不同的第二区域的含有SiN的无机电介质层(26)，有机层间绝缘层(24)的表面的第一区域和第二区域的算术平均粗糙度Ra为3.45nm以上5.20nm以下。
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公开(公告)号：CN105765729A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201480064634.1
申请日：2014-08-26
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/283 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L29/04 , H01L29/24 , H01L29/78648 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L29/78696
Abstract: 半导体装置(100)在基板上包括：多个氧化物半导体TFT，该氧化物半导体TFT具有第一栅极电极(12)、与第一栅极电极接触的第一绝缘层(20)、以隔着第一绝缘层与第一栅极电极相对的方式配置的氧化物半导体层(16)以及与氧化物半导体层连接的源极电极(14)和漏极电极(15)；和仅覆盖多个氧化物半导体TFT中的一部分的氧化物半导体TFT的有机绝缘层(24)，多个氧化物半导体TFT包括被有机绝缘层覆盖的第一TFT(5A)和没有被有机绝缘层覆盖的第二TFT(5B)，第二TFT包括以隔着第二绝缘层(22)与氧化物半导体层相对的方式配置的第二栅极电极(17)，该第二栅极电极(17)配置成在从基板法线方向看时隔着氧化物半导体层与第一栅极电极的至少一部分重叠。
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公开(公告)号：CN106605295A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201580047034.9
申请日：2015-08-26
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/336 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/28 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , G02F1/1362 , H01L21/28 , H01L27/1225 , H01L27/1248 , H01L27/127 , H01L29/24 , H01L29/66969
Abstract: 阵列基板(半导体装置)(11b)包括：氧化物半导体膜(31)，其由氧化物半导体材料构成，并且以如下形式配置：作为其一部分的电容配线(22)为与作为其它部分的各沟道部(17d、26d)相比电阻低的低电阻部且作为低电阻部的电容配线(22)与作为其它部分的各沟道部(17d、26d)分离；第1层间绝缘膜(第1绝缘膜)(33)，其配置在氧化物半导体膜(31)的上层侧并且在与作为低电阻部的电容配线(22)重叠的位置形成有开口部(33a)；和第2层间绝缘膜(第2绝缘膜)(34)，其配置在第1层间绝缘膜(33)的上层侧并且含有氢。
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公开(公告)号：CN105981148B
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201580007934.0
申请日：2015-02-02
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/336 , G02F1/1368 , H01L21/318 , H01L29/786
Abstract: 半导体器件(100A)包括：基板(11)；由基板支承且具有氧化物半导体层(16)的TFT(10A)；以覆盖TFT的方式设置的有机绝缘层(24)；设置在有机绝缘层上的下层电极(32)；设置在下层电极上的电介质层(34)；和设置在电介质层上且具有隔着电介质层与下层电极相对的部分的上层电极(36)。电介质层是氢含量为5.33×1021个/cm3以下的硅氮化物膜。
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公开(公告)号：CN106233196A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201580019855.1
申请日：2015-04-09
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1368 , G02F1/1343
CPC classification number: G02F1/136227 , G02F1/133345 , G02F1/134363 , G02F1/13439 , G02F1/1362 , G02F1/1368
Abstract: 液晶显示面板的TFT基板(100A)具有：覆盖TFT的有机层间绝缘层(24)；在有机层间绝缘层(25)；和覆盖第一透明导电层(25)，并且形成在有机层间绝缘层(24)的表面的与第一区域不同的第二区域的含有SiN的无机电介质层(26)，有机层间绝缘层(24)的表面的第一区域和第二区域的算术平均粗糙度Ra为3.45nm以上5.20nm以下。(24)的表面的第一区域形成的第一透明导电层
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