公开(公告)号：CN106605295A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201580047034.9

申请日：2015-08-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 齐藤贵翁 ,  金子诚二 ,  神崎庸辅 ,  高丸泰 ,  井手启介 ,  松尾拓哉

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/1362 ,  H01L21/28 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/127 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969

Abstract: 阵列基板(半导体装置)(11b)包括：氧化物半导体膜(31)，其由氧化物半导体材料构成，并且以如下形式配置：作为其一部分的电容配线(22)为与作为其它部分的各沟道部(17d、26d)相比电阻低的低电阻部且作为低电阻部的电容配线(22)与作为其它部分的各沟道部(17d、26d)分离；第1层间绝缘膜(第1绝缘膜)(33)，其配置在氧化物半导体膜(31)的上层侧并且在与作为低电阻部的电容配线(22)重叠的位置形成有开口部(33a)；和第2层间绝缘膜(第2绝缘膜)(34)，其配置在第1层间绝缘膜(33)的上层侧并且含有氢。

公开(公告)号：CN104769658B

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201380056374.9

申请日：2013-10-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 高丸泰

IPC: G09F9/30 ,  G09F9/00 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 ,  H05B33/26

CPC classification number: H01L27/3262 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3265 ,  H01L28/75 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L51/0018 ,  H01L51/0023 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/56 ,  H01L2227/323 ,  H01L2251/303

Abstract: EL基板在栅极绝缘膜(14)上具备TFT(20、30)的半导体层(22、32)、像素电极(51)和Cs部使像素电极(51)和上部电极(42)露出的开口部(17a、17b)的保护膜(17)覆盖，半导体层(22、32)为氧化物半导体层(15)，像素电极(51)和上部电极(42)为氧化物半导体层(15)的还原电极。(40)的上部电极(42)，半导体层(22、32)由具有

公开(公告)号：CN103918024B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201280048649.X

申请日：2012-07-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 山本薰 ,  金子诚二 ,  小川康行 ,  田中耕平 ,  内田诚一 ,  高丸泰 ,  森重恭

IPC: G09G3/36 ,  G02F1/133 ,  G09G3/20

CPC classification number: G09G3/3677 ,  G02F1/136213 ,  G09G3/3614 ,  G09G3/3655 ,  G09G2300/0876 ,  G09G2330/023 ,  G11C19/28

Abstract: 提供减少功耗的CS驱动方式的液晶显示装置。CS驱动器（500）包括CS移位寄存器（510）和CS输出部（520）。CS移位寄存器（510）基于CS时钟信号CCK输出控制信号（COUT（1）～COUT（m））。CS输出部（520）基于控制信号（COUT（1）～COUT（m））分别输出辅助电容信号（CSS（1）～CSS（m））。在扫描期间（T1）之后设有中止期间（T2）。在中止期间（T2），基于中止期间CS频率（fcck2）的CS时钟信号（CCK）而驱动CS驱动器（500）。中止期间CS频率（fcck2）比扫描期间CS频率（fcck1）低。

公开(公告)号：CN104205310A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201380018493.5

申请日：2013-04-01

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 宫本忠芳 ,  伊东一笃 ,  宫本光伸 ,  高丸泰

IPC: H01L21/336 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606

Abstract: 半导体装置(100A)具有：在基板(2)之上形成的栅极电极(3)；在栅极电极之上形成的栅极绝缘层(4)；氧化物层(50)，该氧化物层(50)形成在栅极绝缘层之上，包含半导体区域(51)和导电体区域(55)；与半导体区域电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；在源极电极和漏极电极之上形成的保护层(11)；和在保护层之上形成的透明电极(9)。透明电极的至少一部分隔着保护层与导电体区域重叠，导电体区域的上表面与具有使氧化物层中包含的氧化物半导体还原的性质的还原绝缘层(61)接触。还原绝缘层不与半导体区域的沟道区域接触。

公开(公告)号：CN104204927A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201380018502.0

申请日：2013-03-15

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 内田诚一 ,  金子诚二 ,  小川康行 ,  高丸泰 ,  田中耕平 ,  村田充弘 ,  柴崎明 ,  久保木剑

IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/1337

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F1/134309

Abstract: 液晶显示装置(100)的TFT基板(10)具有：设置在各像素的TFT(11)；与TFT的漏极电极(11d)电连接的上层电极(12)；设置在上层电极的下方的下层电极(13)；和设置在上层电极与下层电极之间的电介质层(14)，相对基板(20)具有与上层电极相对的相对电极(21)。上层电极具有：具有相互不同的电极结构的第一区域(R1)和第二区域(R2)；和用于将第一区域和第二区域电连接到漏极电极的第三区域(R3)。上层电极的第三区域包括对称连接部(12c)，该对称连接部(12c)是具有相对于将各像素分割为沿行方向相邻的两个区域的假想的直线(L1)实质上对称的形状的导电膜图案。

公开(公告)号：CN103843055A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201280048614.6

申请日：2012-07-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 山本薰 ,  金子诚二 ,  小川康行 ,  田中耕平 ,  内田诚一 ,  高丸泰 ,  森重恭

IPC: G09G3/36 ,  G02F1/133 ,  G09G3/20

CPC classification number: G09G3/3674 ,  G09G3/3648 ,  G09G2310/0286

Abstract: 提供一种显示装置，其抑制显示质量的降低和扫描信号线驱动电路内的开关元件的可靠性降低，并且减少了功耗。移位寄存器（410）包括多个双稳态电路。对第奇数级的双稳态电路中的薄膜晶体管（M1）的漏极端子和薄膜晶体管（M2）的栅极端子分别提供第1栅极时钟信号（GCK1）和第2栅极时钟信号（GCK2）。对第偶数级的双稳态电路中的薄膜晶体管（M1）的漏极端子和薄膜晶体管（M2）的栅极端子分别提供第2栅极时钟信号（GCK2）和第1栅极时钟信号（GCK1）。这些第1栅极时钟信号（GCK1）和第2栅极时钟信号（GCK2）的中止期间频率（fck2）比扫描期间频率（fck1）低。

公开(公告)号：CN106233196B

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201580019855.1

申请日：2015-04-09

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 高丸泰 ,  金子诚二 ,  齐藤贵翁 ,  神崎庸辅 ,  井手启介 ,  松木园广志

IPC: G02F1/1368 ,  G02F1/1343

Abstract: 液晶显示面板的TFT基板(100A)具有：覆盖TFT的有机层间绝缘层(24)；在有机层间绝缘层(24)的表面的第一区域形成的第一透明导电层(25)；和覆盖第一透明导电层(25)，并且形成在有机层间绝缘层(24)的表面的与第一区域不同的第二区域的含有SiN的无机电介质层(26)，有机层间绝缘层(24)的表面的第一区域和第二区域的算术平均粗糙度Ra为3.45nm以上5.20nm以下。

公开(公告)号：CN104380474B

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201380033025.5

申请日：2013-06-12

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 内田诚一 ,  小川康行 ,  宫本忠芳 ,  伊东一笃 ,  高丸泰 ,  中泽淳 ,  宫本光伸

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/441 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/24 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606

Abstract: 半导体装置(100A)具有：基板(2)；在基板(2)上形成的栅极电极(3)；在栅极电极(3)上形成的栅极绝缘层(4)；在栅极绝缘层(4)上形成的氧化物半导体层(5)；与氧化物半导体层(5)电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；与漏极电极(6d)电连接的第一透明电极(7)；在源极电极(6s)和漏极电极(6d)上形成的层间绝缘层(8a)；和在层间绝缘层(8a)上形成的第二透明电极(9)，第二透明电极(9)的至少一部分隔着层间绝缘层(8a)与第一透明电极(7)重叠，氧化物半导体层(5)和第一透明电极(7)由相同的氧化物膜形成。

公开(公告)号：CN104247031B

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201380021447.0

申请日：2013-04-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 高丸泰 ,  伊东一笃 ,  宫本忠芳 ,  宫本光伸 ,  中泽淳 ,  小川康行 ,  内田诚一 ,  森重恭

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/13452 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/425 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 半导体装置(100A)具备：包括半导体区域物层(15)；与半导体区域电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；在源极电极和漏极电极上形成的绝缘层(11)；以隔着绝缘层与导体区域的至少一部分重叠的方式配置的透明电极(9)；与源极电极由相同的导电膜形成的源极配线(6a)；和与栅极电极(3)由相同的导电膜形成的栅极引绕配线(3a)。源极配线通过与透明电极由相同的导电膜形成的透明连接层(9a)，与栅极引绕配线电连接。(5)和与半导体区域接触的导体区域(7)的氧化

公开(公告)号：CN105765729A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201480064634.1

申请日：2014-08-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 齐藤贵翁 ,  金子诚二 ,  神崎庸辅 ,  高丸泰 ,  井手启介 ,  松尾拓哉 ,  森重恭 ,  松木园广志

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

Abstract: 半导体装置(100)在基板上包括：多个氧化物半导体TFT，该氧化物半导体TFT具有第一栅极电极(12)、与第一栅极电极接触的第一绝缘层(20)、以隔着第一绝缘层与第一栅极电极相对的方式配置的氧化物半导体层(16)以及与氧化物半导体层连接的源极电极(14)和漏极电极(15)；和仅覆盖多个氧化物半导体TFT中的一部分的氧化物半导体TFT的有机绝缘层(24)，多个氧化物半导体TFT包括被有机绝缘层覆盖的第一TFT(5A)和没有被有机绝缘层覆盖的第二TFT(5B)，第二TFT包括以隔着第二绝缘层(22)与氧化物半导体层相对的方式配置的第二栅极电极(17)，该第二栅极电极(17)配置成在从基板法线方向看时隔着氧化物半导体层与第一栅极电极的至少一部分重叠。