公开(公告)号：CN105453250A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201480044667.X

申请日：2014-06-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 冈本朋昭 ,  柳雅彦 ,  川上知巳

IPC: H01L21/761 ,  H01L21/22 ,  H01L21/265 ,  H01L29/74 ,  H01L29/747

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L21/22 ,  H01L21/761 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/66386 ,  H01L29/747 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明能够以不损害应对晶片破裂的强度的方式缩短形成隔离区域的扩散时间。在晶片两面分别沿着相互相邻的半导体器件间的划线(SL)不连续且间断地排列配置多个圆形孔(4a、4b)，在多个圆形孔(4a、4b)的周围，元件分离用的一种导电型(这里为P型)的隔离扩散层(5a、5b)分别形成为从晶片两面到达深度方向中央部，至少一部分在相邻孔之间和上下底面之间相互重叠。

公开(公告)号：CN105405876A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201510484213.0

申请日：2015-08-07

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 冈本朋昭 ,  松本浩司

IPC: H01L29/747

CPC classification number: H01L29/747

Abstract: 本发明提供能够实现品质稳定化和芯片缩小的光耦合双向可控硅元件，其具有在半导体衬底(11)的表面相互分离地形成有第一、第二光敏晶闸管部(12a、12b)的1个半导体芯片，各光敏晶闸管部具有PNPN部，还具有与阳极扩散区域(13)和阴极扩散区域(15)电连接且与控制极扩散区域(14)绝缘的1个接合焊盘，第一、第二光敏晶闸管部(12a、12b)的PNPN部相对于半导体芯片的中心大致点对称地配置，或者相对于通过中心且与一边平行的线段大致线对称地配置，第一光敏晶闸管部(12a)的接合焊盘(18a)和第二光敏晶闸管部(12b)的接合焊盘(18b)相互分离地配置在上述线段的延伸方向一端侧和另一端侧。

公开(公告)号：CN105405876B

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201510484213.0

申请日：2015-08-07

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 冈本朋昭 ,  松本浩司

IPC: H01L29/747

Abstract: 本发明提供能够实现品质稳定化和芯片缩小的光耦合双向可控硅元件，其具有在半导体衬底(11)的表面相互分离地形成有第一、第二光敏晶闸管部(12a、12b)的1个半导体芯片，各光敏晶闸管部具有PNPN部，还具有与阳极扩散区域(13)和阴极扩散区域(15)电连接且与控制极扩散区域(14)绝缘的1个接合焊盘，第一、第二光敏晶闸管部(12a、12b)的PNPN部相对于半导体芯片的中心大致点对称地配置，或者相对于通过中心且与一边平行的线段大致线对称地配置，第一光敏晶闸管部(12a)的接合焊盘(18a)和第二光敏晶闸管部(12b)的接合焊盘(18b)相互分离地配置在上述线段的延伸方向一端侧和另一端侧。