公开(公告)号：CN1499647A

公开(公告)日：2004-05-26

申请号：CN200310114248.2

申请日：2003-11-07

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 牧田直树 ,  岩井道记 ,  森野慎也 ,  堤隆之

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明的方法包括步骤：在绝缘表面上形成非晶半导体层；向非晶半导体层添加能够促进结晶的催化元素，并且接着进行第一热处理，以使非晶半导体层结晶，由此得到结晶的半导体层；至少除去结晶半导体层中存在的大块体催化元素半导体化合物；并且移去仍存在于结晶半导体层中的至少一部分催化元素，以在结晶半导体层中形成低催化浓度区域，该低催化浓度区域的催化元素浓度低于其它区域的浓度。

公开(公告)号：CN100345309C

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：CN200310114248.2

申请日：2003-11-07

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 牧田直树 ,  岩井道记 ,  森野慎也 ,  堤隆之

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明的方法包括步骤：在绝缘表面上形成非晶半导体层；向非晶半导体层添加能够促进结晶的催化元素，并且接着进行第一热处理，以使非晶半导体层结晶，由此得到结晶的半导体层；至少除去结晶半导体层中存在的大块体催化元素半导体化合物；并且移去仍存在于结晶半导体层中的至少一部分催化元素，以在结晶半导体层中形成低催化浓度区域，该低催化浓度区域的催化元素浓度低于其它区域的浓度。