公开(公告)号：CN109979314A

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201811473270.9

申请日：2018-12-04

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 森野慎也

IPC: G09F9/00

Abstract: 本发明的显示装置，使安装可靠性提高。其具备：液晶显示模块(11)，具有显示面(11DS)；玻璃罩(13)，具有与显示面(11DS)对置的贴附板面(13A)并供光透射；第一固接层(14)，夹设在贴附板面(13A)与显示面(11DS)之间；箱体(12)，具有与贴附板面(13A)对置的贴附对置面(12B1)；第二固接层(15)，夹设在贴附板面(13A)与贴附对置面(12B1)之间；第一区域(13A1)，包含于贴附板面(13A)并与第一固接层(14)的至少一部分重叠；第二区域(13A2)，包含于贴附板面(13A)并与第二固接层(15)的至少一部分重叠；以及第三区域(13A3)，包含于贴附板面(13A)并配置在第一区域(13A1)与第二区域(13A2)之间且与第一区域(13A1)及第二区域(13A2)相比润湿性低。

公开(公告)号：CN114093888A

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：CN202110430437.9

申请日：2021-04-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 森野慎也 ,  名久井将直 ,  斋村贤治

IPC: H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/133

Abstract: 本发明能够提供一种显示装置，其能够在高温和低温反复的环境下抑制断线产生的显示装置。该显示装置是在显示区域显示图像的显示装置，包括：绝缘基板；多条配线，设置在所述绝缘基板上，并且从所述显示区域延伸设置到所述显示区域的外侧的边框区域；驱动器，其设于所述边框区域，且与所述多条配线连接；有机保护膜，与所述多条配线重叠，并从所述显示区域设置到所述显示区域与所述驱动器之间的区域；各向异性导电膜，重叠在所述驱动器上，并在所述显示区域与所述驱动器之间覆盖所述有机保护膜的端部；防湿树脂膜，其在所述显示区域与所述驱动器之间与所述各向异性导电膜重叠，并覆盖所述有机保护膜的所述端部。

公开(公告)号：CN100345309C

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：CN200310114248.2

申请日：2003-11-07

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 牧田直树 ,  岩井道记 ,  森野慎也 ,  堤隆之

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明的方法包括步骤：在绝缘表面上形成非晶半导体层；向非晶半导体层添加能够促进结晶的催化元素，并且接着进行第一热处理，以使非晶半导体层结晶，由此得到结晶的半导体层；至少除去结晶半导体层中存在的大块体催化元素半导体化合物；并且移去仍存在于结晶半导体层中的至少一部分催化元素，以在结晶半导体层中形成低催化浓度区域，该低催化浓度区域的催化元素浓度低于其它区域的浓度。

公开(公告)号：CN111257987A

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201911165370.X

申请日：2019-11-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 森野慎也 ,  绵谷启之

IPC: G02B5/30 ,  G02B1/14 ,  G02F1/1335

Abstract: 本发明提供一种能够抑制硬质涂层的材料、凹部、通孔的形状的限制并且抑制大裂缝的产生的偏光板、显示面板以及显示装置。本发明的偏光板(17b)至少层叠有偏光元件(23)和硬质涂层(20)，偏光板(17b)在外缘部具有凹部(16)，或者具有贯穿板厚方向的通孔，遍及偏光元件(23)的整个区域地形成硬质涂层(20)，当改变该偏光板(17b)的温度时，在形成有凹部(16)或者通孔的缘部之中、应力集中的应力集中部(24)未形成有硬质涂层(20)。

公开(公告)号：CN1499647A

公开(公告)日：2004-05-26

申请号：CN200310114248.2

申请日：2003-11-07

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 牧田直树 ,  岩井道记 ,  森野慎也 ,  堤隆之

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明的方法包括步骤：在绝缘表面上形成非晶半导体层；向非晶半导体层添加能够促进结晶的催化元素，并且接着进行第一热处理，以使非晶半导体层结晶，由此得到结晶的半导体层；至少除去结晶半导体层中存在的大块体催化元素半导体化合物；并且移去仍存在于结晶半导体层中的至少一部分催化元素，以在结晶半导体层中形成低催化浓度区域，该低催化浓度区域的催化元素浓度低于其它区域的浓度。