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公开(公告)号：CN110794656A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201910656946.6
申请日：2019-07-19
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G03F7/26 , G03F7/30 , G03F7/00 , G02F1/1335
Abstract: 使抗蚀膜适当地形成图案。一种抗蚀膜形成基板的制造方法具有：在基板(10MG)上涂布抗蚀膜(18、19)的涂布工序、选择性地曝光在涂布工序中涂布的抗蚀膜(18、19)的曝光工序、显影在曝光工序中选择性地曝光的抗蚀膜(18、19)的显影工序，所述显影工序基于进行涂布工序之后转移到该显影工序的转移时间调整显影所涉及的处理时间。
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