湿蚀刻方法及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN108352315A

    公开(公告)日:2018-07-31

    申请号:CN201680066422.6

    申请日:2016-11-18

    CPC classification number: H01L21/306 H01L21/308

    Abstract: 本发明的湿蚀刻方法将层叠物加工为目标的既定图案,其中,所述层叠物由在支承基板上层叠多个金属膜者构成,并包含自然氧化的Ti膜作为最上层,所述湿蚀刻方法包括:抗蚀剂形成工序,其在所述层叠物上形成与所述既定图案对应的形状的抗蚀剂膜;最上层选择性蚀刻工序,其使选择性地蚀刻所述最上层的最上层选择性药液与所述层叠物接触而主要对从所述抗蚀剂膜露出的所述最上层进行蚀刻;以及最终加工蚀刻工序,其使蚀刻包括所述最上层的所有层的最终加工药液与所述层叠物接触,进行蚀刻直至所述层叠物成为目标形状。

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