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公开(公告)号：CN1263141C
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200410003978.X
申请日：2004-02-12
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/105 , G11C11/34
CPC classification number: H01L21/28273 , G11C16/0408 , H01L21/28282 , H01L29/7923
Abstract: 一种包括存储单元和放大器的半导体存储器件，此存储单元具有经由栅绝缘膜形成在半导体层上的栅电极、排列在栅电极下方的沟道区、排列在沟道区二侧上且导电类型与沟道区相反的扩散区、以及形成在栅电极二侧上且具有保持电荷的功能的存储功能单元，存储单元和放大器被彼此连接成使存储单元的输出被输入到放大器。
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公开(公告)号：CN1637951A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410061527.1
申请日：2004-12-27
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 森川佳直
Abstract: 本发明的半导体读出电路配备：在读出存储于存储单元中的信息之前，将连接在存储单元中的位线BL充电到规定的预充电电压的预充电电路(5)；控制位线BL的电压，使之成为规定电压的反馈型偏置电路(2)；通过反馈型偏置电路(2)的传输门(20)，放大并检测连接在位线(BL)上的读出输入节点(N1)的电压变化的读出放大器(4)；以及对读出输入节点(N1)充电的负载电路(3)。该负载电路(3)在预充电电路(5)被激活的预充电期间的至少结束之前的预定期间的期间未被激活，在预充电期间结束后被激活。
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公开(公告)号：CN1558421A
公开(公告)日：2004-12-29
申请号：CN200410002574.9
申请日：2004-01-30
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 森川佳直
IPC: G11C7/00 , G11C7/18 , G11C11/409
CPC classification number: G11C17/126 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0023 , G11C13/0026 , G11C13/004 , G11C13/0064 , G11C16/0475 , G11C16/0491 , G11C16/26 , G11C2213/31
Abstract: 一种半导体存储装置，存储单元阵列(1)构成为至少分割为多列的子阵列(2)，子阵列(2)两端的存储单元列，在夹持子阵列(2)间的边界且沿行方向相邻的2个上述存储单元之间，第2电极之间不连接而进行分离，与分别独立的位线或虚拟接地线连接，以子阵列单位，分别选择1条字线、位线与虚拟接地线，从而选择1个读出对象的存储单元。这样，在使用了虚拟接地线的存储单元阵列构成中，可以防止从非选择的位线等迂回并注入到已被选择的位线上的电流所导致的读出动作余量的下降。
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公开(公告)号：CN1463076A
公开(公告)日：2003-12-24
申请号：CN03137855.2
申请日：2003-05-28
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 森川佳直
IPC: H03K5/13 , H03K19/003
CPC classification number: H03K3/0315 , H03K3/011 , H03K5/133 , H03K2005/00026 , H03K2005/00039 , H03K2005/0013 , H03K2005/00143 , H03K2005/00208
Abstract: 一种校正电路，其用于产生控制信号以校正第一晶体管的特性变化，包括：控制信号调整部分，其包括用于确定控制信号的最大电压和最小电压二者之一的恒定电压降低元件，和用于确定控制信号的特性的第二晶体管，第二晶体管的栅极接收指定的电压；和电阻器部分，其包括具有彼此不同的电阻值温度依赖特性的两种类型电阻器元件，电阻器元件串联连接。恒定电压降低元件，第二晶体管，和电阻器部分串联连接在电源端子和地端子之间。控制信号从控制信号调整部分与电阻器部分之间的连接点输出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100538901C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200410061527.1
申请日：2004-12-27
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 森川佳直
Abstract: 本发明的半导体读出电路配备：在读出存储于存储单元中的信息之前，将连接在存储单元中的位线BL充电到规定的预充电电压的预充电电路(5)；控制位线BL的电压，使之成为规定电压的反馈型偏置电路(2)；通过反馈型偏置电路(2)的传输门(20)，放大并检测连接在位线(BL)上的读出输入节点(N1)的电压变化的读出放大器(4)；以及对读出输入节点(N1)充电的负载电路(3)。该负载电路(3)在预充电电路(5)被激活的预充电期间的至少结束之前的预定期间的期间未被激活，在预充电期间结束后被激活。
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公开(公告)号：CN100440369C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200410002574.9
申请日：2004-01-30
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 森川佳直
IPC: G11C7/00 , G11C7/18 , G11C11/409
CPC classification number: G11C17/126 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0023 , G11C13/0026 , G11C13/004 , G11C13/0064 , G11C16/0475 , G11C16/0491 , G11C16/26 , G11C2213/31
Abstract: 一种半导体存储装置，存储单元阵列(1)构成为至少分割为多列的子阵列(2)，子阵列(2)两端的存储单元列，在夹持子阵列(2)间的边界且沿行方向相邻的2个上述存储单元之间，第2电极之间不连接而进行分离，与分别独立的位线或虚拟接地线连接，以子阵列单位，分别选择1条字线、位线与虚拟接地线，从而选择1个读出对象的存储单元。这样，在使用了虚拟接地线的存储单元阵列构成中，可以防止从非选择的位线等迂回并注入到已被选择的位线上的电流所导致的读出动作余量的下降。
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公开(公告)号：CN1254013C
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN03137855.2
申请日：2003-05-28
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 森川佳直
IPC: H03K5/13 , H03K19/003
CPC classification number: H03K3/0315 , H03K3/011 , H03K5/133 , H03K2005/00026 , H03K2005/00039 , H03K2005/0013 , H03K2005/00143 , H03K2005/00208
Abstract: 一种校正电路，其用于产生控制信号以校正第一晶体管的特性变化，包括：控制信号调整部分，其包括用于确定控制信号的最大电压和最小电压二者之一的恒定电压降低元件，和用于确定控制信号的特性的第二晶体管，第二晶体管的栅极接收指定的电压；和电阻器部分，其包括具有彼此不同的电阻值温度依赖特性的两种类型电阻器元件，电阻器元件串联连接。恒定电压降低元件，第二晶体管，和电阻器部分串联连接在电源端子和地端子之间。控制信号从控制信号调整部分与电阻器部分之间的连接点输出。恒定电压降低元件包括晶体管。包括在电压降低元件中的晶体管的漏极与第二晶体管的源极相连，以及第二晶体管的漏极与电阻器部分的一端相连。
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公开(公告)号：CN1521852A
公开(公告)日：2004-08-18
申请号：CN200410003978.X
申请日：2004-02-12
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/105 , G11C11/34
CPC classification number: H01L21/28273 , G11C16/0408 , H01L21/28282 , H01L29/7923
Abstract: 一种包括存储单元和放大器的半导体存储器件，此存储单元具有经由栅绝缘膜形成在半导体层上的栅电极、排列在栅电极下方的沟道区、排列在沟道区二侧上且导电类型与沟道区相反的扩散区、以及形成在栅电极二侧上且具有保持电荷的功能的存储功能单元，存储单元和放大器被彼此连接成使存储单元的输出被输入到放大器。
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