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公开(公告)号：CN103190004A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201180052596.4
申请日：2011-06-22
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/24 , F21S2/00 , G02F1/13357 , H01L21/205 , H01L31/04 , H01L31/10 , F21Y101/02
CPC classification number: H01L33/64 , G02F1/133603 , H01L25/0753 , H01L31/035227 , H01L31/03529 , H01L31/052 , H01L31/054 , H01L31/0547 , H01L33/0079 , H01L33/08 , H01L33/14 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L33/24 , H01L33/26 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01L33/58 , H01L2924/0002 , Y02E10/52 , H01L2924/00
Abstract: 本发光元件（100）具备：n型GaN半导体基部（113）；在n型GaN半导体基部（113）上以竖直设置状态相互隔开间隔形成的多个n型GaN棒状半导体（121）；以及覆盖n型GaN棒状半导体（121）的p型GaN半导体层（123）。n型GaN棒状半导体（121）能通过对棒状半导体（121）增加提供n型的杂质量而容易地进行低电阻化。所以，即使将n型GaN棒状半导体（121）的长度做长，也能抑制n型GaN棒状半导体（121）的电阻的增大，能从n型GaN棒状半导体（121）的根部遍及到顶端部使其同样地进行发光。
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公开(公告)号：CN102857696A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210311473.4
申请日：2010-08-05
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明涉及拍摄条件决定装置、拍摄条件决定方法和不均校正系统。将包括亮度不均区域的、或者将包括亮度不均区域及其周边区域的校正区域所含有的像素中的一部分像素选择作为调整校正像素，并使得对调整校正像素的灰阶值校正量与对该校正区域所含有的除调整校正像素以外的像素的灰阶值校正量不同，从而实现了类似于对校正区域内的所有像素的亮度值相同地仅校正了小于与显示用图像数据的1灰阶相当的亮度值（或，与显示用图像数据的小数部分不为0的灰阶值相当的亮度值）。由此能够确切地校正显示装置的亮度不均。
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公开(公告)号：CN102142224A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201110033393.2
申请日：2011-01-31
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 在补正数据存储部中，存储补正数据，该补正数据包含亮度不均量的偏差值和分组信息，该亮度不均量的偏差值是对应于检查用图像数据的图像显示于显示画面中时的各像素的亮度值或各像素群的亮度值与对应于上述检查用图像数据的该各像素或该各像素群的合理亮度值之差；该分组信息是根据各亮度不均区域中的亮度不均的程度，将对应于各亮度不均区域的补正区域分组的信息。而且，当使对应于显示用图像数据的图像显示于上述显示画面中时，空间分散处理部根据上述补正数据中包含的对该各补正区域的分组结果，决定上述补正区域中包含的像素中使灰度值变化的像素。
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公开(公告)号：CN103190004B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201180052596.4
申请日：2011-06-22
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/24 , F21S2/00 , G02F1/13357 , H01L21/205 , H01L31/04 , H01L31/10 , F21Y115/10
CPC classification number: H01L33/64 , G02F1/133603 , H01L25/0753 , H01L31/035227 , H01L31/03529 , H01L31/052 , H01L31/054 , H01L31/0547 , H01L33/0079 , H01L33/08 , H01L33/14 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L33/24 , H01L33/26 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01L33/58 , H01L2924/0002 , Y02E10/52 , H01L2924/00
Abstract: 本发光元件（100）具备：n型GaN半导体基部（113）；在n型GaN半导体基部（113）上以竖直设置状态相互隔开间隔形成的多个n型GaN棒状半导体（121）；以及覆盖n型GaN棒状半导体（121）的p型GaN半导体层（123）。n型GaN棒状半导体（121）能通过对棒状半导体（121）增加提供n型的杂质量而容易地进行低电阻化。所以，即使将n型GaN棒状半导体（121）的长度做长，也能抑制n型GaN棒状半导体（121）的电阻的增大，能从n型GaN棒状半导体（121）的根部遍及到顶端部使其同样地进行发光。
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公开(公告)号：CN102969911B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201210311940.3
申请日：2012-08-29
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H02M1/4225 , H02M3/1582 , H02M2001/4291 , H05B33/0815 , Y02B20/346 , Y02B70/126
Abstract: 一种电源电路及使用该电源电路的照明装置。本发明为了提供一种通过降低电压变换时的损耗，能抑制效率下降的电源电路，实现了功率因数改善电路，其特征在于，控制电路执行以下动作，即：输出使第1开关元件(Tr1)接通，使第2开关元件(Tr2)进行开关的控制信号的升压动作和输出使第2开关元件(Tr2)断开，使第1开关元件(Tr1)进行开关的控制信号的降压动作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102142224B
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201110033393.2
申请日：2011-01-31
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 在补正数据存储部中，存储补正数据，该补正数据包含亮度不均量的偏差值和分组信息，该亮度不均量的偏差值是对应于检查用图像数据的图像显示于显示画面中时的各像素的亮度值或各像素群的亮度值与对应于上述检查用图像数据的该各像素或该各像素群的合理亮度值之差；该分组信息是根据各亮度不均区域中的亮度不均的程度，将对应于各亮度不均区域的补正区域分组的信息。而且，当使对应于显示用图像数据的图像显示于上述显示画面中时，空间分散处理部根据上述补正数据中包含的对该各补正区域的分组结果，决定上述补正区域中包含的像素中使灰度值变化的像素。
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公开(公告)号：CN102969911A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210311940.3
申请日：2012-08-29
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H02M1/4225 , H02M3/1582 , H02M2001/4291 , H05B33/0815 , Y02B20/346 , Y02B70/126
Abstract: 一种电源电路及使用该电源电路的照明装置。本发明为了提供一种通过降低电压变换时的损耗，能抑制效率下降的电源电路，实现了功率因数改善电路，其特征在于，控制电路执行以下动作，即：输出使第1开关元件(Tr1)接通，使第2开关元件(Tr2)进行开关的控制信号的升压动作和输出使第2开关元件(Tr2)断开，使第1开关元件(Tr1)进行开关的控制信号的降压动作。
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公开(公告)号：CN102971873B
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201180034607.6
申请日：2011-06-14
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: C25D13/00 , H01L21/479 , H01L24/75 , H01L24/80 , H01L24/95 , H01L24/97 , H01L25/0753 , H01L27/156 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L2224/08238 , H01L2224/75655 , H01L2224/75723 , H01L2224/7598 , H01L2224/80143 , H01L2224/95101 , H01L2224/95145 , H01L2224/97 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/00
Abstract: 该微小物体的配置方法是，在基板准备工序中，准备由第一电极（111）和第二电极（112）对置的部位规定有配置微小物体（120）的位置的基板（110），在流体导入工序中，将流体（121）导入到基板（110）上。流体（121）包含多个微小物体（120）。微小物体（120）是拥有由电介质制造的表侧层（130）和由半导体制造的背侧层（131）作为取向构造的二极管元件。而且，在微小物体配置工序，通过在第一电极（111）与第二电极（112）之间施加交流电压，从而利用感应电泳将微小物体（120）配置成在由第一电极（111）与第二电极（112）对置的部位（A）预先确定的位置而且将表侧层（130）配置成朝上。
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公开(公告)号：CN103326621B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310087700.4
申请日：2013-03-19
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L31/02008 , G05F1/67 , Y02E10/58
Abstract: 本发明涉及光发电装置、该光发电装置中的最大功率点跟踪控制方法、以及具备该光发电装置的移动体。光发电装置，具备：光发电模块，串联连接有多个光发电元件的串联部被并联连接多个，多个所述串联部中的连接于同一串联行的所述光发电元件相互并联连接；以及跟踪控制装置，对所述光发电模块的输出进行最大功率点跟踪控制。所述光发电模块具备：温度传感器，对作为所述光发电模块工作时的面板温度的实际面板温度进行检测。
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公开(公告)号：CN103095142B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201210428192.7
申请日：2012-10-31
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H02M3/3353 , B60L8/003 , B60L58/20 , B60L2210/12 , B60L2210/14 , B60L2240/526 , B60L2240/527 , H02J7/0054 , H02J7/022 , H02J2007/0059 , H02M7/30 , Y02T10/7005 , Y02T10/7066 , Y02T10/7083 , Y02T10/7225 , Y02T10/7233
Abstract: 本发明涉及DC-DC转换器、太阳能充电系统及可移动体。该DC/DC转换器包括第一DC/DC转换器以及用于实施从第一DC/DC转换器提供的电压的DC/DC转换的第二DC/DC转换器。第一DC/DC转换器或第二DC/DC转换器之一是固定因数DC/DC转换器，以及第一DC/DC转换器或第二DC/DC转换器中的另一个是可变因数DC/DC转换器。
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