光电耦合半导体器件的制造方法

    公开(公告)号:CN100459172C

    公开(公告)日:2009-02-04

    申请号:CN200410001473.X

    申请日:2004-01-08

    Abstract: 本发明公开一种光电耦合半导体器件及其制造方法,该器件包括:第一和第二平面引线框,每个引线框有一个主要部分和一个远端部分;分别安装在第一和第二引线框远端部分的上表面上的光发射元件和光接收元件;硅树脂件,其仅仅覆盖所述光发射元件;透光性树脂件,直接覆盖硅树脂件和光接收元件,并支撑其上表面上设置有光发射元件和光接收元件的、处于间隔相对的关系中的第一和第二引线框的远端部分,使得第一和第二引线框的主要部分在位置上成共面的关系;和非透光性树脂件,覆盖透光性树脂件并支撑第一和第二引线框的主要部分。透光性树脂件和非透光性树脂件的每个都由作为基础树脂的环氧树脂组成。

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