公开(公告)号：CN107924966A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201580046876.2

申请日：2015-08-31

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 谷善彦 ,  花本哲也 ,  渡边昌规 ,  栗栖彰宏 ,  井口胜次 ,  柏原博之 ,  井上知也 ,  浅井俊晶 ,  渡边浩崇

IPC: H01L33/32 ,  H01L21/205

Abstract: 氮化物半导体发光元件(1)至少具备n型氮化物半导体层(8)、发光层(14)、p型氮化物半导体层(16)。n型氮化物半导体层(8)和发光层(14)之间，设置有具有1组以上的第一半导体层(121)和第二半导体层(122)的层叠结构的多层结构体。第二半导体层(122)的带隙能量比第一半导体层(121)的带隙能量大。第一半导体层(121)和第二半导体层(122)的各自的厚度大于10nm而在30nm以下。或者，在重视室温下的发光效率的用途中，第一半导体层(121)的厚度大于10nm而在30nm以下，第二半导体层(122)的厚度大于10nm而在40nm以下，发光层上形成有在其剖视时为V字形的凹部。

公开(公告)号：CN107924966B

公开(公告)日：2020-12-22

申请号：CN201580046876.2

申请日：2015-08-31

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 谷善彦 ,  花本哲也 ,  渡边昌规 ,  栗栖彰宏 ,  井口胜次 ,  柏原博之 ,  井上知也 ,  浅井俊晶 ,  渡边浩崇

IPC: H01L33/32 ,  H01L21/205

Abstract: 氮化物半导体发光元件(1)至少具备n型氮化物半导体层(8)、发光层(14)、p型氮化物半导体层(16)。n型氮化物半导体层(8)和发光层(14)之间，设置有具有1组以上的第一半导体层(121)和第二半导体层(122)的层叠结构的多层结构体。第二半导体层(122)的带隙能量比第一半导体层(121)的带隙能量大。第一半导体层(121)和第二半导体层(122)的各自的厚度大于10nm而在30nm以下。或者，在重视室温下的发光效率的用途中，第一半导体层(121)的厚度大于10nm而在30nm以下，第二半导体层(122)的厚度大于10nm而在40nm以下，发光层上形成有在其剖视时为V字形的凹部。

公开(公告)号：CN102751412A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201210120722.1

申请日：2012-04-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 渡边浩崇 ,  小河淳 ,  冈崎舞 ,  木下多贺雄

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体元件形成用晶片及其制造方法、氮化物半导体元件及其制造方法。氮化物半导体元件形成用晶片通过在基板上依次层叠基底层、第一导电型氮化物半导体层、有源层及第二导电型氮化物半导体层而构成。基板由与氮化物半导体元件材料不同的材料构成。而且，基底层和第一导电型氮化物半导体层中至少一方的膜厚在基板的中央侧和基板的周边侧不同。氮化物半导体元件使用氮化物半导体元件形成用晶片制作。