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公开(公告)号：CN102142224B
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201110033393.2
申请日：2011-01-31
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 在补正数据存储部中，存储补正数据，该补正数据包含亮度不均量的偏差值和分组信息，该亮度不均量的偏差值是对应于检查用图像数据的图像显示于显示画面中时的各像素的亮度值或各像素群的亮度值与对应于上述检查用图像数据的该各像素或该各像素群的合理亮度值之差；该分组信息是根据各亮度不均区域中的亮度不均的程度，将对应于各亮度不均区域的补正区域分组的信息。而且，当使对应于显示用图像数据的图像显示于上述显示画面中时，空间分散处理部根据上述补正数据中包含的对该各补正区域的分组结果，决定上述补正区域中包含的像素中使灰度值变化的像素。
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公开(公告)号：CN100524769C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200510087825.2
申请日：2005-06-03
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L29/788 , H01L21/8239 , H01L21/336
Abstract: 一种半导体存储装置，在半导体衬底上，具有通过栅极绝缘膜形成的单一栅电极以及在栅电极两侧形成的第1、第2存储器功能体。在半导体衬底的栅电极侧表面部形成P型沟道区域，在沟道区域两侧形成N型第1、第2扩散区域。沟道区域由位于第1、第2存储器功能体下的偏移区域和位于栅电极下的栅电极下区域构成。赋予偏移区域P型导电型的杂质浓度有效地稀于赋予栅电极下区域P型导电型的杂质的浓度。因此，可以实现栅电极的薄膜化，提供易于精细化的半导体存储装置。
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公开(公告)号：CN106664082A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580035608.0
申请日：2015-02-24
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H03K17/16 , H02M3/155 , H03K17/10 , H03K17/695
Abstract: 将高耐压的常导通型晶体管(T1)与低耐压的常截止型晶体管(T2)串联连接，并设置与晶体管(T2)反向并联的二极管(D1、D2)。将晶体管(T1)的栅极端子连接到晶体管(T2)的源极端子，并设置对晶体管(T2)的栅极端子输出控制信号的栅极驱动电路(11)。使二极管(D2)的正向电压低于二极管(D1)的正向电压，使经由二极管(D2)将节点(N2)、(N3)相连的路径的电感成分大于经由二极管(D1)将节点(N2)、(N3)相连的路径的电感成分。由此，提供包括串联连接的晶体管且削减了变为截止时的瞬态电流的开关电路。
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公开(公告)号：CN103326621B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310087700.4
申请日：2013-03-19
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L31/02008 , G05F1/67 , Y02E10/58
Abstract: 本发明涉及光发电装置、该光发电装置中的最大功率点跟踪控制方法、以及具备该光发电装置的移动体。光发电装置，具备：光发电模块，串联连接有多个光发电元件的串联部被并联连接多个，多个所述串联部中的连接于同一串联行的所述光发电元件相互并联连接；以及跟踪控制装置，对所述光发电模块的输出进行最大功率点跟踪控制。所述光发电模块具备：温度传感器，对作为所述光发电模块工作时的面板温度的实际面板温度进行检测。
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公开(公告)号：CN103022185A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210353873.1
申请日：2012-09-21
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/042 , H01L31/02
CPC classification number: H01L31/0504 , H01L31/02021 , Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及光伏发电模块和光伏发电模块阵列，本发明的光伏发电模块具备：多个光伏发电元件经由连接点串联连接的群发电部；连接于所述群发电部构成的串联电路的两端的一对输出端子；以及与从所述连接点中特别指定的特别指定连接点连接的特别指定端子。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104956283A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201380071705.6
申请日：2013-12-13
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: F25B27/00 , F25B49/025 , F25B2600/021 , G05F1/67 , H02J7/345 , H02J7/35 , H02P7/06 , H02P27/06 , H02P29/032 , Y02B30/741 , Y02E10/58
Abstract: 太阳能利用系统(100)具备：太阳能电池板(101)、由太阳能输出电功率驱动的电机(122)以及防止驱动中的电机失速的电机失速防止装置，选择如下任意一种电机失速防止装置作为上述电机失速防止装置：(a)将太阳能输出电压限制为比太阳能电池板在该时点输出最大电功率的电压高的电压的电机失速防止装置；(b)将太阳能输出电压限制为在P-V曲线上当改变该输出电压时变化率为负的电压的电机失速防止装置；以及(c)包括与太阳能电池板并联连接而积蓄太阳能电池板产生的电功率的电容器(317)的电机失速防止装置。
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公开(公告)号：CN101996597B
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201010247405.7
申请日：2010-08-05
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明涉及显示装置、校正系统、作成装置、决定装置及其方法。将包括亮度不均区域的、或者将包括亮度不均区域及其周边区域的校正区域所含有的像素中的一部分像素选择作为调整校正像素，并使得对调整校正像素的灰阶值校正量与对该校正区域所含有的除调整校正像素以外的像素的灰阶值校正量不同，从而实现了类似于对校正区域内的所有像素的亮度值相同地仅校正了小于与显示用图像数据的1灰阶相当的亮度值(或，与显示用图像数据的小数部分不为0的灰阶值相当的亮度值)。由此能够确切地校正显示装置的亮度不均。
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公开(公告)号：CN103022184A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210353270.1
申请日：2012-09-21
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 片冈耕太郎
IPC: H01L31/042 , H01L31/0352 , H01L31/18 , H02N6/00
CPC classification number: H01L31/042 , H01L31/02 , H01L31/0516 , Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及光伏发电装置及其制造方法、光伏发电装置阵列、晶片。光伏发电装置具备：第一光伏发电元件，面形状为三角形；以及第二光伏发电元件，面形状为作为四边形以上的多边形的梯形。第一光伏发电元件例如为等腰三角形，第二光伏发电元件例如为等腰梯形。
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公开(公告)号：CN101425541A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200810184257.1
申请日：2008-09-18
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/78 , G02F1/133 , G02F1/1362
Abstract: 本发明提供一种半导体元件及采用该半导体元件的装置，通过以较低的电压进行高速的写入及擦除动作，且抑制重写劣化，以低成本提供存储窗大且可靠性高的存储器元件。存储器元件具有：设于绝缘衬底上的半导体层；为P型导电类型的第一扩散层区域及第二扩散层区域；将第一扩散层区域和第二扩散层区域之间的沟道区域覆盖并可从沟道区域注入电荷的电荷蓄积膜；隔着电荷蓄积膜位于沟道区域的相反侧的栅极电极。
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公开(公告)号：CN1707800A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200510087825.2
申请日：2005-06-03
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L29/78 , H01L21/8239 , H01L21/336
Abstract: 一种半导体存储装置，在半导体衬底上，具有通过栅极绝缘膜形成的单一栅电极以及在栅电极两侧形成的第1、第2存储器功能体。在半导体衬底的栅电极侧表面部形成P型沟道区域，在沟道区域两侧形成N型第1、第2扩散区域。沟道区域由位于第1、第2存储器功能体下的偏移区域和位于栅电极下的栅电极下区域构成。赋予偏移区域P型导电型的杂质浓度有效地稀于赋予栅电极下区域P型导电型的杂质的浓度。因此，可以实现栅电极的薄膜化，提供易于精细化的半导体存储装置。
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