公开(公告)号：CN106062973B

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：CN201580012504.8

申请日：2015-04-03

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 原田真臣 ,  酒井敏彦 ,  菅沼利人 ,  辻埜和也 ,  国吉督章 ,  神川刚

IPC: H01L31/0747

CPC classification number: H01L31/075 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 提供一种光电转换装置，能够抑制p层或者n层的掺杂物向相邻的层扩散。光电转换装置(1)具备硅基板(10)、形成于硅基板(10)的一个面并且实质上是本征的本征非晶质层(11)以及形成于本征非晶质层(11)上的第1导电类型非晶质层(12)。第1导电类型非晶质层(12)包括第1浓度层(121)和层叠于第1浓度层(121)的第2浓度层(122)。第2浓度层(122)的掺杂物浓度是8×1017cm‑3以上且低于第1浓度层的掺杂物浓度。

公开(公告)号：CN101425541B

公开(公告)日：2011-03-02

申请号：CN200810184257.1

申请日：2008-09-18

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 片冈耕太郎 ,  岩田浩 ,  太田佳似 ,  木本贤治 ,  小宫健治 ,  足立浩一郎 ,  柴田晃秀 ,  原田真臣

IPC: H01L29/78 ,  G02F1/133 ,  G02F1/1362

Abstract: 本发明提供一种半导体元件及采用该半导体元件的装置，通过以较低的电压进行高速的写入及擦除动作，且抑制重写劣化，以低成本提供存储窗大且可靠性高的存储器元件。存储器元件具有：设于绝缘衬底上的半导体层；为P型导电类型的第一扩散层区域及第二扩散层区域；将第一扩散层区域和第二扩散层区域之间的沟道区域覆盖并可从沟道区域注入电荷的电荷蓄积膜；隔着电荷蓄积膜位于沟道区域的相反侧的栅极电极。

公开(公告)号：CN101425541A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200810184257.1

申请日：2008-09-18

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 片冈耕太郎 ,  岩田浩 ,  太田佳似 ,  木本贤治 ,  小宫健治 ,  足立浩一郎 ,  柴田晃秀 ,  原田真臣

IPC: H01L29/78 ,  G02F1/133 ,  G02F1/1362

Abstract: 本发明提供一种半导体元件及采用该半导体元件的装置，通过以较低的电压进行高速的写入及擦除动作，且抑制重写劣化，以低成本提供存储窗大且可靠性高的存储器元件。存储器元件具有：设于绝缘衬底上的半导体层；为P型导电类型的第一扩散层区域及第二扩散层区域；将第一扩散层区域和第二扩散层区域之间的沟道区域覆盖并可从沟道区域注入电荷的电荷蓄积膜；隔着电荷蓄积膜位于沟道区域的相反侧的栅极电极。

公开(公告)号：CN107710420B

公开(公告)日：2020-02-04

申请号：CN201680035963.2

申请日：2016-02-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 原田真臣 ,  东贤一 ,  神川刚 ,  酒井敏彦 ,  国吉督章 ,  辻埜和也 ,  邹柳民

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0747

Abstract: 在光电转换装置(1)中，在半导体基板(101)的一个面侧交替地配置有第一非晶质半导体部(102n)和第二非晶质半导体部(102p)。在第一非晶质半导体部(102n)和第二非晶质半导体部(102p)分别配置有至少一个第一非晶质半导体层(1020n)和第二非晶质半导体层(1020p)。在一个第一非晶质半导体层(1020n)之上，间隔地配置有多个第一电极(103n)，在一个第二非晶质半导体层(1020p)之上，间隔地配置有多个第二电极(103p)。

公开(公告)号：CN108028290B

公开(公告)日：2019-09-03

申请号：CN201680052868.3

申请日：2016-08-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 国吉督章 ,  东贤一 ,  神川刚 ,  原田真臣 ,  酒井敏彦 ,  辻埜和也 ,  邹柳民

IPC: H01L31/0747

Abstract: 本发明提供抑制硼的扩散，并能使转换效率提高的光电转换元件及光电转换模块。光电转换元件(10)包括：半导体基板(1)；在半导体基板(1)上形成的本征非晶态半导体层(3)；在本征非晶态半导体层(3)上形成的包含磷作为掺杂物的n型非晶态半导体层(4)；以及在面内方向上与n型非晶态半导体层(4)相邻地形成的包含硼作为掺杂物的p型非晶态半导体层(5)。n型非晶态半导体层(4)在与p型非晶态半导体层(5)相邻的面具有膜厚减少区域TD(n)，p型非晶态半导体层(5)在与n型非晶态半导体层(4)相邻的面具有膜厚减少区域TD(p)。p型非晶态半导体层(5)的膜厚减少区域TD(p)的倾斜角度比n型非晶态半导体层(4)的膜厚减少区域TD(n)的倾斜角度更陡峭。

公开(公告)号：CN107667435B

公开(公告)日：2020-02-28

申请号：CN201680028567.7

申请日：2016-02-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 原田真臣 ,  东贤一 ,  神川刚 ,  酒井敏彦 ,  国吉督章 ,  辻埜和也 ,  邹柳民

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/20 ,  C23C16/24

Abstract: 光电转换装置(1)具备以与半导体基板(101)的一个面相接的方式形成的i型非晶质半导体层(102i)、分隔而配置于i型非晶质半导体层(102i)上的p型非晶质半导体层(102p)与分隔而配置于i型非晶质半导体层(102i)上，且于半导体基板(101)的面内方向邻接于p型非晶质半导体层(102p)而形成的n型非晶质半导体层(102n)。进而，光电转换装置(1)具备电极(103)作为保护层，所述保护层是以在邻接的p型非晶质半导体层(102p)之间及邻接的n型非晶质半导体层(102n)之间与i型非晶质半导体层(102i)相接的方式形成。

公开(公告)号：CN105981180B

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201580007656.9

申请日：2015-01-20

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 原田真臣 ,  神川刚 ,  辻埜和也 ,  小出直城 ,  浅野直城 ,  松本雄太

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0236

CPC classification number: H01L31/02363 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/0508 ,  H01L31/0516 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 光电转换元件具备n型单晶硅基板(1)。n型单晶硅基板(1)包括中心区域(11)和端部区域(12)。中心区域(11)是被具有与n型单晶硅基板(1)的中心点相同的中心点、并且将n型单晶硅基板(1)的四边中的最短的边的长度的40％的长度设为直径的圆包围的区域。并且，中心区域(11)具有厚度t1。端部区域(12)是从n型单晶硅基板(1)的端部起5mm以内的区域。并且，端部区域(12)配置于在n型单晶硅基板(1)的面内方向上比中心区域(11)更靠外侧的位置，具有比厚度t1薄的厚度t2。另外，端部区域(12)具有比中心区域(11)的平均面粗糙度小的平均面粗糙度。

公开(公告)号：CN107710420A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201680035963.2

申请日：2016-02-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 原田真臣 ,  东贤一 ,  神川刚 ,  酒井敏彦 ,  国吉督章 ,  辻埜和也 ,  邹柳民

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0747

Abstract: 在光电转换装置(1)中，在半导体基板(101)的一个面侧交替地配置有第一非晶质半导体部(102n)和第二非晶质半导体部(102p)。在第一非晶质半导体部(102n)和第二非晶质半导体部(102p)分别配置有至少一个第一非晶质半导体层(1020n)和第二非晶质半导体层(1020p)。在一个第一非晶质半导体层(1020n)之上，间隔地配置有多个第一电极(103n)，在一个第二非晶质半导体层(1020p)之上，间隔地配置有多个第二电极(103p)。

公开(公告)号：CN104685639B

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201380049644.3

申请日：2013-09-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 原田真臣 ,  木本贤治 ,  小出直城 ,  山元良高 ,  中村京太郎

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0747

Abstract: 提供一种光电转换元件，包括第一导电型的半导体基板、设置在该半导体基板的一个表面上的第一导电型的第一半导体膜、在该表面上从该第一半导体膜独立地设置的第二导电型的第二半导体膜、以及设置在该半导体基板和该第一半导体膜之间和/或该半导体基板和该第二半导体膜之间的介质膜，在该第一半导体膜上以及该第二半导体膜上形成有金属间化合物层。

公开(公告)号：CN105981180A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201580007656.9

申请日：2015-01-20

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 原田真臣 ,  神川刚 ,  辻埜和也 ,  小出直城 ,  浅野直城 ,  松本雄太

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0236

CPC classification number: H01L31/02363 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/0508 ,  H01L31/0516 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 光电转换元件具备n型单晶硅基板(1)。n型单晶硅基板(1)包括中心区域(11)和端部区域(12)。中心区域(11)是被具有与n型单晶硅基板(1)的中心点相同的中心点、并且将n型单晶硅基板(1)的四边中的最短的边的长度的40％的长度设为直径的圆包围的区域。并且，中心区域(11)具有厚度t1。端部区域(12)是从n型单晶硅基板(1)的端部起5mm以内的区域。并且，端部区域(12)配置于在n型单晶硅基板(1)的面内方向上比中心区域(11)更靠外侧的位置，具有比厚度t1薄的厚度t2。另外，端部区域(12)具有比中心区域(11)的平均面粗糙度小的平均面粗糙度。