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公开(公告)号：CN1979984A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200610153153.5
申请日：2006-12-05
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/32341 , H01S5/0202 , H01S5/0425 , H01S2301/176
Abstract: 在衬底上形成的氮化物半导体分层部分上，以此顺序形成绝缘膜和p侧电极。此外，在p侧电极之上、将发生解理的位置周围形成端部电极保护层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102171511B
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN200980138887.8
申请日：2009-09-01
Applicant: 夏普株式会社
IPC: F21V23/00 , F21V8/00 , H05B37/02 , F21Y101/02
CPC classification number: G09F13/18 , G02B6/0003 , G02B6/001
Abstract: 本发明提供一种线状光源以及电子设备。该线状光源(20)具有能够在内部传输入射光的线状材料(11)，通过使光在线状材料(11)的内部传输而发光，包括，发光元件(12)，其配置在线状材料(11)的一端，并射出光以使光向该线状材料(11)的一端入射；受光元件(21)，其配置在线状材料(11)的另一端，能够检测在该线状材料(11)中传输而来的光。从而能够检测线状材料的断裂等异常情况。本发明的电子设备具有该线状光源。
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公开(公告)号：CN102436823B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201110282808.X
申请日：2011-09-09
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G11B7/1353 , G11B7/135 , G02B5/18 , G11B7/22
CPC classification number: G11B7/1353 , G11B7/1275
Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体激光装置，该半导体激光装置能够使两种波长以上的不同波长的光源的射出光的光轴、强度分布、光程长相一致。衍射元件的光栅形状构成如下：使得由衍射区域进行了1级衍射的光源(2)的衍射光的衍射角、与光源(1)的透射过衍射区域的角度相同，且光源位置与光源(1)的透射光的发光点相一致，配置衍射元件，使得光源(2)的光轴发生倾斜，其光强度分布中心与透射过衍射元件的光源(1)的光强度分布相一致。利用衍射元件对经过反射后的光源(2)的返回光路的光进行衍射，并入射到光源(1)后产生电流，基于该电流值对衍射元件的位置进行调整。
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公开(公告)号：CN102436823A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110282808.X
申请日：2011-09-09
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G11B7/1353 , G11B7/135 , G02B5/18 , G11B7/22
CPC classification number: G11B7/1353 , G11B7/1275
Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体激光装置，该半导体激光装置能够使两种波长以上的不同波长的光源的射出光的光轴、强度分布、光程长相一致。衍射元件的光栅形状构成如下：使得由衍射区域进行了1级衍射的光源(2)的衍射光的衍射角、与光源(1)的透射过衍射区域的角度相同，且光源位置与光源(1)的透射光的发光点相一致，配置衍射元件，使得光源(2)的光轴发生倾斜，其光强度分布中心与透射过衍射元件的光源(1)的光强度分布相一致。利用衍射元件对经过反射后的光源(2)的返回光路的光进行衍射，并入射到光源(1)后产生电流，基于该电流值对衍射元件的位置进行调整。
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公开(公告)号：CN102171511A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200980138887.8
申请日：2009-09-01
Applicant: 夏普株式会社
IPC: F21V23/00 , F21V8/00 , H05B37/02 , F21Y101/02
CPC classification number: G09F13/18 , G02B6/0003 , G02B6/001
Abstract: 本发明提供一种线状光源以及电子设备。该线状光源(20)具有能够在内部传输入射光的线状材料(11)，通过使光在线状材料(11)的内部传输而发光，包括，发光元件(12)，其配置在线状材料(11)的一端，并射出光以使光向该线状材料(11)的一端入射；受光元件(21)，其配置在线状材料(11)的另一端，能够检测在该线状材料(11)中传输而来的光。从而能够检测线状材料的断裂等异常情况。本发明的电子设备具有该线状光源。
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公开(公告)号：CN100477423C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200610153153.5
申请日：2006-12-05
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/32341 , H01S5/0202 , H01S5/0425 , H01S2301/176
Abstract: 在衬底上形成的氮化物半导体分层部分上，以此顺序形成绝缘膜和p侧电极。此外，在p侧电极之上、将发生解理的位置周围形成端部电极保护层。
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